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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR1560CT | 1.0000 | ![]() | 5560 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 900 mv @ 15 A | 1 mA @ 60 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | GBPC1506 | - | ![]() | 3822 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC15 | 标准 | GBPC | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 600 V | 15 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||
![]() | mmsz28vcf | 0.0600 | ![]() | 1023 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | MMSZ28 | 1 w | SOD-123F | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,853 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 21 V | 28 V | 15欧姆 | ||||||||||||
![]() | BZX84B27LT1G | 0.0300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80欧姆 | |||||||||||||
![]() | DF08S2 | - | ![]() | 1041 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | 4-SDIP | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 672 | 1.1 V @ 2 A | 3 µA @ 800 V | 2 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||
![]() | 1N4742A | 0.0300 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 9,779 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 v | 9欧姆 | |||||||||||||
![]() | RURP1560-F085 | 1.0000 | ![]() | 1525年 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | RURP1560 | 标准 | TO-220-2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.5 V @ 15 A | 70 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 15a | - | ||||||||||
![]() | RB521S30T5G | - | ![]() | 3609 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 肖特基 | SOD-523 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 500 mV @ 200 ma | 30 µA @ 10 V | -55°C〜125°C | 200mA | - | ||||||||||||
![]() | DF02S | 1.0000 | ![]() | 7019 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | DF-S | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 200 V | 1 a | 单相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | GBPC1504 | 2.5800 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | 标准 | GBPC | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 150 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 400 V | 15 a | 单相 | 400 v | |||||||||||||
![]() | DF06 | - | ![]() | 5151 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | DF-S | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | 1 a | 单相 | 600 v | |||||||||||||
![]() | GBPC3501W | 1.0000 | ![]() | 8739 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | 标准 | GBPC-W | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 100 V | 35 a | 单相 | 100 v | |||||||||||||
![]() | MB2S | - | ![]() | 5890 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | MB2 | 标准 | MD-S | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.05 V @ 400 mA | 5 µA @ 200 V | 500 MA | 单相 | 200 v | ||||||||||||
![]() | MM3Z75VC | 0.0400 | ![]() | 172 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 200兆 | SOD-323F | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,340 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 52.5 V | 75 v | 240欧姆 | |||||||||||||
![]() | GBPC1204W | 2.4800 | ![]() | 626 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | 标准 | GBPC-W | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 122 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 400 V | 12 a | 单相 | 400 v | |||||||||||||
![]() | GBPC25005 | 1.0000 | ![]() | 3803 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | 标准 | GBPC | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 50 V | 25 a | 单相 | 50 V | |||||||||||||
![]() | DFB2520 | 1.5800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | 标准 | TS-6P | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 190 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 200 V | 25 a | 单相 | 200 v | |||||||||||||
![]() | 1N4746ATR | - | ![]() | 7736 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N5236B | 0.0300 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 500兆 | - | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6欧姆 | ||||||||||||||||||
![]() | SB550 | - | ![]() | 9934 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 肖特基 | DO-201-201 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 670 mv @ 5 a | 500 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||
![]() | US1AFA | 1.0000 | ![]() | 4051 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | 标准 | SOD-123FA | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | MBR3030CTTU | - | ![]() | 2349 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SS23 | 1.0000 | ![]() | 6808 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 2 a | 400 µA @ 30 V | -65°C〜125°C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | gbu8k | - | ![]() | 1472 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Esip,Gbu | 标准 | gbu | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 800 V | 5.6 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||
![]() | ES1A | 1.0000 | ![]() | 2704 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | do-214ac,SMA | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 920 MV @ 1 A | 15 ns | 5 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | GBU4M | 0.7200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Esip,Gbu | 标准 | gbu | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 414 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 1 V | 2.8 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||||
![]() | MMBD4148CA | - | ![]() | 5189 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 620 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 100 v | 200mA | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | 1N4739ATR | 0.0300 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 11,053 | 10 µA @ 7 V | 9.1 v | 5欧姆 | ||||||||||||||
![]() | EGP30B | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 3a | 95pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5239BTR | 0.0200 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 3 µA @ 7 V | 9.1 v | 10欧姆 |
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