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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | US2JA | 0.0900 | ![]() | 9771 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,346 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 1.5 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 30pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||
![]() | GBPC25005W | 2.7900 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC25005 | 标准 | GBPC-W | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 117 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 50 V | 25 a | 单相 | 50 V | |||||||||||||||
![]() | MMBD2838 | - | ![]() | 6233 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 75 v | 200mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | MM3Z10VC | 0.0300 | ![]() | 57 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 200兆 | SOD-323F | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1 V @ 10 mA | 180 na @ 7 V | 10 v | 18欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | GBPC1202W | 3.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | 标准 | GBPC-W | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 90 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 200 V | 12 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||||||
![]() | MM3Z24VB | 0.0300 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 200兆 | SOD-323F | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 16.8 V | 24 V | 65欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | DFB2560 | 1.7700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | 标准 | TS-6P | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 170 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 600 V | 25 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||||||
![]() | GBPC2504W | - | ![]() | 1994 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | 标准 | GBPC-W | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | |||||||||||||||||
![]() | 1N5247BTR | 0.0200 | ![]() | 4891 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 100 na @ 13 V | 17 V | 19欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | 1N5251B | 0.0300 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 900 mv @ 200 ma | 100 na @ 17 V | 22 v | 29欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | MDB6S | - | ![]() | 3110 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5245B | 0.0300 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 100 na @ 11 V | 15 v | 16欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | GBPC1210 | 1.0000 | ![]() | 8187 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | 标准 | GBPC | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 1 V | 12 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||||||
![]() | FFPF10UA60ST | 1.0000 | ![]() | 8081 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | 标准 | TO-220F-2L | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.3 V @ 10 A | 120 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||||
![]() | 1N5235B | 0.0200 | ![]() | 561 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 V @ 200 ma | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | NSR01F30NXT5G | 0.0700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 0201(0603公制) | 肖特基 | 2-DSN(0.60x0.30) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,157 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 500 mv @ 100 ma | 50 µA @ 30 V | 125°c (最大) | 100mA | 7pf @ 5V,1MHz | |||||||||||||||
![]() | MM3Z56VC | - | ![]() | 5457 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | 150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 200兆 | SOD-323F | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 39.2 V | 56 v | 188欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | S2D | - | ![]() | 2723 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 标准 | SMB(do-214AA) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.15 V @ 2 A | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||
![]() | GBPC15005 | 2.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | 标准 | GBPC | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 121 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 50 V | 15 a | 单相 | 50 V | ||||||||||||||||
![]() | gbu4k | 1.0000 | ![]() | 6366 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 800 V | 2.8 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||||
![]() | FDLL914 | 0.0300 | ![]() | 137 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 标准 | SOD-80 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 11,539 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175°c (最大) | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||
![]() | SS28 | - | ![]() | 9924 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 850 mv @ 2 a | 400 µA @ 80 V | -65°C〜125°C | 2a | - | |||||||||||||||
![]() | RHRP30120 | - | ![]() | 9134 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 3.2 V @ 30 A | 85 ns | 250 µA @ 1200 V | -65°C〜175°C | 30a | - | |||||||||||
![]() | BZX79C39 | 0.0200 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.5 V @ 100 ma | 50 na @ 27.3 V | 39 v | 130欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | DF01M | 0.2600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.300英寸,7.62mm) | 标准 | DFM | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,151 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 100 V | 1 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||||||
![]() | FFH60UP40S3 | 1.0000 | ![]() | 9759 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | TO-247 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 60 A | 85 ns | 100 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 60a | - | ||||||||||||||
![]() | 1N4752ATR | 0.0300 | ![]() | 9158 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,208 | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 45欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | 1N4148 | - | ![]() | 4088 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N414 | 标准 | do-35 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||
![]() | MM3Z8V2C | 0.0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 200兆 | SOD-323F | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,586 | 1 V @ 10 mA | 630 na @ 5 V | 8.2 v | 14欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | 1N5260B | 2.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TA) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 159 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 33 V | 43 V | 93欧姆 |
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