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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
FFPF04F150STU	1.0000	RFQ	4886	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1500 v		1.5 V @ 4 A	170 ns	5 µA @ 1500 V	-65°C〜150°C	4a	-
FES16HT	0.2700	RFQ	7271	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2		标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	801	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		500 v		1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-65°C〜150°C	16a	145pf @ 4V，1MHz
flz39vd	0.0200	RFQ	4140	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	70					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 30 V						37.6 v	72欧姆
FLZ5V6C	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	15,000					1.2 V @ 200 ma		750 na @ 2.5 V						5.8 v	10.5欧姆
es1daf	0.2600	RFQ	30	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	do-214ad，Smaf	es1d	标准		DO-214AD（SMAF）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,152	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		950 MV @ 1 A	34 ns	1 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
1N963B	2.1300	RFQ	66	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	141							5 µA @ 9.1 V						12 v	11.5欧姆
MMBZ5237B	0.0200	RFQ	147	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6.5 V						8.2 v	8欧姆
flz4v7b	0.0200	RFQ	6645	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	7,263					1.2 V @ 200 ma		190 na @ 1 V						4.7 v	21欧姆
ISL9K460P3_Q	1.0000	RFQ	9365	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	1
es1d	-	RFQ	1930年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		do-214ac，SMA	下载					Ear99	8541.10.0080	602	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		920 MV @ 1 A	15 ns	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	1a	-
BZX79C8V2-T50A	0.0200	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 ma		700 na @ 5 V						8.2 v	15欧姆
FFAF10U170STU	0.6000	RFQ	117	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	to-3pf变体，2个线索		标准		TO-3PF-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	360	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1700 v		2.2 V @ 10 A	140 ns	100 µA @ 1700 V	-65°C〜150°C	10a	-
GBPC2508W	2.7900	RFQ	4502	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		标准		GBPC-W	下载					Ear99	8541.10.0080	30					1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 800 V		25 a		单相	800 v
BAT54SWT1G	1.0000	RFQ	1661年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAT54	肖特基		SC-70-3（SOT323）	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜125°C
FFP05U60DNTU	0.1800	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,719	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	5a	2.3 V @ 5 A	80 ns	2.5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C
FDH700	1.2000	RFQ	47	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	2,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		20 v		1.25 V @ 50 mA	900 ps	50 na @ 20 V	-65°C〜175°C	150mA	1.5pf @ 0v，1MHz
1N4741ATR	0.0300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,053							5 µA @ 8.4 V						11 V	8欧姆
FES16JT	0.8700	RFQ	7947	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2		标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件			2156-FES16JT-FS	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	16a	145pf @ 4V，1MHz
GBPC3506W	-	RFQ	5595	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		标准		GBPC-W	下载						0000.00.0000	1					1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 600 V		35 a		单相	600 v
BAV103	0.0300	RFQ	60	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa，迷你甲	下载					Ear99	8541.10.0070	11,010	小信号= <200ma（io（io），任何速度		200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	5 µA @ 200 V	-50°C〜175°C	200mA	-
1N5256BTR	0.0200	RFQ	159	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5256		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 23 V						30 V	49欧姆
RB521S30	-	RFQ	2184	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523		肖特基		SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		30 V		500 mV @ 200 ma		30 µA @ 10 V	-55°C〜125°C	200mA	-
1N969B	1.8400	RFQ	168	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163							5 µA @ 16.7 V						22 v	29欧姆
BZX79C15-T50A	0.0300	RFQ	35	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 10.5 V						15 v	30欧姆
FFSP20120A	-	RFQ	7277	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2		SIC （碳化硅）		TO-220AC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	没有恢复t> 500mA（IO）		1200 v		1.75 V @ 20 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	20a	1220pf @ 1V，100kHz
EGF1C	0.1900	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,735	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
ES2A	-	RFQ	3400	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		标准		SMB（do-214AA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		900 mv @ 2 a	20 ns	5 µA @ 50 V	-50°C〜150°C	2a	-
1N914B_NL	0.0200	RFQ	8972	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		1 V @ 100 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C 〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
MM3Z22VC	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 10 mA		45 NA @ 15.4 V						22 v	51欧姆
FFD08S60S	0.3600	RFQ	222	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²