RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4736A	0.0300	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载				Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V				6.8 v	3.5欧姆
BAV70	0.0300	RFQ	150	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV70	标准		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	75 v	215ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µA @ 75 V	-55°C〜150°C
FFA10U120DNTU	1.6200	RFQ	902	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		to-3p	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	1200 v	10a	3.5 V @ 10 A	100 ns	10 µA @ 1200 V	-65°C〜150°C
BZX85C6V2T50A	-	RFQ	9744	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6.45％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载				Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 3 V				6.2 v	4欧姆
MMSD4148	-	RFQ	4598	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-123	MMSD41	标准		SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	150°C （最大）	200mA	4pf @ 0v，1MHz
DCB010-TB-E	-	RFQ	8912	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准		3-CP	下载	不适用			Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 V	125°c （最大）
1N5991B	2.0000	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	88欧姆
GF1D	0.1300	RFQ	68	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		DO-214AC（SMA）	下载				Ear99	8541.10.0080	2,441	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
BZX85C33	1.0000	RFQ	5973	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C33		1.3 w	do-41g	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 24 V				33 V	35欧姆
1N4001	0.0200	RFQ	131	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	5,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		50 V		1.1 V @ 1 A		5 µA @ 50 V	-55°C 〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
BZX79C6V2	0.0300	RFQ	61	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载				Ear99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 ma		3 µA @ 4 V				6.2 v	10欧姆
1N5223B	0.0200	RFQ	143	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±0.5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	-	下载				Ear99	8541.10.0050	15,000							75 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
MMBZ5250B	-	RFQ	5047	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		100 na @ 15 V				20 v	25欧姆
1N4750A	0.0300	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向			1 w	轴向	下载				Ear99	8541.10.0050	9,779							5 µA @ 20.6 V				27 V	35欧姆
1N4731ATR	0.0300	RFQ	249	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4731		1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000							10 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
1N5406	1.0000	RFQ	2232	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	1N5406	标准		do15/do204ac	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.10.0080	1,250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.2 V @ 3 A	1.5 µs	200 NA @ 600 V	-50°C〜175°C	3a	-
BZX55C4V3	0.0400	RFQ	36	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±7％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 mA		1 µA @ 1 V				4.3 v	75欧姆
S2A	-	RFQ	3731	Fairchild半导体	联盟塑料，s	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		标准		SMB（do-214AA）	下载				Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		50 V		1.15 V @ 2 A	1.5 µs	5 µA @ 50 V	-50°C〜150°C	2a	-
RHRG3060-F085	-	RFQ	5121	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2		标准		TO-247-2	下载				Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		2.1 V @ 30 A	45 ns	250 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	30a	-
FFPF20U60DNTU	0.5400	RFQ	23	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包		标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	20a	2.2 V @ 20 A	90 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C
1N4936	0.0200	RFQ	7922	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		轴向	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.10.0080	6,173	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.2 V @ 1 A	300 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1a	-
FES16HT	0.2700	RFQ	7271	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2		标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	801	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		500 v		1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-65°C〜150°C	16a	145pf @ 4V，1MHz
1N5240BTR	0.0200	RFQ	40	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5240		500兆	do-35	下载				Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 8 V				10 v	17欧姆
MMBZ5236B	-	RFQ	6303	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		300兆	SOT-23	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6 V				7.5 v	6欧姆
MM5Z75V	0.0200	RFQ	53	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	8,000							50 na @ 52.5 V				75 v	255欧姆
BZX55C10	0.0500	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 mA		100 NA @ 7.5 V				10 v	15欧姆
BZX55C18	-	RFQ	8866	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 mA		100 na @ 14 V				18 V	50欧姆
RHRG1560CC_NL	1.0000	RFQ	8803	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3		雪崩		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	15a	2.1 V @ 15 A	40 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C
flz39vd	0.0200	RFQ	4140	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	70					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 30 V				37.6 v	72欧姆
1N5998B	3.1500	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	104					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 6.5 V				8.2 v	7欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²