RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZX79C4V3-T50A	-	RFQ	3271	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6.98％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2156-BZX79C4V3-T50A	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	90欧姆
MM5Z2V7	-	RFQ	3400	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±7％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F	MM5Z2		200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000							20 µA @ 1 V				2.7 v	100欧姆
BZX84C6V8	0.0200	RFQ	49	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C6		250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V				6.8 v	15欧姆
FFA15U40DNTU	0.7500	RFQ	1775年	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	12	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	400 v	15a	1.4 V @ 15 A	50 ns	40 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
1N5237B	0.0300	RFQ	71	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞				500兆		下载					Ear99	8541.10.0050	11,539							3 µA @ 6.5 V				8.2 v	8欧姆
EGP10K	0.1100	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	EGP10	标准		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0080	2,834	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		800 v		1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	1a	-
1N4743A	0.0300	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.9 V				13 V	10欧姆
BZX55C3V3	0.0400	RFQ	35	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 mA		2 µA @ 1 V				3.3 v	85欧姆
MMSZ5254B	0.0200	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123			500兆	SOD-123	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MMSZ5254B-600039			1											27 V	25欧姆
1N5987B	1.8400	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V				3 V	95欧姆
MMSZ5249BT1G	0.0300	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123			500兆	SOD-123	下载					Ear99	8541.10.0050	1					900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V				19 v	23欧姆
BAT54HT1G	-	RFQ	2952	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323	BAT54	肖特基		SOD-323	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		30 V		800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜150°C	200mA	10pf @ 1V，1MHz
Bay73	1.0000	RFQ	7722	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		125 v		1 V @ 200 MA	1 µs	5 na @ 100 V	175°c （最大）	500mA	8pf @ 0v，1MHz
ISL9R1560S2	-	RFQ	5129	Fairchild半导体	Stealth™	大部分	过时的			通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		雪崩		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	81	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		2.2 V @ 15 A	40 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	15a	-
MM3Z4V3C	0.0400	RFQ	210	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	8,103					1 V @ 10 mA		2.7 µA @ 1 V				4.3 v	84欧姆
BZX79C33-T50A	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-BZX79C33-T50A-600039			1					1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 23.1 V				33 V	80欧姆
MM5Z43V	0.0200	RFQ	54	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±7％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F	MM5Z4		200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000							50 NA @ 30.1 V				43 V	150欧姆
FFPF20U60DNTU	0.5400	RFQ	23	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包		标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	20a	2.2 V @ 20 A	90 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C
BZX55C22	0.0600	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 mA		100 na @ 17 V				22 v	55欧姆
1N4753A	0.0300	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向			1 w	轴向	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779							5 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
RS1KFP	-	RFQ	8408	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-123H	RS1K	标准		SOD-123HE	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		800 v		1.3 V @ 1.2 A	300 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1.2a	18pf @ 0v，1MHz
BZX79C9V1-T50A	0.0200	RFQ	2197	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 ma		500 na @ 6 V				9.1 v	15欧姆
flz13vb	0.0200	RFQ	66	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 10 V				12.9 v	11.4欧姆
SB520	-	RFQ	1587年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		肖特基		DO-201-201	下载						0000.00.0000	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		550 mv @ 5 a		500 µA @ 20 V	-50°C〜150°C	5a	-
BZX85C5V6-T50R	0.0400	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±7％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-		供应商不确定	到达受影响	2156-BZX85C5V6-T50R-600039			1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 2 V				5.6 v	7欧姆
1N973B	1.8400	RFQ	49	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163							5 µA @ 25.1 V				33 V	58欧姆
1N4938TR	0.0200	RFQ	29	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	15,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1 V @ 100 ma	50 ns	100 na @ 75 V	175°c （最大）	500mA	5pf @ 0v，1MHz
1N5234B	0.0300	RFQ	542	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞				500兆	-	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539							5 µA @ 4 V				6.2 v	7欧姆
FEP16CT	0.4700	RFQ	90	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	16a	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
FFA10U40DNTU	0.8800	RFQ	515	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	450	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	400 v	10a	1.4 V @ 10 A	50 ns	30 µA @ 400 V	-65°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²