RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
S3DB	-	RFQ	5629	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		标准		DO-214AA（SMB）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,017	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.15 V @ 3 A	1.5 µs	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
GBPC1508W	2.7100	RFQ	350	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		标准		GBPC-W	下载					Ear99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 800 V		15 a		单相	800 v
1N4746A	0.0300	RFQ	66	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V						18 V	20欧姆
FFPF10UP20STU	0.5300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载					Ear99	8542.39.0001	567	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.15 V @ 10 A	35 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	10a	-
UF4004	-	RFQ	3909	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	UF400	标准		do-41	下载						0000.00.0000	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.25 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 400 V	-50°C〜175°C	1a	-
1N4756A	0.0300	RFQ	13	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向			1 w	轴向	下载					Ear99	8541.10.0050	1							5 µA @ 35.8 V						47 V	80欧姆
MB8	0.1200	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-269AA，4-Besop		标准		TO-269AA Minidil Slim	下载					Ear99	8541.10.0080	2,526					1 V @ 400 MA		5 µA @ 800 V		500 MA		单相	800 v
GBPC1201	1.0000	RFQ	9896	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC		标准		GBPC	下载						0000.00.0000	1					1.1 V @ 6 A		5 µA @ 100 V		12 a		单相	100 v
GBPC3510	1.0000	RFQ	2676	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，GBPC	GBPC35	标准		GBPC	下载					Ear99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 1 V		35 a		单相	1 kV
MBR20150CTTU	-	RFQ	9264	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3		肖特基		TO-220-3	下载						0000.00.0000	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	10a	750 MV @ 10 A		200 µA @ 150 V	150°C （最大）
MBR4060PT	1.5800	RFQ	855	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		肖特基		to-3p	下载					Ear99	8541.10.0080	207	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	40a	800 mv @ 20 a		1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C
DFB2540	1.6400	RFQ	779	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，TS-6P		标准		TS-6P	下载					Ear99	8541.10.0080	183					1.1 V @ 25 A		10 µA @ 400 V		25 a		单相	400 v
MM3Z27VC	0.0300	RFQ	96	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 10 mA		45 na @ 18.9 V						27 V	75欧姆
SS12	0.1100	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA	SS12	肖特基		SMA（do-214ac）	下载					Ear99	8541.10.0080	2,701	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		500 mv @ 1 A		200 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	1a	-
fypf2004dntu	0.7200	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3完整包		肖特基		TO-220F-3	下载					Ear99	8541.10.0080	419	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	40 V	20a	670 mv @ 20 a		1 mA @ 40 V	-40°C〜150°C
GBPC1502W	3.0300	RFQ	516	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		标准		GBPC-W	下载					Ear99	8541.10.0080	100					1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 200 V		15 a		单相	200 v
EGP30D	0.2900	RFQ	5901	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载					Ear99	8541.10.0080	14	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		950 mv @ 3 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	3a	95pf @ 4V，1MHz
RS1BFA	0.0900	RFQ	8226	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-123W		标准		SOD-123FA	下载					Ear99	8541.10.0080	2,470	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1.3 V @ 800 mA	150 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	800mA	10pf @ 4V，1MHz
MDB10SS	0.1000	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼		标准		4-microdip/smd	下载	不适用				Ear99	8541.10.0080	4,000					1 V @ 1 A		10 µA @ 1 V		1 a		单相	1 kV
GBPC1208W	2.5000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		标准		GBPC-W	下载					Ear99	8541.10.0080	1					1.1 V @ 6 A		5 µA @ 800 V		12 a		单相	800 v
MMSZ5240B	-	RFQ	2359	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		3 µA @ 8 V						10 v	10欧姆
KBL06	-	RFQ	7657	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准		KBL	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	200					1.1 V @ 4 A		5 µA @ 600 V		4 a		单相	600 v
MMSZ5238B	-	RFQ	8282	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6.5 V						8.7 v	8欧姆
DF04M	-	RFQ	1339	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.300英寸，7.62mm）		标准		4点	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-DF04M-600039			1					1.1 V @ 1 A		5 µA @ 400 V		1.5 a		单相	400 v
1N5997B	1.8400	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		500 µA @ 6 V						7.5 v	7欧姆
BZX55C20	0.0500	RFQ	22	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000					1.3 V @ 100 mA		100 na @ 15 V						20 v	55欧姆
FFPF04U40STU	0.2300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.4 V @ 4 A	45 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	4a	-
flz3v3b	0.0200	RFQ	54	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		14 µA @ 1 V						3.4 v	35欧姆
GBPC12005W	0.8800	RFQ	1110	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	32					1.1 V @ 6 A		5 µA @ 50 V		12 a		单相	50 V
MMBZ5228B	0.0200	RFQ	47	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		10 µA @ 1 V						3.9 v	23欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²