RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
UF4004	-	RFQ	3909	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	UF400	标准		do-41	下载			0000.00.0000	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.25 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 400 V	-50°C〜175°C	1a	-
MM3Z68VC	0.0200	RFQ	58	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 10 mA		45 NA @ 47.6 V						68 v	226欧姆
1N5247B	0.0300	RFQ	187	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载		Ear99	8541.10.0050	11,539			900 mv @ 200 ma		100 na @ 13 V						17 V	19欧姆
1N4733ATR	0.0300	RFQ	5700	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载		Ear99	8541.10.0050	2,351					10 µA @ 1 V						5.1 v	7欧姆
GBPC1502W	3.0300	RFQ	516	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W		标准		GBPC-W	下载		Ear99	8541.10.0080	100			1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 200 V		15 a		单相	200 v
MM3Z47VB	0.0300	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载		Ear99	8541.10.0050	11,600			1 V @ 10 mA		45 NA @ 33 V						47 V	160欧姆
FSV2060L	-	RFQ	1376	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn		肖特基		TO-277-3	下载		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	60 V	600 mv @ 20 a		320 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	20a	771pf @ 4V，1MHz
SB530	-	RFQ	2713	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	SB53	肖特基		DO-201-201	下载		Ear99	8541.10.0080	869	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	550 mv @ 5 a		500 µA @ 30 V	-50°C〜150°C	5a	-
1N6001B	1.8400	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	163			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 8.4 V						11 V	18欧姆
1N751A	-	RFQ	3959	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	1,000			1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V						5.1 v	17欧姆
kbu8a	1.2800	RFQ	2854	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu		标准		KBU	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	178			1 V @ 8 A		10 µA @ 50 V		8 a		单相	50 V
1N4152	-	RFQ	1889年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0070	2,014	小信号= <200ma（io（io），任何速度	40 V	880 mv @ 20 ma	4 ns	50 NA @ 30 V	175°c （最大）	200mA	2pf @ 0v，1MHz
flz13vb	0.0200	RFQ	66	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	2,500			1.2 V @ 200 ma		133 na @ 10 V						12.9 v	11.4欧姆
1N5995B	1.8400	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	163			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 4 V						6.2 v	10欧姆
FDH700	1.2000	RFQ	47	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0070	2,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	20 v	1.25 V @ 50 mA	900 ps	50 na @ 20 V	-65°C〜175°C	150mA	1.5pf @ 0v，1MHz
FFPF04S60STU	-	RFQ	6509	Fairchild半导体	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	2.6 V @ 4 A	25 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	4a	-
1N4729ATR	0.0700	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	3,000					100 µA @ 1 V						3.6 v	10欧姆
3N248	-	RFQ	2326	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准		kbpm	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	1			1 V @ 1 A		5 µA @ 200 V		1.5 a		单相	200 v
2KBP06M	0.2900	RFQ	9	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准		kbpm	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	30			1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 600 V		2 a		单相	600 v
1N5987B	1.8400	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	163			1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V						3 V	95欧姆
flz33va	0.0200	RFQ	37	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	2,500			1.2 V @ 200 ma		133 na @ 25 V						30.5 v	55欧姆
BZX55C18	-	RFQ	8866	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	1,000			1.3 V @ 100 mA		100 na @ 14 V						18 V	50欧姆
KBL08	-	RFQ	9037	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准		KBL	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	108			1.1 V @ 4 A		5 µA @ 800 V		4 a		单相	800 v
KBP01M	0.4800	RFQ	2866	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准		kbpm	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	207			1 V @ 1 A		5 µA @ 100 V		1.5 a		单相	100 v
FFPF04U150STU	1.0000	RFQ	6884	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1500 v	1.8 V @ 4 A	150 ns	7 µA @ 1500 V	-65°C〜150°C	4a	-
3N249	-	RFQ	8176	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准		kbpm	-	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	30			1 V @ 1 A		5 µA @ 400 V		1.5 a		单相	400 v
KBP02M	-	RFQ	4835	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准		kbpm	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0080	30			1 V @ 1 A		5 µA @ 200 V		1.5 a		单相	200 v
1N968B	1.8400	RFQ	177	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0050	163					5 µA @ 15.2 V						20 v	25欧姆
1N747ATR	-	RFQ	3449	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	不适用	Ear99	8541.10.0050	5,000			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						3.6 v	24欧姆
bav20tr	-	RFQ	6030	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.10.0070	30,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	200 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²