RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N916B	0.0300	RFQ	259	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	11,539	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		1 V @ 20 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
FMKA130L	-	RFQ	1927年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	do-214ac，SMA		肖特基		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	4,121	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		410 MV @ 1 A		1 ma @ 30 V	-65°C〜125°C	1a	-
ISL9K860P3	-	RFQ	8630	Fairchild半导体	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	400	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	8a	2.4 V @ 8 A	30 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
RS1KFA	-	RFQ	7709	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-123W	RS1K	标准		SOD-123FA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		800 v		1.3 V @ 800 mA	500 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	800mA	10pf @ 4V，1MHz
MMSZ5253B	1.0000	RFQ	1744年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		100 na @ 19 V				25 v	35欧姆
MM5Z3V3	1.0000	RFQ	4066	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6.06％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000							5 µA @ 1 V				3.3 v	95欧姆
SS25	0.1600	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		肖特基		DO-214AA（SMB）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,876	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		700 mv @ 2 a		400 µA @ 50 V	-65°C〜125°C	2a	-
MBRP1545NTU	0.5300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3		肖特基		TO-220-3	下载					Ear99	8541.10.0080	570	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	15a	800 mv @ 15 A		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
BZX84C20	0.0200	RFQ	5579	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT23-3（TO-236）	下载					Ear99	8541.10.0050	1							50 na @ 14 V				20 v	55欧姆
flz10vb	0.0200	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	15,000					1.2 V @ 200 ma		110 na @ 7 V				9.7 v	6.6欧姆
BZX84C5V6-FS	0.0200	RFQ	3013	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C5		250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,003					900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V				5.6 v	10欧姆
1n914tr	0.0300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载					Ear99	8541.10.0070	11,539	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
MBRS130	-	RFQ	4855	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		肖特基		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	929	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		550 mv @ 1 a		1 ma @ 30 V	-65°C〜125°C	1a	-
MMSZ5257B	1.0000	RFQ	5408	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		100 na @ 25 V				5.1 v	41欧姆
1N5245BTR	-	RFQ	9370	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 11 V				15 v	16欧姆
flz39va	0.0200	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 30 V				35.6 v	72欧姆
1N4734A	0.0300	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779							10 µA @ 2 V				5.6 v	5欧姆
MMSZ5229B	-	RFQ	7071	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	23欧姆
flz8v2b	0.0200	RFQ	5084	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	4,230					1.2 V @ 200 ma		300 na @ 5 v				8 V	6.6欧姆
1N4752ATR	0.0300	RFQ	9158	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	8,208							5 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
MMBD1703A	1.0000	RFQ	1287	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	30 V	50mA	1.1 V @ 50 mA	1 ns	50 na @ 20 V	150°C （最大）
1N914BWS	-	RFQ	5234	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-90，SOD-323F		标准		SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0070	15,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		75 v		1 V @ 100 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	150°C （最大）	150mA	4pf @ 0v，1MHz
BZX79C12	0.0300	RFQ	87	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539					1.5 V @ 100 ma		100 na @ 8 V				12 v	25欧姆
1S921TR	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1S92	标准		do-35	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	5,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		1.2 V @ 200 ma		100 na @ 100 V		200mA	-
KA33VTA	0.0500	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-20°C〜75°C	通过洞	TO-226-2，TO-92-2 to-226ac）	KA33		200兆	TO-92-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1											33 V	25欧姆
BZX84C5V1	-	RFQ	5914	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C5		300兆	SOT23-3（TO-236）	-						0000.00.0000	1							2 µA @ 2 V				5.1 v	60欧姆
1N5985B	2.0000	RFQ	53	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	100欧姆
EGP20A	0.2200	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准		do-15	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-EGP20A-600039			1,348	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		950 mv @ 2 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	2a	70pf @ 4V，1MHz
1N4728A	0.0300	RFQ	67	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向			1 w	轴向	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779							100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
FES16DT	-	RFQ	7731	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2		标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	16a	170pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²