RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
FLZ18VB	0.0200	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	15,000			1.2 V @ 200 ma		133 na @ 13 V						17.3 v	19.4欧姆
1N751A	-	RFQ	3959	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000			1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V						5.1 v	17欧姆
FDH700	1.2000	RFQ	47	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	2,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	20 v	1.25 V @ 50 mA	900 ps	50 na @ 20 V	-65°C〜175°C	150mA	1.5pf @ 0v，1MHz
1N6001B	1.8400	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 8.4 V						11 V	18欧姆
1N5995B	1.8400	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 4 V						6.2 v	10欧姆
flz6v8c	0.0200	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	17,006			1.2 V @ 200 ma		1.1 µA @ 3.5 V						6.8 v	6.6欧姆
flz3v6a	1.0000	RFQ	9916	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500			1.2 V @ 200 ma		2.8 µA @ 1 V						3.6 v	48欧姆
KBL005	1.0000	RFQ	9950	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准		KBL	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	200			1.1 V @ 4 A		5 µA @ 50 V		4 a		单相	50 V
KBP08M	-	RFQ	7543	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准		kbpm	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30			1 V @ 1 A		5 µA @ 800 V		1.5 a		单相	800 v
1N4738A_NL	0.0400	RFQ	5216	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,970					10 µA @ 6 V						8.2 v	4.5欧姆
BZX85C3V6	0.0300	RFQ	88	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C3		1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		20 µA @ 1 V						3.6 v	20欧姆
1N5404	-	RFQ	5611	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	1N5404	标准		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.2 V @ 3 A	1.5 µs	500 NA @ 400 V	-50°C〜175°C	3a	-
1n962btr	0.0200	RFQ	4297	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	11,995					5 µA @ 8.4 V						11 V	9.5欧姆
BZX85C6V2	0.0300	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 3 V						6.2 v	4欧姆
MM5Z68V	0.0200	RFQ	141	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F	MM5Z6		200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000					50 NA @ 47.6 V						68 v	240欧姆
BZX85C51	0.0200	RFQ	41	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 na @ 36 V						51 v	115欧姆
BZX85C10TR5K	0.0200	RFQ	80	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	5,000
BZX84C6V8	0.0200	RFQ	49	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C6		250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V						6.8 v	15欧姆
BZX79C20	0.0200	RFQ	139	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79C20		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 100 ma		50 na @ 14 V						20 v	55欧姆
MM5Z3V0	1.0000	RFQ	6267	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6.67％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000					10 µA @ 1 V						3 V	100欧姆
MMSZ5249B	-	RFQ	2046	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V						19 v	23欧姆
1N5821	0.2000	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	1N58	肖特基		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,603	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	900 MV @ 9.4 A		2 ma @ 30 V	-50°C〜150°C	3a	-
BZX85C18-T50R	0.0300	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 12.5 V						18 V	20欧姆
MM5Z9V1	0.0200	RFQ	58	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F	MM5Z9		200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000					200 na @ 7 V						9.1 v	15欧姆
MMBZ5243B	0.0200	RFQ	171	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			900 mv @ 10 ma		500 NA @ 9.9 V						13 V	13欧姆
BZX85C24-T50R	0.0300	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 17 V						24 V	25欧姆
RHRG5060-F085	-	RFQ	4183	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2	RHRG5060	标准		TO-247-2	-	不适用	3（168））		2156-RHRG5060-F085	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	2.1 V @ 50 A	60 ns	250 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	50a	-
MMSZ5256B	0.0200	RFQ	838	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			900 mv @ 10 ma		100 na @ 23 V						30 V	49欧姆
MMSZ5233B	0.0200	RFQ	182	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3.5 V						6 V	11欧姆
MMSZ5237B	0.0200	RFQ	132	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6.5 V						8.2 v	6欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²