RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1n914btr	0.0300	RFQ	186	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载					Ear99	8541.10.0070	11,539	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		1 V @ 100 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
FFP20UP20DNTU	0.4200	RFQ	8	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	10a	1.15 V @ 10 A	45 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
BZX85C13	0.0300	RFQ	89	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	10,230					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 9.1 V						13 V	10欧姆
1N458ATR	0.0300	RFQ	278	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	11,539	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		150 v		1 V @ 100 ma		25 µA @ 125 V	175°c （最大）	500mA	-
BZX84C33	-	RFQ	4290	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		50 NA @ 23.1 V						33 V	80欧姆
FLZ36VC	0.0200	RFQ	9474	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	4,513					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 27 V						34.3 v	63欧姆
MM3Z16VC	-	RFQ	1740年	Fairchild半导体	c	大部分	积极的	±5％	150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MM3Z16VC-600039			1					1 V @ 10 mA		45 NA @ 11.2 V						16 V	37欧姆
1N960B	1.8400	RFQ	49	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163							25 µA @ 6.9 V						9.1 v	7.5欧姆
FMKA140	0.3700	RFQ	62	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	do-214ac，SMA		肖特基		DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		600 mV @ 1 A		1 mA @ 40 V	-65°C〜125°C	1a	-
1N916A	1.0000	RFQ	1634年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N916	标准		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		1 V @ 20 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
S1D	1.0000	RFQ	8487	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		标准		do-214ac，SMA	下载					Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.1 V @ 1 A	1.5 µs	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	1a	-
1N5986B	1.8400	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V						2.7 v	100欧姆
1N5989B	1.8400	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		15 µA @ 1 V						3.6 v	90欧姆
KBP10M	0.2400	RFQ	2136	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜165°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbpm		标准		kbpm	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	404					1 V @ 1 A		5 µA @ 1 V		1.5 a		单相	1 kV
flz13vc	0.0200	RFQ	7129	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	8,515					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 10 V						13.3 v	11.4欧姆
FDLL300	0.2900	RFQ	436	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		标准		SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	2,500	小信号= <200ma（io（io），任何速度		125 v		1 V @ 200 MA		1 NA @ 125 V	175°c （最大）	200mA	6pf @ 0v，1MHz
MM3Z2V4C	0.0300	RFQ	106	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	8,663					1 V @ 10 mA		45 µA @ 1 V						2.4 v	94欧姆
ES1D-F080	-	RFQ	2274	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-ES1D-F080-600039			1
RB751S40	-	RFQ	1295	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523F	RB751	肖特基		SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		40 V		370 mv @ 1 mA		500 NA @ 10 V	-55°C〜125°C	30mA	-
1N4938	2.9200	RFQ	57	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	112	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1 V @ 100 ma	50 ns	100 na @ 75 V	175°c （最大）	500mA	5pf @ 0v，1MHz
flz22vb	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	15,000					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 17 V						21.2 v	25.6欧姆
FLZ12VA	0.0200	RFQ	53	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 9 V						11.4 v	9.5欧姆
1N5234CTR	0.0200	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V						6.2 v	7欧姆
BZX85C22	0.0300	RFQ	41	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C22		1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 16 V						22 v	25欧姆
MM3Z8V2C	0.0300	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	8,586					1 V @ 10 mA		630 na @ 5 V						8.2 v	14欧姆
BZX84C30	-	RFQ	5468	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84C30		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		100 na @ 21 V						30 V	80欧姆
FLZ30VA	0.0200	RFQ	36	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 23 V						27.7 v	46欧姆
1N5224B	2.4100	RFQ	99	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5224		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	125					900 mv @ 200 ma		50 µA @ 1 V						2.8 v	30欧姆
1N4372A	2.7500	RFQ	60	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	110					1.5 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V						3 V	29欧姆
S3AB	0.1400	RFQ	3273	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		标准		DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		50 V		1.15 V @ 3 A	1.5 µs	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²