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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDH333_NL | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 125 v | 1.05 V @ 200 ma | 3 na @ 125 V | 175°c (最大) | 200mA | 6pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||
![]() | es1g | 1.0000 | ![]() | 1761年 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||
![]() | BAS20 | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS20 | 标准 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 150 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 NA @ 150 V | -55°C〜150°C | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | |||||||||||
MMSZ4702 | 0.0300 | ![]() | 4562 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-MMSZ4702-600039 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 11.4 V | 15 v | ||||||||||||||||
![]() | SS33 | 0.2200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 肖特基 | SMC(do-214ab) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,350 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||||
![]() | EGP20A | 0.2200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 标准 | do-15 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-EGP20A-600039 | 1,348 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 950 mv @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 2a | 70pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||
![]() | BZX84C8V2 | 0.0200 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C8 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 700 na @ 5 V | 8.2 v | 15欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1n914tr | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | do-35 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 11,539 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||
![]() | BZX84C5V6-FS | 0.0200 | ![]() | 3013 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C5 | 250兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,003 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 10欧姆 | |||||||||||||
![]() | BZX84C5V1 | - | ![]() | 5914 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C5 | 300兆 | SOT23-3(TO-236) | - | 0000.00.0000 | 1 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | ||||||||||||||||||
![]() | MBRS130 | - | ![]() | 4855 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | SMB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 929 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 550 mv @ 1 a | 1 ma @ 30 V | -65°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||
MMSZ5257B | 1.0000 | ![]() | 5408 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | SOD-123 | MMSZ52 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 25 V | 5.1 v | 41欧姆 | ||||||||||||||
![]() | kbu6d | 0.5400 | ![]() | 5011 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 425 | 1 V @ 6 A | 10 µA @ 200 V | 6 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||||||
![]() | 1N458A | 2.0000 | ![]() | 292 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,535 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 150 v | 1 V @ 100 ma | 25 µA @ 125 V | 175°c (最大) | 500mA | - | ||||||||||||||||
![]() | 1N6011b | 1.8400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 ma | 100 na @ 23 V | 30 V | 78欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | flz6v2b | 0.0200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 ma | 3.3 µA @ 3 V | 6.1 v | 8.5欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | 1n914btr | 0.0300 | ![]() | 186 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | do-35 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 11,539 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1 V @ 100 ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||
![]() | BZX84C3V3 | 0.0200 | ![]() | 9022 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C3 | 250兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 9,160 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N970B | 1.8400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 33欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | FFB05U120STM | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | D2PAK(TO-263) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 3.5 V @ 5 A | 100 ns | 5 µA @ 1200 V | -65°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||||||
![]() | GF1G | - | ![]() | 4274 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||
![]() | FLZ36VC | 0.0200 | ![]() | 9474 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,513 | 1.2 V @ 200 ma | 133 na @ 27 V | 34.3 v | 63欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | In5258b | - | ![]() | 6015 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | 通过洞 | 轴向 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C13 | 0.0300 | ![]() | 89 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±6% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,230 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 9.1 V | 13 V | 10欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | BZX84C33 | - | ![]() | 4290 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 23.1 V | 33 V | 80欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N4148_NL | 0.0200 | ![]() | 136 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4148 | 标准 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | |||||||||||
![]() | MM3Z16VC | - | ![]() | 1740年 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | c | 大部分 | 积极的 | ±5% | 150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 200兆 | SOD-323F | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-MM3Z16VC-600039 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 11.2 V | 16 V | 37欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | 1N458ATR | 0.0300 | ![]() | 278 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 11,539 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 150 v | 1 V @ 100 ma | 25 µA @ 125 V | 175°c (最大) | 500mA | - | ||||||||||||||||
![]() | FFP20UP20DNTU | 0.4200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 1.15 V @ 10 A | 45 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | KA33VTA | 0.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±6% | -20°C〜75°C | 通过洞 | TO-226-2,TO-92-2 to-226ac) | KA33 | 200兆 | TO-92-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 33 V | 25欧姆 |
每日平均RFQ量
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