RFQ
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二极管（（545）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZX84-C13,235	0.0200	RFQ	80	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C13,235-954	Ear99	8541.10.0050	1				900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				13 V	30欧姆
BZV55-C43,115	0.0200	RFQ	262	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C43,115-954	Ear99	8541.10.0070	1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 30.1 V				43 V	150欧姆
PMEG1020EJ，115	-	RFQ	8548	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-90，SOD-323F		肖特基		SOD-323F	下载			到达不受影响	2156-PMEG1020EJ，115-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	10 v	460 mv @ 2 a		3 ma @ 10 V	150°C （最大）	2a	50pf @ 5V，1MHz
BZX79-B5V1,133	0.0200	RFQ	139	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B5V1,133-954			1				900 mv @ 10 ma		2 µA @ 2 V				5.1 v	60欧姆
BZX84J-B62,115	0.0300	RFQ	59	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			550兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84J-B62,115-954			1				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 43.4 V				62 v	140欧姆
BAT54W，115	0.0200	RFQ	82	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAT54	肖特基		SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAT54W，115-954			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度	30 V	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）	200mA	10pf @ 1V，1MHz
BZX79-C18,113	0.0200	RFQ	470	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C18,113-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 12.6 V				18 V	45欧姆
BAS16W，115	0.0200	RFQ	836	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，BAS16	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAS16	标准		SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS16W，115-954			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度	100 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	-65°C〜150°C	175ma	1.5pf @ 0v，1MHz
BZX84-A43,215	0.1100	RFQ	95	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±1％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-A43,215-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 30.1 V				43 V	150欧姆
BZV85-C3V6,113	0.0300	RFQ	15	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C3V6,113-954			1				1 V @ 50 mA		50 µA @ 1 V				3.6 v	15欧姆
BZX84-B3V3,215	1.0000	RFQ	1891年	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-B3V3,215-954			1				900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	95欧姆
BZB984-C6V8,115	0.0400	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOT-663			265兆	SOT-663	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB984-C6V8,115-954			1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V				6.8 v	6欧姆
BZV55-C3V6,115	0.0200	RFQ	132	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C3V6,115-954			1				900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V				3.6 v	90欧姆
1N4734A，113	0.0400	RFQ	135	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4734A，113-954			8,435
PZU27B，115	0.0300	RFQ	1401	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU27B，115-954	Ear99	8541.10.0050	30				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 21 V				27 V	40欧姆
TDZ13J，115	-	RFQ	3114	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，TDZXJ	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	TDZ13		500兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-TDZ13J，115-954			1				1.1 V @ 100 mA		100 na @ 8 V				13 V	10欧姆
BAS56,215	0.0300	RFQ	6825	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS56,215-954	Ear99	8541.10.0070	3,780
TDZ16J，115	-	RFQ	4263	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，TDZXJ	大部分	积极的	±1.88％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F			500兆	SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-TDZ16J，115-954			1				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 11.2 V				16 V	20欧姆
BZX84J-C24,115	0.0300	RFQ	68	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			550兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84J-C24,115-954			11,823				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 16.8 V				24 V	30欧姆
BZX884-B2V4,315	-	RFQ	7880	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-B2V4,315-954			1				900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V				2.4 v	100欧姆
PMEG2010BELD，315	0.0500	RFQ	270	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-882		肖特基		DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG2010BELD，315-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	490 mv @ 1 A	1.6 ns	200 µA @ 20 V	150°C （最大）	1a	40pf @ 1V，1MHz
BZV55-C18,115	0.0200	RFQ	25	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C18,115-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 12.6 V				18 V	45欧姆
PZU7.5B3,115	0.0300	RFQ	33	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU7.5B3,115-954			1				1.1 V @ 100 mA		500 na @ 4 V				7.5 v	10欧姆
PZU4.7B2L，315	-	RFQ	5218	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882	PZU4.7		250兆	DFN1006-2	下载						0000.00.0000	1				1.1 V @ 100 mA		2 µA @ 1 V				4.7 v	80欧姆
PMEG150G20ELPX	-	RFQ	3493	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-128		标准		SOD-128/CFP5	-				2156-PMEG150G20ELPX			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	850 mv @ 2 a	14 ns	30 NA @ 150 V	175°C	2a	70pf @ 1V，1MHz
BZX384-C43,115	0.0200	RFQ	225	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	BZX384		300兆	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX384-C43,115-954			1				1.1 V @ 100 mA		5 na @ 30.1 V				43 V	150欧姆
NZX6V2A，133	0.0200	RFQ	218	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX6V2A，133-954			1				1.5 V @ 200 ma		3 µA @ 4 V				6.2 v	15欧姆
BZX79-B3V6,113	0.0200	RFQ	200	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B3V6,113-954			1				900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V				3.6 v	90欧姆
BZX84-C6V2,235	0.0200	RFQ	120	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C6V2,235-954			1				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V				6.2 v	10欧姆
BZT52H-B2V4,115	0.0200	RFQ	19	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-B2V4,115-954			1				900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V				2.4 v	85欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（545）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²