RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（545）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZV55-B27,115	0.0200	RFQ	125	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B27,115-954			1				900 mv @ 10 ma		50 na @ 18.9 V				27 V	80欧姆
BZT52H-B22,115	-	RFQ	7615	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-B22,115-954	Ear99	8541.10.0050	1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 15.4 V				22 v	25欧姆
BZX84-C68,215	0.0200	RFQ	104	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C68,215-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 47.6 V				68 v	240欧姆
NZX16C，133	0.0200	RFQ	26	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX16C，133-954			1				1.5 V @ 200 ma		50 NA @ 11.2 V				16 V	45欧姆
BZV85-C4V3,113	0.0300	RFQ	30	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C4V3,113-954			1				1 V @ 50 mA		5 µA @ 1 V				4.3 v	13欧姆
BZV55-B5V1,115	0.0200	RFQ	115	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B5V1,115-954			1				900 mv @ 10 ma		2 µA @ 2 V				5.1 v	60欧姆
BZB784-C3V6,115	1.0000	RFQ	3948	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SC-70，SOT-323	BZB784-C3V6		180兆	SOT-323	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V				3.6 v	90欧姆
BZX79-B10,133	0.0200	RFQ	105	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B10,133-954			1				900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V				10 v	20欧姆
BZV55-B4V7,115	-	RFQ	9228	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载						0000.00.0000	1				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 2 V				4.7 v	80欧姆
BZB84-C15,215	1.0000	RFQ	6356	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB84-C15,215-954	Ear99	8541.10.0050	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 10.5 V				15 v	30欧姆
pzu9.1bl，315	0.0300	RFQ	92	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU9.1BL，315-954			1				1.1 V @ 100 mA		500 na @ 6 V				9.1 v	10欧姆
BZX884-B5V1,315	0.0300	RFQ	81	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-B5V1,315-954	Ear99	8541.10.0070	1				900 mv @ 10 ma		2 µA @ 2 V				5.1 v	60欧姆
PZU7.5B3A，115	-	RFQ	9829	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323			320兆W	SOD-323	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU7.5B3A，115-954			1				1.1 V @ 100 mA		500 na @ 4 V				7.5 v	10欧姆
BAS32L，135	0.0200	RFQ	635	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		标准		llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS32L，135-954			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1 V @ 100 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	200°C （最大）	200mA	2pf @ 0v，1MHz
BZV55-B3V9,115	0.0200	RFQ	81	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B3V9,115-954	Ear99	8541.10.0070	1				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V				3.9 v	90欧姆
1N4737A，133	-	RFQ	5624	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4737		1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
NZX20B，133	-	RFQ	3245	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	NZX20		500兆	Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 200 ma		50 na @ 14 V				20 v	60欧姆
BZX84J-C47,115	-	RFQ	9645	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			550兆	SOD-323F	下载						0000.00.0000	1				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 32.9 V				47 V	90欧姆
BZX84-C15/CH，235	0.0200	RFQ	100	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.10.0050	1
BZB84-C2V7,215	-	RFQ	4810	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZB84-C2V7		300兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		20 µA @ 1 V				2.7 v	100欧姆
BZX79-C36143	0.0200	RFQ	90	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.10.0050	1
BZV90-C10,115	0.1700	RFQ	4	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.5 w	SOT-223	下载					Ear99	8541.10.0050	1,745				1 V @ 50 mA		200 na @ 7 V				10 v	20欧姆
PZU4.3B，115	0.0300	RFQ	21	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU4.3B，115-954			1				1.1 V @ 100 mA		3 µA @ 1 V				4.3 v	90欧姆
BZT52H-C22,115	0.0200	RFQ	60	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C22,115-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 15.4 V				22 v	25欧姆
BZX84J-B51,115	-	RFQ	1651年	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			550兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84J-B51,115-954			1				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 35.7 V				51 v	110欧姆
BZT52H-C68,115	0.0200	RFQ	181	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C68,115-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 47.6 V				68 v	160欧姆
BZB84-B30,215	0.0300	RFQ	80	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB84-B30,215-954			11,823	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 21 V				30 V	80欧姆
BZX84-C3V6,215	0.0200	RFQ	554	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C3V6,215-954			1				900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V				3.6 v	90欧姆
BZX79-C3V3,133	0.0200	RFQ	170	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C3V3,133-954		0000.00.0000	1				900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	95欧姆
BLC6G27LS-100,118	563.3800	RFQ	100	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BLC6G27LS-100,118-954			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（545）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²