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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZV55-C24,115 | 0.0200 | ![]() | 173 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-C24,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 700 mV | 24 V | 70欧姆 | ||||||||||||||
![]() | BZX79-B27,143 | 0.0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-B27,143-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80欧姆 | ||||||||||||||
![]() | BZX84-A4V3,215 | 0.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-A4V3,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90欧姆 | ||||||||||||||
![]() | BZX884-B10,315 | 0.0300 | ![]() | 322 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-882 | 250兆 | DFN1006-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX884-B10,315-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 200 na @ 7 V | 10 v | 10欧姆 | ||||||||||||||
![]() | BZX79-C2V4,113 | 0.0200 | ![]() | 317 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C2V4,113-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100欧姆 | ||||||||||||
![]() | PZU13B2A,115 | 1.0000 | ![]() | 1332 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 320兆W | SOD-323 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 100 na @ 10 V | 13 V | 10欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B62,115 | - | ![]() | 3303 | 0.00000000 | NXP半导体 | BZT52H | 大部分 | 积极的 | ±1.94% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | 375兆 | SOD-123F | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-BZT52H-B62,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 43.4 V | 62 v | 140欧姆 | ||||||||||||||
PMEG2005EGWX | - | ![]() | 5456 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMEG2005EGWX-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 390 mv @ 500 mA | 200 µA @ 20 V | 150°C (最大) | 500mA | 66pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||
![]() | BZV85-C27,113 | 0.0400 | ![]() | 184 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV85-C27,113-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 50 na @ 19 V | 27 V | 40欧姆 | ||||||||||||||
![]() | MMBD4148,215 | - | ![]() | 6158 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-MMBD4148,215-954 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 75 V | 150°C (最大) | 215ma | 1.5pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX79-C27,113 | 0.0200 | ![]() | 520 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C27,113-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80欧姆 | ||||||||||||
BAS116GWJ | 1.0000 | ![]() | 6893 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | 标准 | SOD-123 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BAS116GWJ-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 75 v | 1.25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 na @ 75 V | 150°C (最大) | 215ma | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||||||
![]() | BZX79-C24,113 | 0.0200 | ![]() | 350 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C24,113-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 16.8 V | 24 V | 70欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1PS70SB40,115 | 0.0300 | ![]() | 779 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 肖特基 | SOT-323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-1PS70SB40,115-954 | 10,051 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 40 mA | 10 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 120mA | 5pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||
![]() | BAS70-04W,115 | - | ![]() | 9472 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 肖特基 | SC-70 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-BAS70-04W,115-954 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 70 v | 70mA | 1 V @ 15 ma | 10 µA @ 70 V | 150°C | |||||||||||||
![]() | PMEG3020CEP,115 | 0.0900 | ![]() | 386 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | 肖特基 | SOD-128/CFP5 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMEG3020CEP,115-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 420 mv @ 2 a | 1.5 ma @ 30 V | 150°C (最大) | 2a | 170pf @ 1V,1MHz | |||||||||||
![]() | PMEG6010ESBYL | 0.0400 | ![]() | 200 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 2-XDFN | PMEG6010 | 肖特基 | DSN1006-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMEG6010ESBYL-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,126 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 730 MV @ 1 A | 2.4 ns | 30 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 1a | 20pf @ 10V,1MHz | |||||||||
![]() | PMEG045V050EPDZ | 0.1700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | CFP15 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMEG045V050EPDZ-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 490 mv @ 5 a | 19 ns | 300 µA @ 45 V | 175°c (最大) | 5a | 580pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | PZU22B1,115 | - | ![]() | 2294 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 310 MW | SC-90 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-PZU22B1,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 50 na @ 17 V | 22 v | 20欧姆 | ||||||||||||||
![]() | PMEG4020EP,115 | 0.0900 | ![]() | 21 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | 肖特基 | SOD-128/CFP5 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMEG4020EP,115-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 490 mv @ 2 a | 100 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 2a | 95pf @ 10V,1MHz | |||||||||||
![]() | BZX84-C2V7,215 | 0.0200 | ![]() | 48 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-C2V7,215-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100欧姆 | |||||||||||||
![]() | BYC20X-600P127 | 0.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BYC20X-600P127-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | pzu2.4bl,315 | - | ![]() | 6739 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-882 | 250兆 | DFN1006-2 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-PZU2.4BL,315-954 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100欧姆 | ||||||||||||||
![]() | PMEG2015EH,115 | 0.0500 | ![]() | 94 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMEG2015EH,115-954 | 5,912 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 660 mv @ 1.5 A | 70 µA @ 20 V | 150°C (最大) | 1.5a | 50pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX84-C2V4,215 | 0.0200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-C2V4,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100欧姆 | ||||||||||||||
![]() | BZX79-C22,143 | 0.0200 | ![]() | 75 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C22,143-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 700 mV | 22 v | 55欧姆 | ||||||||||||
![]() | PZU6.8B2L,315 | - | ![]() | 5372 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-882 | PZU6.8 | 250兆 | DFN1006-2 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 500 NA @ 3.5 V | 6.8 v | 20欧姆 | |||||||||||||||
![]() | PMEG3005AESF,315 | - | ![]() | 9404 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | PMEG3005 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT74,115 | 1.0000 | ![]() | 2777 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | BAT74 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BAT74S,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C13,235 | 0.0200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-C13,235-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 30欧姆 |
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