RFQ
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二极管（（545）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BZX79-C2V4,113	0.0200	RFQ	317	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C2V4,113-954	Ear99	8541.10.0070	1			900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V						2.4 v	100欧姆
1PS70SB40,115	0.0300	RFQ	779	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		肖特基		SOT-323	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-1PS70SB40,115-954			10,051	小信号= <200ma（io（io），任何速度	40 V	1 V @ 40 mA		10 µA @ 40 V	150°C （最大）	120mA	5pf @ 0v，1MHz
BZV55-C33,115	0.0200	RFQ	304	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C33,115-954			1			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 23.1 V						33 V	80欧姆
BZV85-C27,113	0.0400	RFQ	184	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C27,113-954			1			1 V @ 50 mA		50 na @ 19 V						27 V	40欧姆
BZV85-C16,113	0.0300	RFQ	28	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C16,113-954			1			1 V @ 50 mA		50 na @ 11 V						16 V	15欧姆
BZV55-C24,115	0.0200	RFQ	173	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C24,115-954			1			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 700 mV						24 V	70欧姆
BZX79-B27,143	0.0200	RFQ	40	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B27,143-954			1			900 mv @ 10 ma		50 na @ 18.9 V						27 V	80欧姆
BZX884-B68,315	0.0300	RFQ	30	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-B68,315-954	Ear99	8541.10.0070	1			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 47.6 V						68 v	240欧姆
BZX884-B11,315	0.0300	RFQ	70	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-B11,315-954			1			900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V						11 V	10欧姆
BZX585-C11,115	-	RFQ	8989	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-C11,115-954			1			1.1 V @ 100 mA		100 µA @ 8 V						11 V	10欧姆
BZV85-C13,113	0.0400	RFQ	122	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C13,113-954			1			1 V @ 50 mA		200 NA @ 9.1 V						13 V	10欧姆
BZV55-B2V7,115	-	RFQ	7094	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B2V7,115-954	Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		20 µA @ 1 V						2.7 v	100欧姆
BZV85-C27,133	0.0400	RFQ	101	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C27,133-954			1			1 V @ 50 mA		50 na @ 19 V						27 V	40欧姆
PMBD914,215	0.0200	RFQ	191	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBD914	标准		TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBD914,215-954			1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）	215ma	1.5pf @ 0v，1MHz
TDZ4V7J，115	-	RFQ	1229	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，TDZXJ	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	TDZ4V7		500兆	SOD-323F	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-TDZ4V7J，115-954			1			1.1 V @ 100 mA		3 µA @ 2 V						4.7 v	80欧姆
NZH16C，115	0.0200	RFQ	204	NXP半导体	-	大部分	积极的	±3％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F			500兆	SOD-123F	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZH16C，115-954			1			900 mv @ 10 ma		40 na @ 12 V						16 V	18欧姆
BZV55-B11,115	0.0200	RFQ	63	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		到达不受影响	2156-BZV55-B11,115-954			1			900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V						11 V	20欧姆
PZU8.2BL，315	0.0300	RFQ	11	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU8.2BL，315-954	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 100 mA		500 na @ 5 v						8.2 v	10欧姆
BZT52H-C20,115	0.0200	RFQ	129	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C20,115-954			1			900 mv @ 10 ma		50 na @ 14 V						20 v	20欧姆
BZV55-B36,115	0.0200	RFQ	772	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B36,115-954			1			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 700 mV						36 V	90欧姆
BZX79-C22,113	-	RFQ	8054	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C22,113-954			1			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 700 mV						22 v	55欧姆
BZV85-C3V9,113	0.0300	RFQ	75	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C3V9,113-954			1			1 V @ 50 mA		10 µA @ 1 V						3.9 v	15欧姆
PLVA659A，215	0.0500	RFQ	38	NXP半导体	-	大部分	积极的	±3％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PLVA659		250兆	TO-236AB	-	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PLVA659A，215-954			6,397			900 mv @ 10 ma		1 µA @ 5.3 V						5.9 v	100欧姆
BZT52H-C7V5,115	0.0200	RFQ	24	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C7V5,115-954			1			900 mv @ 10 ma		1 µA @ 5 V						7.5 v	10欧姆
NZX22C，133	0.0200	RFQ	84	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	Alf2	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX22C，133-954			1			1.5 V @ 200 ma		50 NA @ 15.4 V						22 v	65欧姆
PZU20B1A，115	0.0300	RFQ	26	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323			320兆W	SOD-323	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU20B1A，115-954			1			1.1 V @ 100 mA		50 na @ 15 V						20 v	20欧姆
PMEG45U10EPDAZ	0.2600	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn		肖特基		CFP15	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG45U10EPDAZ-954	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	490 mv @ 10 a	16 ns	20 ma @ 10 V	-55°C〜150°C	10a	1170pf @ 1V，1MHz
BB208-02,135	-	RFQ	2082	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523				SOD-523	-			2156-BB208-02,135			1								5.4pf @ 7.5V，1MHz	单身的	10 v			5.2	C1/C7.5	-
PMEG4005 ESFYL	-	RFQ	2590	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	0201（0603公制）		肖特基		DSN0603-2	-			2156-PMEG4005ESFYL			1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	880 mv @ 500 mA	1.28 ns	6.5 µA @ 40 V	150°C	500mA	17pf @ 1V，1MHz
BB181,135	-	RFQ	7708	NXP半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523				SOD-523	-			2156-BB181,135			1								1.055pf @ 28V，1MHz	单身的	30 V			14	C0.5/C28	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（545）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²