RFQ
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二极管（（545）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZV55-C24,135	0.0200	RFQ	220	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C24,135-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 700 mV				24 V	70欧姆
PZU11B3,115	0.0300	RFQ	12	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU11B3,115-954	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 100 mA		100 na @ 8 V				11 V	10欧姆
BZX79-B4V3,113	0.0200	RFQ	140	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B4V3,113-954			1				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V				4.3 v	90欧姆
PZU22B2,115	0.0300	RFQ	32	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU22B2,115-954			1				1.1 V @ 100 mA		50 na @ 17 V				22 v	25欧姆
BZX79-B15143	-	RFQ	2053	NXP半导体	BZX79	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX79-B15143-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 10.5 V				15 v	30欧姆
PMEG4002AESFYL	0.0400	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	0201（0603公制）		肖特基		DSN0603-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG4002AESFYL-954	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度	40 V	525 mv @ 200 ma	1.25 ns	80 µA @ 40 V	150°C （最大）	200mA	18pf @ 1V，1MHz
BAS16,235	0.0200	RFQ	2	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，BAS16	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS16	标准		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS16,235-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）	215ma	1.5pf @ 0v，1MHz
1N4531133	-	RFQ	9164	NXP半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204Ag，do-34，轴向		标准		do-34	下载					Ear99	8541.10.0070	1			75 v	1 V @ 10 mA	4 ns	25 na @ 20 V	200°C （最大）		4pf @ 0v，1MHz
BZT52H-C6V8,115	0.0200	RFQ	150	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C6V8,115-954			1				900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V				6.8 v	8欧姆
BAS16GW115	1.0000	RFQ	6834	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAS16				下载					Ear99	8541.10.0070	1
BZX884-C6V2,315	-	RFQ	5365	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX884-C6V2,315-954			1				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V				6.2 v	10欧姆
BAS16,215	-	RFQ	3763	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，BAS16	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS16	标准		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS16,215-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）	215ma	1.5pf @ 0v，1MHz
BAV102,115	0.0300	RFQ	52	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		标准		llds;最小	下载			到达不受影响	2156-BAV102,115-954			11,357		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 NA @ 150 V	175°c （最大）	250mA	5pf @ 0v，1MHz
BZV85-C18,113	0.0400	RFQ	23	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C18,113-954			1				1 V @ 50 mA		50 NA @ 12.5 V				18 V	20欧姆
BAS321115	1.0000	RFQ	1886年	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.10.0070	1
PMEG6010CEH，115	-	RFQ	6591	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-123F	PMEG6010	肖特基		SOD-123F	-		供应商不确定	供应商不确定	2156-PMEG6010CEH，115-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	60 V	660 mv @ 1 a		50 µA @ 60 V	150°C （最大）	1a	68pf @ 1V，1MHz
BAW56W135	-	RFQ	7176	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAW56W				下载						0000.00.0000	1
BAV99/8,215	-	RFQ	9213	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAV99				下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BAV99/8,215-954			1
BAW56W，135	0.0200	RFQ	210	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAW56				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAW56W，135-954	Ear99	8541.10.0070	1
1PS70SB14,115	0.0300	RFQ	297	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1PS70SB14,115-954			10,051
BZV90-C51,115	-	RFQ	8346	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.5 w	SOT-223	下载					Ear99	8541.10.0050	1				1 V @ 50 mA		50 NA @ 35.7 V				51 v	180欧姆
BZX79-B5V6,113	0.0200	RFQ	281	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B5V6,113-954			1				900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V				5.6 v	40欧姆
BZX585-C24,115	0.0300	RFQ	251	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-C24,115-954			10,764				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 16.8 V				24 V	70欧姆
BAW56SRAZ	0.0300	RFQ	6639	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAW56				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAW56SRAZ-954	Ear99	8541.10.0070	1
BZX79-C36,113	0.0200	RFQ	209	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C36,113-954	Ear99	8541.10.0070	1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 25.2 V				36 V	90欧姆
BZX79-B12143	-	RFQ	4369	NXP半导体	BZX79	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX79-B12143-954			1				900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				12 v	25欧姆
1PS79SB31,115	-	RFQ	5059	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523		肖特基		SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1PS79SB31,115-954	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度	30 V	500 mV @ 200 ma		30 µA @ 10 V	125°c （最大）	200mA	25pf @ 1V，1MHz
BZB984-C2V4,115	1.0000	RFQ	2756	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOT-663	BZB984-C2V4		265兆	SOT-663	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V				2.4 v	70欧姆
BZX79-C15,133	0.0200	RFQ	244	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C15,133-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 10.5 V				15 v	30欧姆
BZX585-B20,115	-	RFQ	2164	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B20,115-954	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 700 mV				20 v	55欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（545）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²