RFQ
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二极管（（545）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BZX585-C62,115	0.0300	RFQ	96	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-C62,115-954			10,764				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 43.4 V						62 v	215欧姆
BZX84-C27,215	-	RFQ	2500	NXP半导体	BZX84	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX84-C27,215-954			1				900 mv @ 10 ma		50 na @ 18.9 V						27 V	80欧姆
BB131,115	0.1000	RFQ	12	NXP半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323				SOD-323	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BB131,115	Ear99	8541.10.0070	1									1.055pf @ 28V，1MHz	单身的	30 V			16	C0.5/C28	-
BZX585-B51,115	0.0300	RFQ	104	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B51,115-954			9,366				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 35.7 V						51 v	180欧姆
BZV55-B6V8,115	0.0200	RFQ	67	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B6V8,115-954			1				900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V						6.8 v	15欧姆
BZT52H-B3V6,115	0.0200	RFQ	2584	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-B3V6,115-954			4,000				900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V						3.6 v	95欧姆
BAT54VV，115	-	RFQ	5705	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAT54				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAT54VV，115-954			1
BZX79-C5V6,143	-	RFQ	5295	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79-C5V6		400兆	Alf2	下载						0000.00.0000	1				900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V						5.6 v	40欧姆
PZU15B3A，115	-	RFQ	5452	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323			320兆W	SOD-323	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU15B3A，115-954			1				1.1 V @ 100 mA		50 na @ 11 V						15 v	15欧姆
NZX9V1C，133	-	RFQ	5504	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX9V1C，133-954			1				1.5 V @ 200 ma		500 na @ 6 V						9.1 v	20欧姆
NZH10C，115	0.0200	RFQ	30	NXP半导体	-	大部分	积极的	±3％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F			500兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZH10C，115-954			1				900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V						10 v	8欧姆
BZX84J-C68,115	0.0300	RFQ	30	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			550兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84J-C68,115-954			11,823				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 47.6 V						68 v	160欧姆
BZX79-B75,133	0.0200	RFQ	74	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B75,133-954			1				900 mv @ 10 ma		50 na @ 52.5 V						75 v	255欧姆
BZV85-C62,113	0.0400	RFQ	55	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C62,113-954			1				1 V @ 50 mA		50 NA @ 43 V						62 v	175欧姆
BZX79-C2V4,133	0.0200	RFQ	339	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C2V4,133-954			1				900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V						2.4 v	100欧姆
BZB84-C68,215	1.0000	RFQ	6985	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZB84-C68		300兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 47.6 V						68 v	240欧姆
BAS16J，115	-	RFQ	5125	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，BAS16	大部分	积极的			表面安装	SC-90，SOD-323F	BAS16	标准		SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS16J，115-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）	250mA	1.5pf @ 0v，1MHz
BZX84-A3V9,215	0.1000	RFQ	6867	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±1％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-A3V9,215-954			1,304				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V						3.9 v	90欧姆
BZV85-C12,113	0.0400	RFQ	19	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C12,113-954			1				1 V @ 50 mA		200 NA @ 8.4 V						12 v	10欧姆
NZH6V8B，115	0.0200	RFQ	245	NXP半导体	-	大部分	积极的	±3％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F			500兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZH6V8B，115-954			1				900 mv @ 10 ma		2 µA @ 3.5 V						6.8 v	8欧姆
BAT46WH，115	1.0000	RFQ	6908	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-123F		肖特基		SOD-123F	下载						0000.00.0000	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	850 mv @ 250 ma	5.9 ns	9 µA @ 100 V	150°C （最大）	250mA	39pf @ 0v，1MHz
BZV55-C24,135	0.0200	RFQ	220	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C24,135-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 700 mV						24 V	70欧姆
PZU11B3,115	0.0300	RFQ	12	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU11B3,115-954	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 100 mA		100 na @ 8 V						11 V	10欧姆
BZX79-B4V3,113	0.0200	RFQ	140	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B4V3,113-954			1				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V						4.3 v	90欧姆
PZU22B2,115	0.0300	RFQ	32	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU22B2,115-954			1				1.1 V @ 100 mA		50 na @ 17 V						22 v	25欧姆
BZX79-B15143	-	RFQ	2053	NXP半导体	BZX79	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX79-B15143-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 10.5 V						15 v	30欧姆
PMEG4002AESFYL	0.0400	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	0201（0603公制）		肖特基		DSN0603-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG4002AESFYL-954	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度	40 V	525 mv @ 200 ma	1.25 ns	80 µA @ 40 V	150°C （最大）	200mA	18pf @ 1V，1MHz
BAS16,235	0.0200	RFQ	2	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，BAS16	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS16	标准		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS16,235-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）	215ma	1.5pf @ 0v，1MHz
1N4531133	-	RFQ	9164	NXP半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204Ag，do-34，轴向		标准		do-34	下载					Ear99	8541.10.0070	1			75 v	1 V @ 10 mA	4 ns	25 na @ 20 V	200°C （最大）		4pf @ 0v，1MHz
BZT52H-C6V8,115	0.0200	RFQ	150	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C6V8,115-954			1				900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V						6.8 v	8欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（545）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²