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| 参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX84-A30,215 | - | ![]() | 3818 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 700 mV | 30 V | 80欧姆 | ||||||||||||
![]() | PZU9.1B2L,315 | 0.0300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-882 | 250兆 | DFN1006-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PZU9.1B2L,315-954 | 10,764 | 1.1 V @ 100 mA | 500 na @ 6 V | 9.1 v | 10欧姆 | ||||||||||
![]() | BZX884-C10,315 | 0.0300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-882 | 250兆 | DFN1006-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX884-C10,315-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 200 na @ 7 V | 10 v | 10欧姆 | ||||||||||
![]() | PMEG6030ETPX | - | ![]() | 2481 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | 肖特基 | SOD-128/CFP5 | - | 2156-PMEG6030ETPX | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 530 mv @ 3 a | 12 ns | 200 µA @ 60 V | 175°C | 3a | 360pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | PDZ3.9BGW,115 | 1.0000 | ![]() | 4316 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 |

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