RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（545）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZV49-C39,115	-	RFQ	7119	NXP半导体	BZV49	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1 w	SOT-89	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZV49-C39,115-954			1				1 V @ 50 mA		50 na @ 27.3 V				39 v	130欧姆
BZV55-B68,115	0.0200	RFQ	19	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B68,115-954	Ear99	8541.10.0070	1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 47.6 V				68 v	240欧姆
BZV85-C24,133	-	RFQ	7712	NXP半导体	BZV85	大部分	积极的	±5％	200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZV85-C24,133-954			1				1 V @ 50 mA		50 na @ 17 V				24 V	30欧姆
BZX884-C33,315	-	RFQ	8749	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-C33,315-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 23.1 V				33 V	80欧姆
BZX84-C24,215	0.0200	RFQ	469	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C24,215-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 16.8 V				24 V	70欧姆
BZV55-C3V0,135	0.0200	RFQ	50	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载			到达不受影响	2156-BZV55-C3V0,135-954			1				900 mv @ 10 ma		10 µA @ 1 V				3 V	95欧姆
BZV90-C30,115	1.0000	RFQ	9642	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BZV90-C30		1.5 w	SOT-223	下载						0000.00.0000	1				1 V @ 50 mA		50 NA @ 21 V				30 V	80欧姆
BZX884-C4V3,315	0.0300	RFQ	16	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-C4V3,315-954	Ear99	8541.10.0050	1				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V				4.3 v	90欧姆
PZU6.2B2L，315	1.0000	RFQ	3739	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882	PZU6.2		250兆	DFN1006-2	下载						0000.00.0000	1				1.1 V @ 100 mA		500 na @ 3 V				6.2 v	30欧姆
BAS40-05W，115	0.0300	RFQ	294	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAS40				-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS40-05W，115-954			1
BAV170,215	-	RFQ	7248	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAV170,215-954			1
BZX84-B13,215	0.0200	RFQ	248	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-B13,215-954			1				900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				13 V	30欧姆
NZH9V1B，115	0.0200	RFQ	198	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F			500兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZH9V1B，115-954	Ear99	8541.10.0070	1				900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V				9.1 v	8欧姆
BZX884-C6V8,315	-	RFQ	2645	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	-		供应商不确定	到达不受影响	2156-BZX884-C6V8,315-954		0000.00.0000	1				900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V				6.8 v	15欧姆
BZX79-C11,143	0.0200	RFQ	295	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C11,143-954			1				900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				11 V	20欧姆
BZX84-A16,215	0.1000	RFQ	4	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±1％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-A16,215-954	Ear99	8541.10.0050	1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 700 mV				16 V	40欧姆
NZX36A，133	0.0200	RFQ	109	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX36A，133-954			1				1.5 V @ 200 ma		50 NA @ 25.2 V				36 V	140欧姆
BZT52H-C47,115	-	RFQ	8661	NXP半导体	BZT52H	大部分	积极的	±6.38％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F			375兆	SOD-123F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZT52H-C47,115-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 32.9 V				47 V	90欧姆
PZU3.3B2L，315	0.0300	RFQ	148	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU3.3B2L，315-954	Ear99	8541.10.0050	10,764				1.1 V @ 100 mA		5 µA @ 1 V				3.3 v	95欧姆
BZV55-C6V8,135	0.0200	RFQ	50	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C6V8,135-954			1				900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V				6.8 v	15欧姆
PMEG6030ETPX	-	RFQ	2481	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-128		肖特基		SOD-128/CFP5	-				2156-PMEG6030ETPX			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	60 V	530 mv @ 3 a	12 ns	200 µA @ 60 V	175°C	3a	360pf @ 1V，1MHz
BZX79-B20,113	0.0200	RFQ	70	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B20,113-954			1				900 mv @ 10 ma		50 na @ 14 V				20 v	55欧姆
BZV55-B12,115	0.0200	RFQ	55	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B12,115-954			1				900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				12 v	25欧姆
1N4741A，133	0.0400	RFQ	18	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4741A，133-954	Ear99	8541.10.0050	1
BZX884-C13,315	-	RFQ	7950	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882	BZX884-C13		250兆	DFN1006-2	下载						0000.00.0000	1				900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				13 V	10欧姆
BZV85-C36,113	0.0300	RFQ	152	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C36,113-954			1				1 V @ 50 mA		50 na @ 25 V				36 V	50欧姆
1N4738A，133	0.0400	RFQ	132	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4738A，133-954	Ear99	8541.10.0050	1
BZV55-C9V1,115	-	RFQ	8169	NXP半导体	BZV55	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			400兆	llds;最小	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZV55-C9V1,115-954			1				900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V				9.05 v	15欧姆
BZB84-C51,215	1.0000	RFQ	2995	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT-23	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 35.7 V				51 v	180欧姆
BZX79-B43,133	-	RFQ	4691	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79-B43		400兆	Alf2	下载						0000.00.0000	1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 30.1 V				43 V	150欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（545）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²