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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BZX79-B5V1,143 NXP Semiconductors BZX79-B5V1,143 0.0200
RFQ
ECAD 185 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX79-B5V1,143-954 1 900 mv @ 10 ma 2 µA @ 2 V 5.1 v 60欧姆
BZB984-C12,115 NXP Semiconductors BZB984-C12,115 -
RFQ
ECAD 4745 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% - 表面安装 SOT-663 265兆 SOT-663 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZB984-C12,115-954 1 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 100 na @ 8 V 12 v 10欧姆
BZB784-C15,115 NXP Semiconductors BZB784-C15,115 -
RFQ
ECAD 6350 0.00000000 NXP半导体 BZB784 大部分 积极的 ±5% 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 180兆 SC-70 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-BZB784-C15,115-954 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 10.5 V 15 v 30欧姆
NZX10C,133 NXP Semiconductors NZX10C,133 -
RFQ
ECAD 2866 0.00000000 NXP半导体 NZX 大部分 积极的 ±2% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 Alf2 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-NZX10C,133-954 1 1.5 V @ 200 ma 200 na @ 7 V 10 v 25欧姆
BZB984-C7V5,115 NXP Semiconductors BZB984-C7V5,115 -
RFQ
ECAD 8437 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% - 表面安装 SOT-663 BZB984-C7V5 265兆 SOT-663 下载 0000.00.0000 1 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 1 µA @ 5 V 7.5 v 6欧姆
BZB784-C2V7,115 NXP Semiconductors BZB784-C2V7,115 0.0300
RFQ
ECAD 75 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% - 表面安装 SC-70,SOT-323 180兆 SOT-323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZB784-C2V7,115-954 Ear99 8541.10.0050 1 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 20 µA @ 1 V 2.7 v 100欧姆
BZB84-B12,215 NXP Semiconductors BZB84-B12,215 -
RFQ
ECAD 2966 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 SOT-23 下载 0000.00.0000 1 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 100 na @ 8 V 12 v 25欧姆
BZX79-C16,133 NXP Semiconductors BZX79-C16,133 -
RFQ
ECAD 3155 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX79-C16 400兆 Alf2 下载 0000.00.0000 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 11.2 V 16 V 40欧姆
PZU3.6B2L,315 NXP Semiconductors PZU3.6B2L,315 0.0300
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-882 250兆 DFN1006-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-PZU3.6B2L,315-954 Ear99 8541.10.0050 9,947 1.1 V @ 100 mA 5 µA @ 1 V 3.6 v 90欧姆
BZV55-B3V3,115 NXP Semiconductors BZV55-B3V3,115 0.0200
RFQ
ECAD 191 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZV55-B3V3,115-954 1 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 1 V 3.3 v 95欧姆
1PS74SB23,125 NXP Semiconductors 1PS74SB23,125 0.0900
RFQ
ECAD 47 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 表面安装 SC-74,SOT-457 肖特基 6-TSOP 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-1PS74SB23,125-954 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 25 v 450 MV @ 1 A 1 ma @ 25 V 125°c (最大) 1a 100pf @ 4V,1MHz
BYR29X-600,127 NXP Semiconductors BYR29X-600,127 0.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 标准 TO-220F 下载 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 8 A 75 ns 10 µA @ 600 V 150°C (最大) 8a -
PZU2.4BA,115 NXP Semiconductors PZU2.4BA,115 0.0200
RFQ
ECAD 17 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 320兆W SOD-323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-PZU2.4BA,115-954 1 1.1 V @ 100 mA 50 µA @ 1 V 2.4 v 100欧姆
BZV55-C6V2,115 NXP Semiconductors BZV55-C6V2,115 0.0200
RFQ
ECAD 93 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZV55-C6V2,115-954 1 900 mv @ 10 ma 3 µA @ 4 V 6.2 v 10欧姆
BZB84-B9V1,215 NXP Semiconductors BZB84-B9V1,215 -
RFQ
ECAD 6918 0.00000000 NXP半导体 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 TO-236AB - Rohs不合规 供应商不确定 2156-BZB84-B9V1,215-954 1 900 mv @ 10 ma 500 na @ 6 V 9.1 v 15欧姆
PZU3.0B2,115 NXP Semiconductors PZU3.0B2,115 1.0000
RFQ
ECAD 7015 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 SC-90,SOD-323F 310 MW SOD-323F 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-PZU3.0B2,115-954 1 1.1 V @ 100 mA 10 µA @ 1 V 3 V 95欧姆
BAV70SRAZ NXP Semiconductors BAV70SRAZ -
RFQ
ECAD 1579年 0.00000000 NXP半导体 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 表面安装 6-xfdfn暴露垫 标准 DFN1412-6 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-BAV70SRAZ-954 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2对普通阴极 100 v 355mA 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C
BZX79-C5V6,133 NXP Semiconductors BZX79-C5V6,133 0.0200
RFQ
ECAD 325 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX79-C5V6,133-954 1 900 mv @ 10 ma 1 µA @ 2 V 5.6 v 40欧姆
BZV55-C6V8,135 NXP Semiconductors BZV55-C6V8,135 0.0200
RFQ
ECAD 50 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZV55-C6V8,135-954 1 900 mv @ 10 ma 2 µA @ 4 V 6.8 v 15欧姆
BZX84-C75,215 NXP Semiconductors BZX84-C75,215 0.0200
RFQ
ECAD 209 0.00000000 NXP半导体 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 TO-236AB 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX84-C75,215-954 1 900 mv @ 10 ma 50 na @ 52.5 V 75 v 255欧姆
BZB84-B13,215 NXP Semiconductors BZB84-B13,215 -
RFQ
ECAD 5137 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZB84-B13 300兆 TO-236AB 下载 0000.00.0000 1 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 100 na @ 8 V 13 V 30欧姆
BZV49-C2V7,115 NXP Semiconductors BZV49-C2V7,115 0.1700
RFQ
ECAD 16 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-243AA 1 w SOT-89 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZV49-C2V7,115-954 1 1 V @ 50 mA 20 µA @ 1 V 2.7 v 100欧姆
BZX384-B22,115 NXP Semiconductors BZX384-B22,115 -
RFQ
ECAD 4745 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 BZX384 300兆 SOD-323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX384-B22,115-954 1 1.1 V @ 100 mA 50 NA @ 15.4 V 22 v 55欧姆
PZU3.3B2L,315 NXP Semiconductors PZU3.3B2L,315 0.0300
RFQ
ECAD 148 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-882 250兆 DFN1006-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-PZU3.3B2L,315-954 Ear99 8541.10.0050 10,764 1.1 V @ 100 mA 5 µA @ 1 V 3.3 v 95欧姆
BZV85-C5V1,133 NXP Semiconductors BZV85-C5V1,133 0.0400
RFQ
ECAD 46 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% 200°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZV85-C5V1,133-954 1 1 V @ 50 mA 3 µA @ 2 V 5.1 v 10欧姆
BZX79-C11,143 NXP Semiconductors BZX79-C11,143 0.0200
RFQ
ECAD 295 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX79-C11,143-954 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 8 V 11 V 20欧姆
BZV55-B12,115 NXP Semiconductors BZV55-B12,115 0.0200
RFQ
ECAD 55 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZV55-B12,115-954 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 8 V 12 v 25欧姆
1N4741A,133 NXP Semiconductors 1N4741A,133 0.0400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-1N4741A,133-954 Ear99 8541.10.0050 1
NZX36A,133 NXP Semiconductors NZX36A,133 0.0200
RFQ
ECAD 109 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 Alf2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-NZX36A,133-954 1 1.5 V @ 200 ma 50 NA @ 25.2 V 36 V 140欧姆
BZX84-A16,215 NXP Semiconductors BZX84-A16,215 0.1000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP半导体 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±1% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 TO-236AB 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX84-A16,215-954 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 16 V 40欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库