RFQ
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二极管（（545）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZB84-B9V1,215	-	RFQ	6918	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	TO-236AB	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZB84-B9V1,215-954			1				900 mv @ 10 ma	500 na @ 6 V				9.1 v	15欧姆
BZB784-C15,115	-	RFQ	6350	NXP半导体	BZB784	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			180兆	SC-70	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZB784-C15,115-954			1				900 mv @ 10 ma	50 NA @ 10.5 V				15 v	30欧姆
BZB984-C12,115	-	RFQ	4745	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOT-663			265兆	SOT-663	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB984-C12,115-954			1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V				12 v	10欧姆
BZB784-C2V7,115	0.0300	RFQ	75	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SC-70，SOT-323			180兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB784-C2V7,115-954	Ear99	8541.10.0050	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma	20 µA @ 1 V				2.7 v	100欧姆
NZX10C，133	-	RFQ	2866	NXP半导体	NZX	大部分	积极的	±2％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	Alf2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-NZX10C，133-954			1				1.5 V @ 200 ma	200 na @ 7 V				10 v	25欧姆
BZB84-B12,215	-	RFQ	2966	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT-23	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V				12 v	25欧姆
BZB984-C7V5,115	-	RFQ	8437	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOT-663	BZB984-C7V5		265兆	SOT-663	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma	1 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
BZX79-C16,133	-	RFQ	3155	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79-C16		400兆	Alf2	下载						0000.00.0000	1				900 mv @ 10 ma	50 NA @ 11.2 V				16 V	40欧姆
PZU3.6B2L，315	0.0300	RFQ	20	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU3.6B2L，315-954	Ear99	8541.10.0050	9,947				1.1 V @ 100 mA	5 µA @ 1 V				3.6 v	90欧姆
BZX84-B16,215	0.0200	RFQ	26	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-B16,215-954	Ear99	8541.10.0050	1				900 mv @ 10 ma	50 NA @ 11.2 V				16 V	40欧姆
BZX79-C10,133	0.0200	RFQ	240	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C10,133-954			1				900 mv @ 10 ma	200 na @ 7 V				10 v	20欧姆
BZT52H-C4V3,115	0.0200	RFQ	102	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C4V3,115-954			1				900 mv @ 10 ma	3 µA @ 1 V				4.3 v	95欧姆
BZV55-C75,115	0.0200	RFQ	55	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C75,115-954			1				900 mv @ 10 ma	50 na @ 52.5 V				75 v	255欧姆
BZX84J-B20,115	0.0300	RFQ	12	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			550兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84J-B20,115-954			1				1.1 V @ 100 mA	50 na @ 14 V				20 v	20欧姆
BZX79-B3V6,133	0.0200	RFQ	88	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B3V6,133-954			1				900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V				3.6 v	90欧姆
PDZ27BGWX	-	RFQ	4669	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，PDZ-GW	大部分	积极的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123			365兆w	SOD-123	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDZ27BGWX-954			1				1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 21 V				27 V	40欧姆
BZT52H-B36,115	-	RFQ	4246	NXP半导体	BZT52H	大部分	积极的	±1.94％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F			375兆	SOD-123F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZT52H-B36,115-954			1				900 mv @ 10 ma	50 NA @ 25.2 V				36 V	60欧姆
BZV85-C6V2,133	0.0400	RFQ	96	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C6V2,133-954			1				1 V @ 50 mA	2 µA @ 3 V				6.2 v	4欧姆
NZH20C，115	0.0200	RFQ	15	NXP半导体	-	大部分	积极的	±3％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F			500兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZH20C，115-954			1				900 mv @ 10 ma	40 NA @ 15 V				20 v	28欧姆
BZV55-B6V2,115	0.0200	RFQ	312	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B6V2,115-954	Ear99	8541.10.0070	1				900 mv @ 10 ma	3 µA @ 4 V				6.2 v	10欧姆
BZX84-A3V3,215	0.1100	RFQ	6	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±1％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-A3V3,215-954			1				900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V				3.3 v	95欧姆
pzu3.0b1,115	0.0300	RFQ	13	NXP半导体	-	大部分	过时的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU3.0B1,115-954	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 100 mA	10 µA @ 1 V				3 V	95欧姆
BZV55-C22,115	0.0200	RFQ	145	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C22,115-954			1				900 mv @ 10 ma	50 NA @ 15.4 V				22 v	55欧姆
PMEG3002EAL315	-	RFQ	5787	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-882	PMEG3002	肖特基		DFN1006-2	下载						0000.00.0000	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度	30 V	480 mv @ 200 ma	50 µA @ 30 V	150°C （最大）	200mA	25pf @ 1V，1MHz
BZV55-B30,115	0.0200	RFQ	243	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B30,115-954		0000.00.0000	1				900 mv @ 10 ma	50 NA @ 700 mV				30 V	80欧姆
BZX79-C22,133	0.0200	RFQ	119	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C22,133-954			1				900 mv @ 10 ma	50 NA @ 15.4 V				22 v	55欧姆
BZX79-B20133	-	RFQ	6562	NXP半导体	BZX79	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX79-B20133-954			1				900 mv @ 10 ma	50 na @ 14 V				20 v	55欧姆
BZV85-C4V7,133	0.0300	RFQ	62	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C4V7,133-954			1				1 V @ 50 mA	3 µA @ 1 V				4.7 v	13欧姆
BZX79-C6V8,113	0.0200	RFQ	300	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C6V8,113-954			1				900 mv @ 10 ma	2 µA @ 4 V				6.8 v	15欧姆
RB521S30,115	-	RFQ	6894	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523		肖特基		SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-RB521S30,115-954			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度	30 V	500 mV @ 200 ma	30 µA @ 10 V	150°C （最大）	200mA	25pf @ 1V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（545）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²