RFQ
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二极管（（545）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZB784-C5V6,115	-	RFQ	5706	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SC-70，SOT-323			350兆	SOT-323	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极					900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V				5.6 v	40欧姆
BZB84-B3V9,215	-	RFQ	1884年	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZB84-B3V9		300兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极					900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V				3.9 v	90欧姆
PZU9.1B2L，315	0.0300	RFQ	31	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU9.1B2L，315-954			10,764						1.1 V @ 100 mA		500 na @ 6 V				9.1 v	10欧姆
BZV85-C5V6,113	0.0400	RFQ	568	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C5V6,113-954			1						1 V @ 50 mA		2 µA @ 2 V				5.6 v	7欧姆
1N4740A，133	0.0300	RFQ	83	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4740A，133-954			1
BZX84-B4V3,215	0.0200	RFQ	51	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-B4V3,215-954			1						900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V				4.3 v	90欧姆
BZB84-C62,215	1.0000	RFQ	8473	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZB84-C62		300兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极					900 mv @ 10 ma		50 NA @ 43.4 V				62 v	215欧姆
BZX884-C10,315	0.0300	RFQ	3	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-C10,315-954			1						900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V				10 v	10欧姆
BZX79-B5V6,133	0.0200	RFQ	155	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B5V6,133-954			1						900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V				5.6 v	40欧姆
BAS40-04,215	0.0200	RFQ	2929	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAS40				-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS40-04,215-954			13,000
PMEG045T150EPDAZ	0.3600	RFQ	92	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn		肖特基		CFP15	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG045T150EPDAZ-954	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		550 mv @ 15 A	20 ns	100 µA @ 45 V	175°c （最大）	15a	800pf @ 10V，1MHz
BZX384-C27,115	0.0200	RFQ	23	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	BZX384		300兆	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX384-C27,115-954	Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 100 mA		50 na @ 18.9 V				27 V	80欧姆
BZX84-B12,215	0.0200	RFQ	105	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-B12,215-954			1						900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				12 v	25欧姆
BZV85-C8V2,133	0.0300	RFQ	66	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C8V2,133-954			1						1 V @ 50 mA		700 na @ 5 V				8.2 v	5欧姆
BZX884-B6V8,315	-	RFQ	4463	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-B6V8,315-954			1						900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V				6.8 v	15欧姆
BAS101,215	-	RFQ	9960	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS101,215-954			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度		300 v		1.1 V @ 100 mA	50 ns	150 NA @ 250 V	150°C （最大）	200mA	2pf @ 0v，1MHz
PZU4.3B2,115	-	RFQ	2424	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU4.3B2,115-954			1						1.1 V @ 100 mA		3 µA @ 1 V				4.3 v	90欧姆
BZX84-C6V8,235	0.0200	RFQ	25	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C6V8,235-954			1						900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V				6.8 v	15欧姆
PMEG100T20ELPX	-	RFQ	3587	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-128		肖特基		SOD-128/CFP5	-				2156-PMEG100T20ELPX			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		800 mv @ 2 a	12 ns	1.25 µA @ 100 V	175°C	2a	200pf @ 1V，1MHz
BZX79-C75,113	0.0200	RFQ	708	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C75,113-954			1						900 mv @ 10 ma		50 NA @ 700 mV				75 v	255欧姆
PZU5.6B3,115	0.0300	RFQ	4529	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU5.6B3,115-954	Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 100 mA		1 µA @ 2.5 V				5.6 v	40欧姆
TDZ5V6J，115	0.0300	RFQ	63	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，TDZXJ	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	TDZ5V6		500兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-TDZ5V6J，115-954			10,414						1.1 V @ 100 mA		10 µA @ 2.5 V				5.6 v	40欧姆
BZB784-C13,115	0.0300	RFQ	69	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SC-70，SOT-323			180兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB784-C13,115-954			1	1对公共阳极					900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				13 V	30欧姆
BZX884-B24,315	-	RFQ	1145	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX884-B24,315-954			1						900 mv @ 10 ma		50 NA @ 16.8 V				24 V	70欧姆
PDZ20B，115	0.0200	RFQ	99	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323			400兆	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDZ20B，115-954			1						1.1 V @ 100 mA		50 na @ 15 V				20 v	20欧姆
BZX79-C13,113	0.0200	RFQ	205	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C13,113-954			1						900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				13 V	30欧姆
BZB84-C2V4,215	-	RFQ	2536	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZB84-C2V4		300兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极					900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V				2.4 v	100欧姆
BZX79-C43,113	0.0200	RFQ	214	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C43,113-954	Ear99	8541.10.0050	1						900 mv @ 10 ma		50 NA @ 700 mV				43 V	150欧姆
BAS40-04,235	0.0200	RFQ	1041	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAS40				-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS40-04,235-954			10,000
BAS70-07V，115	-	RFQ	9923	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	BAS70	肖特基		SOT-666	下载						0000.00.0000	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度	2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA		10 µA @ 70 V	150°C （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（545）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²