RFQ
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二极管（（545）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZX84-B12,215	0.0200	RFQ	105	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-B12,215-954			1					900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				12 v	25欧姆
BZV85-C8V2,133	0.0300	RFQ	66	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C8V2,133-954			1					1 V @ 50 mA		700 na @ 5 V				8.2 v	5欧姆
BZV55-C5V1,115	0.0200	RFQ	84	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C5V1,115-954			1					900 mv @ 10 ma		2 µA @ 2 V				5.1 v	60欧姆
1N4740A，133	0.0300	RFQ	83	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4740A，133-954			1
BAS40-04,215	0.0200	RFQ	2929	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAS40				-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS40-04,215-954			13,000
PMEG2010EPASX	0.0900	RFQ	27	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	3-udfn裸露的垫子		肖特基		DFN2020d-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG2010EPASX-954	Ear99	8541.10.0080	3,699	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		375 mv @ 1 A	50 ns	335 µA @ 20 V	150°C （最大）	1a	175pf @ 1V，1MHz
BZX884-B27315	0.0300	RFQ	479	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.10.0050	1
BAS28,215	0.0300	RFQ	799	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS28	标准		SOT-143B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS28,215-954			1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	75 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）
BZX384-B4V7,115	-	RFQ	3698	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	BZX384		300兆	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX384-B4V7,115-954			1					1.1 V @ 100 mA		3 µA @ 2 V				4.7 v	80欧姆
BAV99W，115	-	RFQ	2469	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，BAV99	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAV99	标准		SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAV99W，115-954			1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	100 v	150mA（DC）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
BAS40-07V，115	0.0600	RFQ	842	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAS40				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS40-07V，115-954			5,293
BZX79-C56,143	0.0200	RFQ	367	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C56,143-954			1					900 mv @ 10 ma		50 NA @ 39.2 V				56 v	200欧姆
BZX84-C30,215	0.0200	RFQ	50	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C30,215-954			1					900 mv @ 10 ma		50 NA @ 21 V				30 V	80欧姆
BZV55-B33,115	0.0200	RFQ	207	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B33,115-954			1					900 mv @ 10 ma		50 NA @ 23.1 V				33 V	80欧姆
BZT52H-C4V3,115	0.0200	RFQ	102	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C4V3,115-954			1					900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V				4.3 v	95欧姆
BZX84-B16,215	0.0200	RFQ	26	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-B16,215-954	Ear99	8541.10.0050	1					900 mv @ 10 ma		50 NA @ 11.2 V				16 V	40欧姆
BZV55-C75,115	0.0200	RFQ	55	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C75,115-954			1					900 mv @ 10 ma		50 na @ 52.5 V				75 v	255欧姆
BZX79-C10,133	0.0200	RFQ	240	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C10,133-954			1					900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V				10 v	20欧姆
BZX84J-B20,115	0.0300	RFQ	12	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			550兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84J-B20,115-954			1					1.1 V @ 100 mA		50 na @ 14 V				20 v	20欧姆
BZX79-C75143	0.0200	RFQ	185	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.10.0050	1
BZX79-B3V6,133	0.0200	RFQ	88	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B3V6,133-954			1					900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V				3.6 v	90欧姆
BZV55-C56,115	0.0200	RFQ	37	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C56,115-954	Ear99	8541.10.0050	1					900 mv @ 10 ma		50 NA @ 39.2 V				56 v	200欧姆
BAV99/8,235	-	RFQ	5453	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAV99				下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BAV99/8,235-954			1
BZV90-C6V2,115	0.1600	RFQ	4	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.5 w	SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV90-C6V2,115-954			1					1 V @ 50 mA		3 µA @ 4 V				6.2 v	10欧姆
BZV85-C22,133	0.0300	RFQ	60	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C22,133-954			1					1 V @ 50 mA		50 NA @ 15.5 V				22 v	25欧姆
PMEG2015EA115	-	RFQ	9032	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323		肖特基		SOD-323	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		660 mv @ 1.5 A		50 µA @ 15 V	-65°C〜125°C	1.5a	25pf @ 5V，1MHz
PMEG4005EGW，118	1.0000	RFQ	2203	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
BZX84-C47,215	-	RFQ	6984	NXP半导体	BZX84	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX84-C47,215-954			1					900 mv @ 10 ma		50 NA @ 32.9 V				47 V	170欧姆
BZV55-C2V4,115	0.0200	RFQ	5308	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载			到达不受影响	2156-BZV55-C2V4,115-954			10,000					900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V				2.4 v	100欧姆
BZT52H-B4V3,115	0.0200	RFQ	73	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-B4V3,115-954			1					900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V				4.3 v	95欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（545）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²