RFQ
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二极管（（545）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BZX84J-B56,115	-	RFQ	8649	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			550兆	SOD-323F	下载						0000.00.0000	1				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 39.2 V						56 v	120欧姆
BZX84-A43,215	0.1100	RFQ	95	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±1％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-A43,215-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 30.1 V						43 V	150欧姆
BZV55-C33,115	0.0200	RFQ	304	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C33,115-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 23.1 V						33 V	80欧姆
PZU20B1A，115	0.0300	RFQ	26	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323			320兆W	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU20B1A，115-954			1				1.1 V @ 100 mA		50 na @ 15 V						20 v	20欧姆
BZX79-C39,143	0.0200	RFQ	150	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C39,143-954			1				900 mv @ 10 ma		50 na @ 27.3 V						39 v	130欧姆
1PS70SB40,115	0.0300	RFQ	779	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		肖特基		SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1PS70SB40,115-954			10,051		小信号= <200ma（io（io），任何速度	40 V	1 V @ 40 mA		10 µA @ 40 V	150°C （最大）	120mA	5pf @ 0v，1MHz
BZB84-B3V3,215	-	RFQ	8942	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZB84-B3V3		300兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V						3.3 v	95欧姆
PZU27B，115	0.0300	RFQ	1401	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU27B，115-954	Ear99	8541.10.0050	30				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 21 V						27 V	40欧姆
BZV55-C30,115	0.0200	RFQ	248	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C30,115-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 21 V						30 V	80欧姆
BZV55-C20,135	0.0200	RFQ	155	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载						0000.00.0000	1				900 mv @ 10 ma		50 na @ 14 V						20 v	55欧姆
BZV49-C11,115	-	RFQ	4934	NXP半导体	BZV49	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1 w	SOT-89	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZV49-C11,115-954			1				1 V @ 50 mA		100 na @ 8 V						11 V	20欧姆
BZX79-B4V7,113	0.0200	RFQ	120	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B4V7,113-954			1				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 2 V						4.7 v	80欧姆
BZB784-C11115	-	RFQ	3443	NXP半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SC-70，SOT-323			180兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.10.0050	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V						11 V	20欧姆
BZX884-C18,315	-	RFQ	7302	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-C18,315-954	Ear99	8541.10.0070	1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 12.6 V						18 V	45欧姆
BZB84-C6V2,215	0.0200	RFQ	3	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB84-C6V2,215-954	Ear99	8541.10.0050	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V						6.2 v	10欧姆
BZX79-B5V1,113	0.0200	RFQ	140	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B5V1,113-954			1				900 mv @ 10 ma		2 µA @ 2 V						5.1 v	60欧姆
PMEG045V050EPDZ	0.1700	RFQ	9	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn		肖特基		CFP15	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG045V050EPDZ-954	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	490 mv @ 5 a	19 ns	300 µA @ 45 V	175°c （最大）	5a	580pf @ 1V，1MHz
BZV55-B24,115	0.0200	RFQ	227	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B24,115-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 16.8 V						24 V	70欧姆
BZX84J-C4V3,115	-	RFQ	1319	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	BZX84J-C4V3		550兆	SOD-323F	下载						0000.00.0000	1				1.1 V @ 100 mA		3 µA @ 1 V						4.3 v	90欧姆
BZX79-B56,113	0.0200	RFQ	24	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B56,113-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 39.2 V						56 v	200欧姆
BZX79-B62,133	-	RFQ	1934年	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79-B62		400兆	Alf2	下载						0000.00.0000	1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 43.4 V						62 v	215欧姆
BYC20X-600P127	0.8200	RFQ	1	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BYC20X-600P127-954	Ear99	8541.10.0080	1
BZX84-C6V2,235	0.0200	RFQ	120	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C6V2,235-954			1				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V						6.2 v	10欧姆
BB181,135	-	RFQ	7708	NXP半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523				SOD-523	-				2156-BB181,135			1									1.055pf @ 28V，1MHz	单身的	30 V			14	C0.5/C28	-
BZV85-C3V9,113	0.0300	RFQ	75	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C3V9,113-954			1				1 V @ 50 mA		10 µA @ 1 V						3.9 v	15欧姆
BZT52H-B36,115	-	RFQ	4246	NXP半导体	BZT52H	大部分	积极的	±1.94％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F			375兆	SOD-123F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZT52H-B36,115-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 25.2 V						36 V	60欧姆
BZV85-C6V2,133	0.0400	RFQ	96	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C6V2,133-954			1				1 V @ 50 mA		2 µA @ 3 V						6.2 v	4欧姆
NZH20C，115	0.0200	RFQ	15	NXP半导体	-	大部分	积极的	±3％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F			500兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZH20C，115-954			1				900 mv @ 10 ma		40 NA @ 15 V						20 v	28欧姆
BZX84-A3V3,215	0.1100	RFQ	6	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±1％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-A3V3,215-954			1				900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V						3.3 v	95欧姆
BZV55-C22,115	0.0200	RFQ	145	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C22,115-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 15.4 V						22 v	55欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（545）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²