RFQ
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二极管（（545）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZV55-C3V3,115	-	RFQ	4298	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C3V3,115-954			1				900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	95欧姆
BZB784-C3V3,115	0.0300	RFQ	233	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SC-70，SOT-323			180兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB784-C3V3,115-954		0000.00.0000	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	95欧姆
BZB84-C75,215	0.0200	RFQ	510	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB84-C75,215-954			1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		50 na @ 52.5 V				75 v	255欧姆
BZX79-B12,113	0.0200	RFQ	100	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B12,113-954			1				900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				12 v	25欧姆
BZV90-C8V2,115	-	RFQ	2861	NXP半导体	BZV90	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.5 w	SC-73	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZV90-C8V2,115-954			1				1 V @ 50 mA		700 na @ 5 V				8.2 v	15欧姆
NZH3V3A，115	0.0200	RFQ	52	NXP半导体	-	大部分	积极的	±3％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F			500兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZH3V3A，115-954			1				900 mv @ 10 ma		20 µA @ 1 V				3.3 v	70欧姆
BZX884-B2V7,315	-	RFQ	6297	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX884-B2V7,315-954			1				900 mv @ 10 ma		20 µA @ 1 V				2.7 v	100欧姆
PZU7.5B，115	0.0300	RFQ	110	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU7.5B，115-954	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 100 mA		500 na @ 4 V				7.5 v	10欧姆
BZX884-C18,315	-	RFQ	7302	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-C18,315-954	Ear99	8541.10.0070	1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 12.6 V				18 V	45欧姆
PZU12BA，115	-	RFQ	6428	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323			320兆W	SOD-323	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU12BA，115-954			1				1.1 V @ 100 mA		100 na @ 9 V				12 v	10欧姆
BZX79-C16,113	0.0200	RFQ	240	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C16,113-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 700 mV				16 V	40欧姆
BZX79-C18,133	0.0200	RFQ	301	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C18,133-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 12.6 V				18 V	45欧姆
BZB84-C3V0,215	0.0200	RFQ	149	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB84-C3V0,215-954	Ear99	8541.10.0050	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		10 µA @ 1 V				3 V	95欧姆
1PS88SB82,115	-	RFQ	9512	NXP半导体	-	大部分	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		肖特基		6-TSSOP	-				2156-1PS88SB82,115			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度	15 v	700 mv @ 30 ma		200 na @ 1 V	-65°C〜125°C
BZX79-C3V3,143	0.0200	RFQ	290	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C3V3,143-954			1				900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	95欧姆
TDZ5V6J/ZL，135	0.0300	RFQ	1	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，TDZXJ	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	TDZ5V6		500兆	SOD-323F	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-TDZ5V6J/ZL，135-954			1				1.1 V @ 100 mA		10 µA @ 2.5 V				5.6 v	40欧姆
BZV85-C3V6,133	0.0300	RFQ	30	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C3V6,133-954			1				1 V @ 50 mA		50 µA @ 1 V				3.6 v	15欧姆
BZB784-C11115	-	RFQ	3443	NXP半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SC-70，SOT-323			180兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.10.0050	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				11 V	20欧姆
BZV85-C62,133	0.0300	RFQ	20	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C62,133-954			1				1 V @ 50 mA		50 NA @ 43 V				62 v	175欧姆
BZB84-C6V2,215	0.0200	RFQ	3	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB84-C6V2,215-954	Ear99	8541.10.0050	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V				6.2 v	10欧姆
PDZ33BGWX	-	RFQ	8602	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，PDZ-GW	大部分	积极的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123			365兆w	SOD-123	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDZ33BGWX-954			1				1.1 V @ 100 mA		50 na @ 25 V				33 V	40欧姆
BZX84-B30,215	0.0200	RFQ	93	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-B30,215-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 21 V				30 V	80欧姆
BZV85-C10,133	0.0400	RFQ	98	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C10,133-954			1				1 V @ 50 mA		200 na @ 7 V				10 v	8欧姆
BZB984-C13,115	0.0400	RFQ	18	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOT-663			265兆	SOT-663	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB984-C13,115-954			1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V				13 V	10欧姆
BZB984-C3V6,115	0.0400	RFQ	133	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOT-663			265兆	SOT-663	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB984-C3V6,115-954	Ear99	8541.10.0050	1	1对公共阳极			900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V				3.6 v	85欧姆
BZT52H-C18,115	0.0200	RFQ	92	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C18,115-954			1				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 12.6 V				18 V	20欧姆
BZX79-C5V6,113	0.0200	RFQ	233	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C5V6,113-954			1				900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V				5.6 v	40欧姆
PMEG150G20ELPX	-	RFQ	3493	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-128		标准		SOD-128/CFP5	-				2156-PMEG150G20ELPX			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	850 mv @ 2 a	14 ns	30 NA @ 150 V	175°C	2a	70pf @ 1V，1MHz
BZX79-B4V7,113	0.0200	RFQ	120	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B4V7,113-954			1				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 2 V				4.7 v	80欧姆
BZX384-C43,115	0.0200	RFQ	225	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	BZX384		300兆	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX384-C43,115-954			1				1.1 V @ 100 mA		5 na @ 30.1 V				43 V	150欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（545）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²