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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n3350b	-	RFQ	7794	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 152 V				200 v	100欧姆
UPR15E3/TR7	0.7000	RFQ	1947年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPR15	标准		do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	975 mv @ 2 a	25 ns	2 µA @ 150 V	-55°C〜150°C	2.5a	-
SMBJ5340A/TR13	1.6350	RFQ	9682	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5340		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6 V	1欧姆
JANTXV1N4493D	41.2350	RFQ	2853	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4493D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 120 V				150 v	700欧姆
jankca1n4621d	-	RFQ	7278	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Jankca1n4621d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		7.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
JANTX1N2985RB	-	RFQ	3765	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 16.7 V				22 v	5欧姆
SMBG5366C/TR13	2.8650	RFQ	3417	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5366		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 28.1 V				39 v	14欧姆
1N5539C	11.3550	RFQ	6842	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5539C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
JANTX1N4370D-1/TR	12.4089	RFQ	1480	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4370D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
1N4942US/TR	13.1550	RFQ	6834	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-1N4942US/TR			100
JAN1N4126D-1	13.1400	RFQ	5289	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4126			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.8 V				51 v	300欧姆
JANTX1N4126D-1/TR	17.9816	RFQ	6943	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4126D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.8 V				51 v	300欧姆
JANS1N4116D-1	101.3100	RFQ	6391	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V				24 V	150欧姆
JANS1N4491	137.4000	RFQ	9830	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 96 V				120 v	400欧姆
1N6346US	14.6400	RFQ	9363	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6346		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 62 V				82 v	220欧姆
JANTXV1N3037DUR-1/TR	50.5932	RFQ	1095	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3037DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 38.8 V				51 v	95欧姆
1N6310	8.4150	RFQ	1984	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6310		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
JANTX1N6910UTK2AS/TR	451.7100	RFQ	6786	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JANTX1N6910UTK2AS/TR	Ear99	8541.10.0080	100	没有恢复t> 500mA（IO）	15 v	520 mv @ 25 A		1.2 ma @ 15 V	-65°C〜150°C	25a	2000pf @ 5V，1MHz
1N5228A/tr	1.8088	RFQ	4370	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5228A/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 950 mV				3.9 v	23欧姆
1N2786	74.5200	RFQ	9086	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2786	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	10a	-
JANTX1N5544CUR-1	37.7850	RFQ	7472	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5544		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.2 V				28 V	100欧姆
JANS1N4478	83.8650	RFQ	9729	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 28.8 V				36 V	27欧姆
JANTX1N6345C	29.2350	RFQ	5704	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTX1N6345C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 56 V				75 v	180欧姆
CDLL5247B/TR	2.7132	RFQ	5266	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5247B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 13 V				17 V	19欧姆
1N5944BPE3/TR12	0.9450	RFQ	4264	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5944		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 v	100欧姆
1月1N981D-1	6.0600	RFQ	9822	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N981		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V				68 v	230欧姆
JANTX1N3045CUR-1	37.3500	RFQ	6887	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3045		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆
JANS1N4121CUR-1/TR	91.5802	RFQ	2551	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4121CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V				33 V	200欧姆
1N3600	1.3800	RFQ	2498	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3600	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
1N970BE3/tr	2.1945	RFQ	3236	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N970BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V				24 V	33欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²