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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N4976US/TR	86.0502	RFQ	2821	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4976US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 42.6 V				56 v	35欧姆
JANTXV1N4124-1	9.0450	RFQ	8083	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4124		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 32.7 V				43 V	250欧姆
1N4572-1/tr	6.7050	RFQ	6494	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4572-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JAN1N5521D-1	17.6700	RFQ	8722	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5521		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 1.5 V				4.3 v	18欧姆
jankca1n4111c	-	RFQ	3383	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Jankca1n4111c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 12.92 V				17 V	100欧姆
JANTXV1N4962C	19.1850	RFQ	3090	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4962C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	5 µA @ 11.4 V				15 v	3.5欧姆
JAN1N5527D-1/TR	15.8137	RFQ	6387	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5527D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 6.8 V				7.5 v	35欧姆
CDLL982B	2.9400	RFQ	8046	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL982		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 56 V				75 v	270欧姆
JANTXV1N4995US/TR	-	RFQ	7605	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N4995US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 274 V				360 v	1400欧姆
CD5527BUR-1/TR	-	RFQ	9643	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5527BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
1n6336us	14.7750	RFQ	3745	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 na @ 25 V				33 V	40欧姆
CD4567A	7.9200	RFQ	4284	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4567A	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
1N4101ur/tr	3.9400	RFQ	2481	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	249			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 6.24 V				8.2 v	200欧姆
1N3827AUR-1/TR	8.9400	RFQ	1415	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	108			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 2 V				5.6 v	5欧姆
Jan1n4484dus/tr	34.7550	RFQ	1711年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N444484DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	250 NA @ 49.6 V				62 v	80欧姆
CD035B-1	-	RFQ	4698	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS3035B-1	Ear99	8541.10.0050	50
JANTXV1N4480DUS/TR	56.5650	RFQ	5768	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N4480DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	50 NA @ 34.4 V				43 V	40欧姆
JANTXV1N4978C	2000年222日	RFQ	6281	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4978C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 51.7 V				68 v	50欧姆
JANTX1N4985DUS/TR	30.9000	RFQ	7114	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4985DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 98.8 V				130 v	190欧姆
1N4778A/tr	133.4550	RFQ	8140	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4778A/TR	Ear99	8541.10.0050	1								8.5 v	200欧姆
1N5931BE3/TR13	0.9900	RFQ	8443	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5931		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
JANTXV1N3827AUR-1/TR	17.3299	RFQ	6361	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3827AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	3 µA @ 2 V				5.6 v	5欧姆
JANS1N4483CUS/TR	283.9800	RFQ	6067	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4483CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A	250 na @ 44.8 V				56 v	70欧姆
1N5281BE3/tr	3.3117	RFQ	3400	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5281BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 NA @ 152 V
JANS1N4625C-1/TR	56.9000	RFQ	9952	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4625C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 3 V				5.1 v	1.5欧姆
JAN1N3040B-1/TR	8.3524	RFQ	2357	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3040B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
CD5711V	1.8900	RFQ	8016	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	死		肖特基		死	-			到达不受影响	150-CD5711V	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 15 mA	200 na @ 50 V	-55°C〜125°C	15mA	2pf @ 0v，1MHz
Jan1n4977us/tr	9.3600	RFQ	1131	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4977US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 47.1 V				62 v	42欧姆
CDLL4567A	10.1400	RFQ	5683	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	DO-213AA（）	CDLL4567		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
Janhca1n5540d	-	RFQ	2186	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Janhca1n5540d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 18 V				20 v	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²