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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
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JANTX1N4994US | - | ![]() | 8453 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 251 V | 330 v | 1175欧姆 | ||||||||||||||
JANTX1N5521B-1 | 6.5600 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5521 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 1.5 V | 4.3 v | 18欧姆 | |||||||||||||
JANTX1N6324 | 13.9950 | ![]() | 8410 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6324 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 8 V | 10 v | 6欧姆 | |||||||||||||
JANTX1N971B-1 | 2.5200 | ![]() | 9715 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N971 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 21 V | 27 V | 41欧姆 | |||||||||||||
![]() | JANS1N6312DUS | - | ![]() | 1957年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 在sic中停产 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 27欧姆 | |||||||||||||
![]() | JANTXV1N6316US | - | ![]() | 6877 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 17欧姆 | |||||||||||||
JANTXV1N6488 | - | ![]() | 7354 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | SQ-MELF,a | 1N6488 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9欧姆 | |||||||||||||
JANTXV1N6490 | - | ![]() | 7109 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 1 µA @ 1 V | 5.1 v | 7欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1月1N935B-1 | - | ![]() | 9136 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/156 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N935 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 V | 20欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1月1N937B-1 | - | ![]() | 5585 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/156 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N937 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 V | 20欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1月1N943B-1 | - | ![]() | 2220 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/157 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30欧姆 | ||||||||||||||
![]() | JANTX1N2841B | - | ![]() | 6600 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/114 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2841 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 91.2 V | 120 v | 40欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTX1N2842B | - | ![]() | 5687 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/114 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2842 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 98.8 V | 130 v | 50欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1月1N2974RB | - | ![]() | 2954 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N2974 | 10 W | DO-213AA(DO-4) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 25 µA @ 7.6 V | 10 v | 3欧姆 | ||||||||||||
![]() | Jan1n3015b | - | ![]() | 2871 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 10 W | DO-213AA(DO-4) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 152 V | 200 v | 300欧姆 | |||||||||||||
![]() | JANTX1N4553B | - | ![]() | 7658 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N4553 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 20 µA @ 1 V | 5.6 v | 0.12欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTX1N5968 | - | ![]() | 1940年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N5968 | 5 w | E,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5000 µA @ 4.28 V | 5.6 v | 1欧姆 | ||||||||||||
JANTX1N4489 | 14.4400 | ![]() | 637 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4489 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 250 na @ 80 V | 100 v | 250欧姆 | |||||||||||||
![]() | JANTX1N4624UR-1 | 11.5500 | ![]() | 4769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4624 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 µA @ 3 V | 4.7 v | 1550年 | ||||||||||||
JANTX1N4970 | 6.4800 | ![]() | 508 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4970 | 5 w | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10欧姆 | |||||||||||||
JANTX1N4973 | 7.9000 | ![]() | 822 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4973 | 5 w | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 32.7 V | 43 V | 20欧姆 | |||||||||||||
JANTX1N4980 | 8.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4980 | 5 w | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 62.2 V | 82 v | 80欧姆 | |||||||||||||
JANTX1N6326 | 13.6600 | ![]() | 69 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6326 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 9 V | 12 v | 7欧姆 | |||||||||||||
![]() | JANTX1N975BUR-1 | - | ![]() | 4624 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N975 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 30 V | 39 v | 90欧姆 | ||||||||||||
![]() | APTDF200H120G | 138.5800 | ![]() | 8562 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP6 | APTDF200 | 标准 | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 3 V @ 200 A | 150 µA @ 1200 V | 235 a | 单相 | 1.2 kV | ||||||||||||
![]() | APTDF30H1201G | 40.7200 | ![]() | 7653 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP1 | APTDF30 | 标准 | SP1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 3.1 V @ 30 A | 100 µA @ 1200 V | 43 a | 单相 | 1.2 kV | ||||||||||||
![]() | APTDF400KK20G | 129.7600 | ![]() | 3394 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | LP4 | APTDF400 | 标准 | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 500a | 1.1 V @ 400 A | 60 ns | 750 µA @ 200 V | |||||||||||
![]() | APTDF60H1201G | 45.1800 | ![]() | 5601 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP1 | APTDF60 | 标准 | SP1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 3 V @ 60 A | 100 µA @ 1200 V | 82 a | 单相 | 1.2 kV | ||||||||||||
![]() | Jan1n1614r | 66.0750 | ![]() | 9673 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/162 | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N1614 | 标准,反极性 | DO-203AA(DO-4) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.5 V @ 15 A | 50 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 15a | - | |||||||||||
![]() | JANTXV1N3828AR-1 | 19.3950 | ![]() | 3236 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3828 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 3 µA @ 3 V | 6.2 v | 2欧姆 |
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