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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N3016DUR-1	57.6450	RFQ	9024	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3016		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	3.5欧姆
JANTX1N2999B	-	RFQ	1660年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2999		10 W	DO-213AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 42.6 V				56 v	16欧姆
JANTX1N4480US/TR	16.6200	RFQ	7979	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTX1N4480US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 34.4 V				43 V	40欧姆
CD980B	1.5029	RFQ	1601	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD980B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V				62 v	185欧姆
JANS1N6355	-	RFQ	1281	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 152 V				200 v	1800欧姆
JANTXV1N821-1	4.9950	RFQ	6863	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	JANTXV1N821-1MS	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
1N5993CE3	3.8437	RFQ	6279	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5993CE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				5.1 v	50欧姆
1N3026BUR-1	15.3000	RFQ	6003	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3026		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
1N5932CP/TR12	2.2800	RFQ	7429	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5932		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 15.2 V				20 v	14欧姆
JANS1N6325/tr	107.0906	RFQ	6859	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6325/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8.5 V				11 V	7欧姆
1n5802urs/tr	32.5400	RFQ	5212	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-							100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
CD5222B	2.2743	RFQ	7853	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5222B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.5 v	30欧姆
jankca1n747d	-	RFQ	5323	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Jankca1n747d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1N4483	9.5850	RFQ	7448	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4483		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4483MS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 44.8 V				56 v	70欧姆
JANTX1N5545DUR-1	47.2200	RFQ	3982	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5545		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V				30 V	100欧姆
CDLL4129	3.4200	RFQ	7002	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4129		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 47.1 V				62 v	500欧姆
MSASC75H15FX/TR	-	RFQ	7173	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC75H15FX/TR			100
Jan1n4470d	25.4550	RFQ	1717年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4470		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 na @ 12.8 V				16 V	10欧姆
1N3028BUR-1	15.3000	RFQ	7374	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3028		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 16.7 V				22 v	23欧姆
1N5928C	4.0650	RFQ	7486	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5928		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7欧姆
JANTXV1N985B-1	3.4950	RFQ	9234	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N985		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
R30410	49.0050	RFQ	1946年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	-			到达不受影响	150-R30410	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.19 V @ 90 A	5 µs	40 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	40a	-
SMAJ5917AE3/TR13	0.6450	RFQ	4790	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5917		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	5欧姆
1月1N3998A	-	RFQ	8953	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 2 V				6.2 v	1.1欧姆
JANTXV1N969BUR-1	7.5600	RFQ	6571	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N969		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 17 V				22 v	29欧姆
JANS1N6319US	136.0950	RFQ	7015	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6319		500兆	B，平方米	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	3欧姆
1 PMT5956C/TR13	-	RFQ	6796	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 152 V				200 v	1200欧姆
1N3305B	49.3800	RFQ	1942年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3305		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		300 µA @ 4.5 V				6.8 v	0.2欧姆
1N5918AP/TR12	1.8600	RFQ	2215	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5918		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	4欧姆
JANTX1N6354D	-	RFQ	5385	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 137 V				180 v	1500欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²