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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备软件包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比条件	q @ vr，f
SMBG5367C/TR13	2.8650	RFQ	1667年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5367		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 na @ 31 V						43 V	20欧姆
1N6003ur/tr	3.7350	RFQ	9745	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-				150-1N6003ur/tr	Ear99	8541.10.0050	264					1.1 V @ 200 ma								13 V
1N4148-1/tr	0.9750	RFQ	1319	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4148	标准		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	981	小信号= <200ma（io（io），任何速度		75 v		1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
S3560pf	60.2100	RFQ	1125	微芯片技术	-	大部分	积极的			按适合	DO-208AA	S3560	标准		do-21	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1 V @ 1 A		10 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	35a	-
1月1N6621	11.2950	RFQ	1005	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6621	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		440 v		1.6 V @ 2 A	30 ns	500 NA @ 440 V	-65°C〜150°C	2a	10pf @ 10V，1MHz
1N3208	65.8800	RFQ	3200	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3208	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3208MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		50 V		1.19 V @ 90 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	40a	-
1N3174A	216.8850	RFQ	9692	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3174	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.25 V @ 240 A		75 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	240a	-
UFS550JE3/TR13	1.8750	RFQ	9258	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	UFS550	标准		do-214ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		500 v		1.2 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-55°C 〜175°C	5a	-
1N3166R	201.6150	RFQ	6865	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3166	标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3166RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.25 V @ 240 A		75 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	240a	-
APT60S20SG/TR	5.4000	RFQ	6673	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT60S20	肖特基		d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	400	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		900 mv @ 60 a	55 ns	1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C	75a	-
APT30DF100HJ	18.6502	RFQ	4189	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT30DF100	标准		SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1					3 V @ 30 A		100 µA @ 1000 V		45 a		单相	1 kV
GC2545-17	-	RFQ	2740	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	2-SMD，平坦的铅				-	-			到达不受影响	150-GC2545-17	Ear99	8541.10.0060	1										2pf @ 6V，1MHz	单身的	40 V			-	-
JANTX1N3825D-1/TR	24.4986	RFQ	1642	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3825D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V						4.7 v	8欧姆
CDLL4134	3.5850	RFQ	5769	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4134		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 69.2 V						91 v	1200欧姆
1 PMT5956BE3/TR7	0.7350	RFQ	7956	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 152 V						200 v	1200欧姆
JANTX1N747C-1/TR	5.2668	RFQ	1362	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N747C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V						3.6 v	24欧姆
1N5936BP/TR8	1.8900	RFQ	1266	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5936		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V						30 V	28欧姆
Jan1n5968d	-	RFQ	2307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V						5.6 v	1欧姆
1N6322	8.4150	RFQ	5420	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向	1N6322		500兆	B，轴向	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V						8.2 v	5欧姆
UFR3130	51.4650	RFQ	9926	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		300 v		1.25 V @ 30 A	50 ns		175°c （最大）	30a	115pf @ 10V，1MHz
Jan1n3823a-1/tr	6.1446	RFQ	9459	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3823A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V						3.9 v	9欧姆
R30615	49.0050	RFQ	6231	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R30615			1
JANTX1N5525D-1	22.9650	RFQ	4690	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5525		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V						6.2 v	30欧姆
JAN1N4623C-1	9.5850	RFQ	3874	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4623		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V						4.3 v	1600欧姆
JANTXV1N6628U/TR	25.4550	RFQ	5318	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准，反极性		B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6628U/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		660 v		1.35 V @ 2 A	45 ns	2 µA @ 660 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
JANS1N4472	83.8650	RFQ	7395	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 na @ 16 V						20 v	12欧姆
SMBG5372B/TR13	2.2500	RFQ	8272	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5372		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V						62 v	42欧姆
JANS1N4474DUS/TR	330.4050	RFQ	7475	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4474DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		50 na @ 19.2 V						24 V	16欧姆
APT30D60BCAG	6.0700	RFQ	305	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	APT30	标准		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	600 v	27a	1.8 V @ 30 A	85 ns	250 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
JANTX1N3043D-1/TR	24.4853	RFQ	6007	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3043D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V						91 v	250欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²