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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
JANTXV1N4617DUR-1	38.2050	RFQ	6108	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V						2.4 v	1400欧姆
1月1N6770	-	RFQ	6036	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v	1.06 V @ 8 A	35 ns	10 µA @ 120 V	-	8a	150pf @ 5V，1MHz
JANS1N4113-1/TR	31.6700	RFQ	8890	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4113-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V						19 v	150欧姆
1月1N3027C-1	17.3250	RFQ	8347	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3027		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 15.2 V						20 v	22欧姆
KV2113-150A/TR	-	RFQ	2574	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	死				芯片	-			到达不受影响	150-KV2113-150A/TR	Ear99	8541.10.0040	1									0.45pf @ 20V，1MHz	单身的	22 v					-	1200 @ 4V，50MHz
MV39003-P2715	-	RFQ	8641	微芯片技术	-	托盘	积极的		-65°C〜150°C	表面安装	死				芯片	-			到达不受影响	150-MV39003-P2715	Ear99	8541.10.0040	1									0.6pf @ 4V，1MHz	单身的	18 V				5.6	C2/C12	3500 @ 4V，50MHz
JANS1N6342DUS	527.5650	RFQ	8342	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6342DUS	Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A		50 NA @ 43 V						56 v	100欧姆
1N5830	45.6750	RFQ	3534	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N5830	肖特基		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5830ms	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V	460 mv @ 25 a		3 ma @ 30 V	-65°C〜125°C	25a	1650pf @ 5V，1MHz
S2020	33.4500	RFQ	3515	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S2020	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	16a	-
JAN1N6940UTK3AS	-	RFQ	2960	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		SIC （碳化硅）		Thinkey™3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		15 v	500 mv @ 150 A		5 ma @ 15 V	-65°C〜175°C	150a
SMBG5351C/TR13	2.8650	RFQ	3927	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5351		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 1 A		1 µA @ 10.1 V						14 V	2.5欧姆
MSASC75W30FS/TR	-	RFQ	3661	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC75W30FS/TR			100
1N5943CPE3/TR8	1.2000	RFQ	3415	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5943		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500				1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V						56 v	86欧姆
CDLL5534A	6.4800	RFQ	4443	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5534		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.5 V						14 V	100欧姆
Jan1n4117dur-1/tr	24.8843	RFQ	3561	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4117DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V						25 v	150欧姆
JANS1N6345US/TR	154.0106	RFQ	9662	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6345US/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A		50 NA @ 56 V						75 v	180欧姆
1N6002B	2.0700	RFQ	7963	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6002		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N6002BMS	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 9.1 V						12 v	22欧姆
JAN1N6319CUS	39.1350	RFQ	2068	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6319		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V						6.2 v	3欧姆
JANTXV1N4463CUS	30.8850	RFQ	8844	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4463CUS	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		500 NA @ 4.92 V						8.2 v	3欧姆
Jan1n4468d	25.4550	RFQ	5225	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4468		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1 V @ 200 MA		50 NA @ 10.4 V						13 V	8欧姆
1N5712-1E3	6.2250	RFQ	9655	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5712-1E3	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		20 v	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	75mA	2pf @ 0v，1MHz
1N1347B	45.3600	RFQ	6931	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1347	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		500 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	16a	-
JANTX1N1615R	60.0000	RFQ	9237	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/162	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1615	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v	1.5 V @ 15 A		50 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	15a	-
UES705R	67.2600	RFQ	6141	微芯片技术	*	大部分	积极的					UES705				-	Rohs不合规	不适用	到达不受影响			0000.00.0000	1
SMAJ5921BE3/TR13	1.3600	RFQ	11	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5921		1.56 w	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V						6.8 v	2.5欧姆
JANTXV1N6642UBD	34.5000	RFQ	2909	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N6642	标准		UB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
UMX9989SM	-	RFQ	9108	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜150°C		SQ-MELF				-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-UMX9989SMTR	Ear99	8541.10.0060	1									5pf @ 0v，1MHz	标准 -单个	75V			-
1N5828	46.1100	RFQ	6532	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		肖特基		DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响	1N5828MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V	870 mv @ 40 a		10 ma @ 20 V	-55°C〜150°C	15a	-
1N5537D	5.6850	RFQ	3269	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5537D	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V						17 V	100欧姆
JANTXV1N5711UBD/TR	120.7350	RFQ	7207	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		UB	-				150-JANTXV1N5711UBD/TR			100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	50 V	1 V @ 15 ma		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²