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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N3019CUR-1/TR	41.0438	RFQ	4696	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3019CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	6欧姆
1N5925BPE3/TR8	0.9450	RFQ	9598	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5925		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V				10 v	4.5欧姆
JANTXV1N3042CUR-1/TR	41.0438	RFQ	1577年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3042CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
1 PMT4122CE3/TR7	0.4950	RFQ	6058	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4122		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 27.38 V				36 V	200欧姆
CDLL4731A	2.4450	RFQ	4896	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4731			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
1N5349C/TR8	3.3900	RFQ	2787	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5349		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		2 µA @ 8.6 V				12 v	2.5欧姆
SMBJ4755/TR13	0.8700	RFQ	4721	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4755		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V				43 V	70欧姆
Janhce1n5809	18.4950	RFQ	6025	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	死		标准		死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhce1N5809	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
1N5745D	4.6800	RFQ	3628	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5745		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					900 mv @ 10 ma		100 na @ 17 V				24 V	70欧姆
CDLL5519E3	6.6600	RFQ	8156	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5519E3	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 900 mV				3.6 v	24欧姆
JANS1N4618UR-1/TR	65.1200	RFQ	5855	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4618UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
1N5229A	1.8600	RFQ	7115	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5229		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	22欧姆
JANTX1N6347C	29.2350	RFQ	8379	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTX1N6347C	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 69 V				91 v	270欧姆
1N4463US	11.4600	RFQ	4380	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4463		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4463USMS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	3欧姆
CDLL4569A/TR	82.2900	RFQ	9311	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4569A/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					200欧姆
JANTXV1N4478CUS	45.1350	RFQ	5909	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4478CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 28.8 V				36 V	27欧姆
1n6009b/tr	2.0083	RFQ	6120	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6009b/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 18 V				24 V	62欧姆
JANTXV1N4474DUS	56.4150	RFQ	9919	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4474DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 na @ 19.2 V				24 V	16欧姆
1N4448	-	RFQ	8198	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N444448MS	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		75 v		1 V @ 100 ma	4 ns	25 na @ 20 V	-65°C〜150°C	200mA	-
JANTX1N3157-1	-	RFQ	8469	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3157		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 5.5 V				8.8 v	15欧姆
CDLL5932B	3.9300	RFQ	9508	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5932		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 15.2 V				20 v	14欧姆
1N3891R	50.8800	RFQ	6958	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3891	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3891RMS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.5 V @ 38 A	200 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	12a	-
Jan1n4126c-1	10.5000	RFQ	6607	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4126			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.8 V				51 v	300欧姆
CD975B-1/TR	-	RFQ	2500	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS975B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
JANTXV1N757C-1	10.3500	RFQ	3088	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N757		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V				9.1 v	10欧姆
1N4741P/TR12	1.8600	RFQ	1042	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4741		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
SMBG5381B/TR13	2.2500	RFQ	8267	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5381		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 93.6 V				130 v	190欧姆
HSM580G/TR13	2.0100	RFQ	9558	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	HSM580	肖特基		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		80 V		800 mv @ 5 a		250 µA @ 80 V	-55°C 〜175°C	5a	-
1N2846B	94.8900	RFQ	2785	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2846		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 152 V				200 v	100欧姆
1N4148UBCCC/TR	27.0900	RFQ	4904	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N4148	标准		UBC	下载			到达不受影响	150-1N4148UBCCC/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	75 v	1a	800 mv @ 100 ma	5 ns	25 na @ 20 V	-65°C 〜200°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²