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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
MPL4703-406	9.0600	RFQ	101	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜150°C		0402（（1005公制）	MPL4703			0402	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	100			10 W						0.3pf @ 10V，1MHz	PIN-单	25V			3ohm @ 10mA，1GHz
MPP4202-206/tr	4.2200	RFQ	866	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C		0402（（1005公制）	MPP4202			0402	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MPP4202-206/tr	Ear99	8541.10.0070	1,000									0.15pf @ 10V，1MHz	PIN-单	50V			2.8OHM @ 20mA，100MHz
LXS201-143-5	-	RFQ	4591	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	LXS201			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		1 a	250兆						0.3pf @ 0v，1MHz	-	3V
GMP4201-GM1/TR	3.8100	RFQ	1428	微芯片技术	Gigamite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C		0805（2012年）	GMP4201			0805	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1,000									0.18pf @ 10V，1MHz	PIN-单	75V			1.2OHM @ 100mA，100MHz
MMP4405-GM2/TR	13.8750	RFQ	7612	微芯片技术	MMP4400	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C		0805（2012年）	MMP4405			0805	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0060	1,000			8 w						0.6pf @ 50V，1MHz	PIN-单	1000V			750MOHM @ 100mA，100MHz
MPP4205A-206/TR	4.3800	RFQ	1	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C		0402（（1005公制）	MPP4205			0402	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MPP4205A-206/TR	Ear99	8541.10.0060	1,000									0.15pf @ 10V，1MHz	PIN-单	70V			5ohm @ 10mA，100MHz
MML4403-GM3	7.3400	RFQ	90	微芯片技术	MML4400	大部分	积极的		-55°C〜150°C		4-SMD，没有铅	MML4403			-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0060	1									1.5pf @ 0v，1MHz	引脚-2独立	75V			1 OHM @ 100mA，100MHz
JANS1N4481US/TR	151.3604	RFQ	5375	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4481US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A	50 NA @ 37.6 V						47 V	50欧姆
1月1N967CUR-1/TR	10.2410	RFQ	1658年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N967CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	500 na @ 14 V						18 V	21欧姆
Jan1n55330d-1/tr	15.8137	RFQ	3750	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N55330D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 9.1 V						10 v	60欧姆
1N4705/tr	3.6575	RFQ	2043	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4705/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 13.6 V						18 V
JANTX1N6661US/TR	-	RFQ	3574	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N66661US/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			225 v	1 V @ 400 MA	50 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	500mA	-
CDLL4781A/T r	38.1900	RFQ	9978	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4781A/T r	Ear99	8541.10.0050	1						10 µA @ 6 V						8.5 v	100欧姆
JANS1N4119UR-1/TR	45.8600	RFQ	5439	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4119UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	10 na @ 21.3 V						28 V	200欧姆
1N944A/TR	22.7850	RFQ	3460	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N944A/TR	Ear99	8541.10.0050	1						15 µA @ 8 V						11.7 v	30欧姆
1N4919/tr	29.6850	RFQ	6189	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4919/tr	Ear99	8541.10.0050	1												19.2 v	300欧姆
Janhca1n751a	7.2618	RFQ	7695	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n751a	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 2 V						5.1 v	17欧姆
1N4712/tr	3.6575	RFQ	7216	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4712/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	10 na @ 21.2 V						28 V
JANTX1N989B-1/TR	-	RFQ	3421	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N989B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma	500 NA @ 114 V						150 v	1.5欧姆
LXP1000-23-4	5.6400	RFQ	4663	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-LXP1000-23-4	Ear99	8541.10.0060	1		1 a	250兆						0.28pf @ 5V，1MHz	引脚-1对普通阴极	5V			2.5OHM @ 5mA，100MHz
1N4568A/TR	8.0400	RFQ	4953	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4568A/tr	Ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.4 v	200欧姆
JANS1N937B-1/TR	-	RFQ	1962年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N937B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1						10 µA @ 6 V						9 V	20欧姆
JANTX1N55539CUR-1/TR	33.6357	RFQ	1215	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5539CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	10 na @ 17.1 V						19 v	100欧姆
BZV55C2V7/TR	2.7664	RFQ	6888	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±7％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-BZV55C2V7/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	20 µA @ 1 V						2.7 v
1N5276B	2.7664	RFQ	1467	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5276B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma	100 na @ 114 V						150 v	1500欧姆
CD5528B	2.0349	RFQ	7285	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5528B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma	500 NA @ 7.5 V						8.2 v	40欧姆
JANS1N4581A-1/TR	142.4850	RFQ	7373	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4581A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.4 v	25欧姆
JANS1N4101UR-1/TR	46.3100	RFQ	6177	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4101UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 6.24 V						8.2 v	200欧姆
CD4756A	1.8354	RFQ	4043	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4756A	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma	100 na @ 35.8 V						47 V	80欧姆
JANTX1N6941UTK3AS/TR	506.5350	RFQ	9446	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™3		SIC （碳化硅）		Thinkey™3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6941UTK3AS/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			30 V	500 mv @ 50 a	5 ma @ 30 V	-65°C〜175°C	150a	7500pf @ 5V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²