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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n6635us	-	RFQ	4813	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JAN1N6635US	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 1 V				4.3 v	2欧姆
JANTXV1N4131C-1/TR	20.6815	RFQ	2845	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4131C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
JAN1N3822CUR-1	35.5050	RFQ	8102	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3822		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
Jan1n6332d	24.7800	RFQ	3081	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JAN1N6332D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V				22 v	20欧姆
CD4738	2.0700	RFQ	1205	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	-			到达不受影响	150-CD4738	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V				8.2 v	4.5欧姆
1 PMT4131C/TR7	1.2450	RFQ	4221	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	250欧姆
1N5931A	3.0300	RFQ	3478	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5931		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
1月1N4969	5.8950	RFQ	9855	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4969		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 22.8 V				30 V	8欧姆
1N5272BUR/TR	3.7800	RFQ	1127	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-1N5272BUR/TR	Ear99	8541.10.0050	250			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 84 V				110 v	750欧姆
JANTX1N4621DUR-1/TR	25.8153	RFQ	7669	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4621DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
JANTXV1N5537CUR-1	49.5150	RFQ	9882	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5537		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
SMBJ5931CE3/TR13	1.3350	RFQ	4874	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5931		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
R3160	49.0050	RFQ	9227	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R3160			1
1N4101UR-1	3.8200	RFQ	5552	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4101		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V				8.2 v	200欧姆
S4360D	112.3200	RFQ	6390	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-S4360D	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	150a	-
JANTXV1N6335	14.6700	RFQ	4751	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6335		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 23 V				30 V	32欧姆
JANTXV1N4118-1	9.0450	RFQ	7226	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4118		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V				27 V	150欧姆
JANTXV1N3019CUR-1/TR	41.0438	RFQ	4696	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3019CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	6欧姆
JANTXV1N3042CUR-1/TR	41.0438	RFQ	1577年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3042CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
1 PMT4122CE3/TR7	0.4950	RFQ	6058	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4122		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 27.38 V				36 V	200欧姆
CDLL4731A	2.4450	RFQ	4896	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4731			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
1N5349C/TR8	3.3900	RFQ	2787	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5349		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		2 µA @ 8.6 V				12 v	2.5欧姆
SMBJ4755/TR13	0.8700	RFQ	4721	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4755		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V				43 V	70欧姆
Janhce1n5809	18.4950	RFQ	6025	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	死		标准		死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhce1N5809	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
1N5745D	4.6800	RFQ	3628	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5745		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		100 na @ 17 V				24 V	70欧姆
CDLL5519E3	6.6600	RFQ	8156	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5519E3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 900 mV				3.6 v	24欧姆
JANS1N4618UR-1/TR	65.1200	RFQ	5855	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4618UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
1N5229A	1.8600	RFQ	7115	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5229		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	22欧姆
JANTX1N6347C	29.2350	RFQ	8379	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTX1N6347C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 69 V				91 v	270欧姆
1N4463US	11.4600	RFQ	4380	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4463		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4463USMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	3欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²