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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
1N6640US/TR	8.3790	RFQ	1941年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，d		标准		D-5D	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6640US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		75 v		1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N827-1E3	6.2700	RFQ	3595	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N827-1E3	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.2 v	15欧姆
APTDF400AK20G	129.7611	RFQ	4814	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘安装	LP4	APTDF400	标准		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	200 v	500a	1.1 V @ 400 A	60 ns	750 µA @ 200 V
1N4740APE3/TR8	0.9450	RFQ	9145	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4740		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7.6 V						10 v	7欧姆
1N2840B	-	RFQ	7701	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2840		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 83.6 V						110 v	30欧姆
JANS1N6310	114.5850	RFQ	6916	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V						2.7 v	30欧姆
1N5943PE3/TR8	0.9150	RFQ	5760	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5943		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V						56 v	86欧姆
1月1N3821A-1	6.7650	RFQ	6819	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3821		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V						3.3 v	10欧姆
CDLL4620	3.3600	RFQ	300	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4620		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1.5 V						3.3 v	1650年
1N3338B	-	RFQ	9422	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3338		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 62.2 V						82 v	11欧姆
JANTX1N3039BUR-1/TR	13.0739	RFQ	6898	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3039BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 47.1 V						62 v	125欧姆
1N5194	8.1000	RFQ	4902	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5194	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		70 v		1 V @ 100 ma		25 NA @ 70 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTX1N4245	4.7250	RFQ	2281	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/286	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4245	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANTX1N4485C	19.7700	RFQ	5889	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4485		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		250 NA @ 54.4 V						68 v	100欧姆
CDLL5533B	6.4800	RFQ	2954	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5533		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V						13 V	90欧姆
Jan1n2974b	-	RFQ	6290	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		25 µA @ 7.6 V						10 v	3欧姆
MV30018-150A/TR	-	RFQ	8084	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C 〜175°C	表面安装	死				芯片	-			到达不受影响	150-MV30018-150A/TR	Ear99	8541.10.0040	1										3pf @ 4V，1MHz	单身的	22 v			6	C2/C20	2500 @ 4V，50MHz
JANS1N5968CUS	-	RFQ	9924	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V						5.6 v	1欧姆
1月1N2819RB	-	RFQ	1897年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2819		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 16.7 V						22 v	2.5欧姆
SMBJ4745/TR13	0.8700	RFQ	7367	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4745		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 12.2 V						16 V	16欧姆
1N647/tr	1.6891	RFQ	4522	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N647/tr	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1 V @ 400 MA			-	-	-
JANTXV1N2808RB	-	RFQ	5002	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2808		25 w	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		25 µA @ 6.7 V						10 v	0.6欧姆
1月1N978D-1/tr	5.8919	RFQ	4941	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N978D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V						51 v	125欧姆
JANTX1N3912R	-	RFQ	1273	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		300 v		1.4 V @ 50 A	200 ns		-65°C〜150°C	30a	-
1N1199R	75.5700	RFQ	3476	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1199	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		50 V		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	12a	-
JANTX1N978B-1	3.4350	RFQ	8966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N978		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V						51 v	125欧姆
1N5944BP/TR8	1.8900	RFQ	1415	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5944		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V						62 v	100欧姆
1N5927B	3.0300	RFQ	2808	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.25 w	do-41	-			到达不受影响	1N5927BMS	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V						12 v	6.5欧姆
JANTXV1N4981US/TR	16.1250	RFQ	7935	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4981US/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 69.2 V						91 v	90欧姆
1月1N964B-1	1.9050	RFQ	3536	微芯片技术	MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N964		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V						13 V	13欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²