RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N2128R	74.5200	RFQ	8389	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2128R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANTX1N759DUR-1	17.8950	RFQ	8669	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N759		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
1 PMT4116CE3/TR13	0.4950	RFQ	5482	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.25 V				24 V	150欧姆
UPR40E3/TR7	1.0650	RFQ	9061	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPR40	标准		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.25 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	2a	-
1N5373BE3/TR8	2.6850	RFQ	1221	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5373		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 49 V				68 v	44欧姆
1N4150UBCA	25.3950	RFQ	7132	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		标准		UBC	下载			到达不受影响	150-1N4150UBCA	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
SMBJ5926BE3/TR13	0.8850	RFQ	4404	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5926		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
SMBJ4762AE3/TR13	0.4350	RFQ	9031	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4762		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
Jan1n6353us	-	RFQ	8900	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 122 V				151 v	1200欧姆
1N3271	151.2750	RFQ	7103	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3271	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3271MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 800 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTXV1N3340RB	-	RFQ	9747	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V				100 v	20欧姆
1N4699E3	4.1250	RFQ	4037	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N4699E3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				12 v
CD5359B	5.0274	RFQ	9088	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5359B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 na @ 18.2 V				24 V	3.5欧姆
1N2972RB	-	RFQ	6032	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2972		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
1N825AE3/tr	4.4550	RFQ	9836	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N825AE3/tr	Ear99	8541.10.0050	212					2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
JANTX1N972DUR-1	19.4700	RFQ	1865年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N972		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 23 V				30 V	49欧姆
CDLL4684/tr	3.0989	RFQ	4259	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4684/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		7.5 µA @ 1.5 V				3.3 v
1N4746APE3/TR12	0.9450	RFQ	9641	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4746		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
1N3821A-1/TR	5.9584	RFQ	2933	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3821A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
SMAJ4748E3/TR13	0.6450	RFQ	9398	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4748		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 16.7 V				22 v	23欧姆
JANTXV1N6315	14.0700	RFQ	6498	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6315		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				4.3 v	20欧姆
JANS1N4133-1/TR	31.6700	RFQ	9470	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4133-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V				87 v	1欧姆
1月1N6630	13.2600	RFQ	5811	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			通过洞	E，轴向	1N6630	标准			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	900 v	1.4 V @ 1.4 A	50 ns	2 µA @ 900 V	-65°C〜150°C	1.4a	-
1N5536D	5.6850	RFQ	2965	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5536D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100欧姆
SMBG5344CE3/TR13	1.4400	RFQ	4326	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5344		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆
JANTX1N4549RB	-	RFQ	2307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		150 µA @ 500 mV				3.9 v	0.16欧姆
1N4485US	11.3550	RFQ	6443	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4485		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4485USM	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 54.4 V				68 v	100欧姆
Jan1n2824b	-	RFQ	2815	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2824		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 25.1 V				33 V	3.2欧姆
JANTX1N3825AR-1	15.9000	RFQ	6421	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3825		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
JANS1N4966CUS/TR	368.3100	RFQ	3739	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4966CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 16.7 V				22 v	5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²