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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
CD5530C Microchip Technology CD5530C -
RFQ
ECAD 3080 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 500兆 - 到达不受影响 150-CD5530C Ear99 8541.10.0050 205 1.5 V @ 200 ma 50 NA @ 9.1 V 10 v 60欧姆
SMAJ4733CE3/TR13 Microchip Technology SMAJ4733CE3/TR13 0.6450
RFQ
ECAD 4927 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA SMAJ473 2 w DO-214AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 5.1 v 7欧姆
1N5922B Microchip Technology 1N5922B 5.7000
RFQ
ECAD 2071 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5922 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 6 V 7.5 v 3欧姆
JANTX1N4148UBCD Microchip Technology JANTX1N4148UBCD 30.9358
RFQ
ECAD 3799 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/116 大部分 积极的 表面安装 3-SMD,没有铅 1N4148 标准 UBC - 到达不受影响 150-JANTX1N4148UBCD Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 75 v 1a 800 mv @ 100 ma 5 ns 25 na @ 20 V -65°C 〜200°C
R4220F Microchip Technology R4220F 59.8350
RFQ
ECAD 4126 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 R4220 标准,反极性 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.2 V @ 200 A 50 µA @ 200 V -65°C 〜200°C 125a -
1N6882UTK4CS Microchip Technology 1N6882UTK4CS 259.3500
RFQ
ECAD 2360 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - 到达不受影响 150-1N6882UTK4CS 1
JANHCA1N4122C Microchip Technology Janhca1n4122c -
RFQ
ECAD 6667 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 500兆 - 到达不受影响 150-Janhca1n4122c Ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 27.38 V 36 V 200欧姆
JANTX1N4479CUS/TR Microchip Technology JANTX1N4479CUS/TR 28.3050
RFQ
ECAD 9074 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A - 150-JANTX1N4479CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 31.2 V 39 v 30欧姆
JANTXV1N3012RB Microchip Technology JANTXV1N3012RB 956.9250
RFQ
ECAD 4331 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/124 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 10 W DO-213AA(DO-4) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 121.6 V 160 v 200欧姆
JANS1N7050UR-1 Microchip Technology JANS1N7050UR-1 162.9150
RFQ
ECAD 1044 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1
JAN1N5530DUR-1 Microchip Technology Jan1n55330dur -1 46.2900
RFQ
ECAD 9437 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5530 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.1 V 10 v 60欧姆
JANTXV1N3021C-1/TR Microchip Technology JANTXV1N3021C-1/TR 27.1719
RFQ
ECAD 2482 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N3021C-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
JAN1N5538C-1 Microchip Technology JAN1N555538C-1 11.0400
RFQ
ECAD 9478 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5538 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 16.2 V 18 V 100欧姆
JANTXV1N4118CUR-1 Microchip Technology JANTXV1N4118CUR-1 28.8000
RFQ
ECAD 6259 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4118 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 20.5 V 27 V 150欧姆
JANTX1N5546D-1/TR Microchip Technology JANTX1N5546D-1/TR 19.5776
RFQ
ECAD 9820 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5546D-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 29.7 V 33 V 100欧姆
1N5357BE3/TR13 Microchip Technology 1N5357BE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 2784 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5357 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 14.4 V 20 v 3欧姆
1N829AE3 Microchip Technology 1N829AE3 13.6200
RFQ
ECAD 7127 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N829AE3 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.2 v 10欧姆
JANS1N4979DUS Microchip Technology JANS1N4979DUS 429.5200
RFQ
ECAD 5121 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4979DUS Ear99 8541.10.0050 1
JANS1N4991D Microchip Technology JANS1N4991D 290.3700
RFQ
ECAD 3693 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 E,轴向 5 w E,轴向 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 25.1 V 240 v 650欧姆
JANS1N4988 Microchip Technology JANS1N4988 103.9500
RFQ
ECAD 2449 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 B,轴向 5 w B,轴向 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 136.8 V 180 v 450欧姆
JANS1N5619US/TR Microchip Technology JANS1N5619US/TR 78.0150
RFQ
ECAD 6097 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/429 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 标准 a,平方米 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N5619US/TR Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.6 V @ 3 A 250 ns -65°C〜175°C 1a -
JANTX1N6873UTK2CS/TR Microchip Technology JANTX1N6873UTK2CS/TR 413.4000
RFQ
ECAD 1677年 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 到达不受影响 150-JANTX1N6873UTK2CS/TR 100
1N2128R Microchip Technology 1N2128R 74.5200
RFQ
ECAD 8389 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准,反极性 DO-5(do-203ab) 下载 到达不受影响 150-1N2128R Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.25 V @ 200 A 25 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 70a -
JANTX1N759DUR-1 Microchip Technology JANTX1N759DUR-1 17.8950
RFQ
ECAD 8669 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N759 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 9 V 12 v 30欧姆
1PMT4116CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4116CE3/TR13 0.4950
RFQ
ECAD 5482 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 18.25 V 24 V 150欧姆
UPR40E3/TR7 Microchip Technology UPR40E3/TR7 1.0650
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-216aa UPR40 标准 Powermite 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 1 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C 2a -
1N5373BE3/TR8 Microchip Technology 1N5373BE3/TR8 2.6850
RFQ
ECAD 1221 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5373 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 49 V 68 v 44欧姆
1N4150UBCA Microchip Technology 1N4150UBCA 25.3950
RFQ
ECAD 7132 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 3-SMD,没有铅 标准 UBC 下载 到达不受影响 150-1N4150UBCA Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V -65°C〜175°C 200mA 2.5pf @ 0v,1MHz
SMBJ5926BE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5926BE3/TR13 0.8850
RFQ
ECAD 4404 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5926 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 8.4 V 11 V 5.5欧姆
SMBJ4762AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ4762AE3/TR13 0.4350
RFQ
ECAD 9031 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4762 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 62.2 V 82 v 200欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库