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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
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![]() | CD5530C | - | ![]() | 3080 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | - | 到达不受影响 | 150-CD5530C | Ear99 | 8541.10.0050 | 205 | 1.5 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.1 V | 10 v | 60欧姆 | |||||||||||||
![]() | SMAJ4733CE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 4927 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | SMAJ473 | 2 w | DO-214AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 5.1 v | 7欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N5922B | 5.7000 | ![]() | 2071 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N5922 | 1.25 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 6 V | 7.5 v | 3欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTX1N4148UBCD | 30.9358 | ![]() | 3799 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/116 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 1N4148 | 标准 | UBC | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4148UBCD | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 75 v | 1a | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 25 na @ 20 V | -65°C 〜200°C | ||||||||||
![]() | R4220F | 59.8350 | ![]() | 4126 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | R4220 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 200 A | 50 µA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 125a | - | |||||||||||
![]() | 1N6882UTK4CS | 259.3500 | ![]() | 2360 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-1N6882UTK4CS | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n4122c | - | ![]() | 6667 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | - | 到达不受影响 | 150-Janhca1n4122c | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 27.38 V | 36 V | 200欧姆 | |||||||||||||
![]() | JANTX1N4479CUS/TR | 28.3050 | ![]() | 9074 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANTX1N4479CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 31.2 V | 39 v | 30欧姆 | ||||||||||||||
![]() | JANTXV1N3012RB | 956.9250 | ![]() | 4331 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 10 W | DO-213AA(DO-4) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 121.6 V | 160 v | 200欧姆 | |||||||||||||
![]() | JANS1N7050UR-1 | 162.9150 | ![]() | 1044 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n55330dur -1 | 46.2900 | ![]() | 9437 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5530 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.1 V | 10 v | 60欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTXV1N3021C-1/TR | 27.1719 | ![]() | 2482 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N3021C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 8欧姆 | ||||||||||||
JAN1N555538C-1 | 11.0400 | ![]() | 9478 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5538 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 16.2 V | 18 V | 100欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTXV1N4118CUR-1 | 28.8000 | ![]() | 6259 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4118 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 20.5 V | 27 V | 150欧姆 | |||||||||||
JANTX1N5546D-1/TR | 19.5776 | ![]() | 9820 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5546D-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 29.7 V | 33 V | 100欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N5357BE3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 2784 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5357 | 5 w | T-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 14.4 V | 20 v | 3欧姆 | |||||||||||
1N829AE3 | 13.6200 | ![]() | 7127 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N829AE3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10欧姆 | ||||||||||||||
![]() | JANS1N4979DUS | 429.5200 | ![]() | 5121 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4979DUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4991D | 290.3700 | ![]() | 3693 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | E,轴向 | 5 w | E,轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 25.1 V | 240 v | 650欧姆 | |||||||||||||
![]() | JANS1N4988 | 103.9500 | ![]() | 2449 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | B,轴向 | 5 w | B,轴向 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 136.8 V | 180 v | 450欧姆 | ||||||||||||||
JANS1N5619US/TR | 78.0150 | ![]() | 6097 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/429 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | a,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5619US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 3 A | 250 ns | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | JANTX1N6873UTK2CS/TR | 413.4000 | ![]() | 1677年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6873UTK2CS/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2128R | 74.5200 | ![]() | 8389 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | DO-5(do-203ab) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2128R | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 70a | - | ||||||||||||
![]() | JANTX1N759DUR-1 | 17.8950 | ![]() | 8669 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N759 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 9 V | 12 v | 30欧姆 | |||||||||||
![]() | 1 PMT4116CE3/TR13 | 0.4950 | ![]() | 5482 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 1 w | do-216 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 18.25 V | 24 V | 150欧姆 | |||||||||||
![]() | UPR40E3/TR7 | 1.0650 | ![]() | 9061 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-216aa | UPR40 | 标准 | Powermite | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||
![]() | 1N5373BE3/TR8 | 2.6850 | ![]() | 1221 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5373 | 5 w | T-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 49 V | 68 v | 44欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N4150UBCA | 25.3950 | ![]() | 7132 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 标准 | UBC | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N4150UBCA | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 1 V @ 200 MA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65°C〜175°C | 200mA | 2.5pf @ 0v,1MHz | |||||||||||
![]() | SMBJ5926BE3/TR13 | 0.8850 | ![]() | 4404 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5926 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 5.5欧姆 | |||||||||||
![]() | SMBJ4762AE3/TR13 | 0.4350 | ![]() | 9031 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ4762 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 62.2 V | 82 v | 200欧姆 |
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