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![]() | SMBG5355CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 2363 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | SMBG5355 | 5 w | SMBG(DO-215AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 13 V | 18 V | 2.5欧姆 | |||||||||
![]() | SMBG5356C/TR13 | 2.8650 | ![]() | 3283 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | SMBG5356 | 5 w | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 13.7 V | 19 v | 3欧姆 | |||||||||
JANTX1N3040B-1 | - | ![]() | 3702 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 51.7 V | 68 v | 150欧姆 | |||||||||||
![]() | jankca1n4133 | - | ![]() | 8303 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | DO-7(do-204AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N4133 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 66.12 V | 87 v | 1000欧姆 | ||||||||||
![]() | SBR2520 | 46.5900 | ![]() | 1111 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | SBR25 | 肖特基 | DO-4(do-203AA) | - | 到达不受影响 | 150-SBR2520 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 1 V @ 25 A | 350 µA @ 20 V | - | 25a | - | |||||||||
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JANTX1N4969 | 6.2550 | ![]() | 2236 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4969 | 5 w | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 22.8 V | 30 V | 8欧姆 | ||||||||||
![]() | SMBJ5373B/TR13 | 1.6650 | ![]() | 1474 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5373 | 5 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 49 V | 68 v | 44欧姆 | |||||||||
![]() | CD755 | 1.6950 | ![]() | 2184 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | - | 到达不受影响 | 150-CD755 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 6欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N6023A | 1.9950 | ![]() | 8191 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6023 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 56 V | 91 v | 400欧姆 | |||||||||
![]() | 1N4625DUR-1 | 13.2734 | ![]() | 2131 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4625DUR-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 5.1 v | 1500欧姆 | ||||||||||
UTR11 | 9.2550 | ![]() | 9989 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 标准 | a,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-UTR11 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.1 V @ 500 mA | 250 ns | 3 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 100pf @ 0v,1MHz | ||||||||||
JANTX1N4481 | 11.5500 | ![]() | 6784 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4481 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 37.6 V | 47 V | 50欧姆 | ||||||||||
JANTXV1N6625US | 20.9100 | ![]() | 2381 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N6625 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1100 v | 1.75 V @ 1 A | 60 ns | 1 µA @ 1100 V | -65°C〜150°C | 1a | - | ||||||||
JANTX1N3039D-1 | 27.4500 | ![]() | 3749 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3039 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 47.1 V | 62 v | 125欧姆 | ||||||||||
![]() | 1n973a/tr | 2.0083 | ![]() | 9433 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N973A/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 58欧姆 | ||||||||||
![]() | SMBJ5368BE3/TR13 | 0.8250 | ![]() | 2862 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5368 | 5 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 33.8 V | 47 V | 25欧姆 | |||||||||
![]() | JANS1N4991D | 290.3700 | ![]() | 3693 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | E,轴向 | 5 w | E,轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 25.1 V | 240 v | 650欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N4129 | 2.4450 | ![]() | 4979 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 400兆 | do-213aa | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 10 NA @ 47.1 V | 62 v | 500欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANTX1N2813B | - | ![]() | 5146 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/114 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2813 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 11.4 V | 15 v | 1.4欧姆 | |||||||||
![]() | Jan1n3025bur-1 | 12.7350 | ![]() | 4083 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3025 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | |||||||||
![]() | JANS1N6343US | 164.8650 | ![]() | 9101 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 47 V | 62 v | 125欧姆 | |||||||||||
JANTXV1N6336D | 46.9200 | ![]() | 5663 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6336D | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 25 V | 33 V | 40欧姆 | ||||||||||||
![]() | JANS1N6318DUS | 412.1550 | ![]() | 3583 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6318 | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 v | 8欧姆 | |||||||||
![]() | UPR40E3/TR7 | 1.0650 | ![]() | 9061 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-216aa | UPR40 | 标准 | Powermite | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||
![]() | 1N4625ur | 5.9200 | ![]() | 4230 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4625 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 5.1 v | 1500欧姆 | |||||||||
![]() | JANTXV1N3344RB | - | ![]() | 2994 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 99.8 V | 130 v | 50欧姆 | |||||||||||
![]() | CDLL5253B/TR | 2.7132 | ![]() | 6286 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | 10兆 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5253B/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 19 V | 25 v | 35欧姆 |
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