SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
CDLL4372 Microchip Technology CDLL4372 5.9550
RFQ
ECAD 1936年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL4372 500兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 30 µA @ 1 V 3 V 29欧姆
JANTX1N6634US/TR Microchip Technology JANTX1N6634US/TR 527.5500
RFQ
ECAD 2901 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 5 w E-Melf - 到达不受影响 150-JANTX1N6634US/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 175 µA @ 1 V 3.9 v 2欧姆
SMBG5355CE3/TR13 Microchip Technology SMBG5355CE3/TR13 1.4400
RFQ
ECAD 2363 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMBG5355 5 w SMBG(DO-215AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 13 V 18 V 2.5欧姆
SMBG5356C/TR13 Microchip Technology SMBG5356C/TR13 2.8650
RFQ
ECAD 3283 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMBG5356 5 w SMBG(DO-215AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 13.7 V 19 v 3欧姆
JANTX1N3040B-1 Microchip Technology JANTX1N3040B-1 -
RFQ
ECAD 3702 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 在sic中停产 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 51.7 V 68 v 150欧姆
JANKCA1N4133 Microchip Technology jankca1n4133 -
RFQ
ECAD 8303 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500兆 DO-7(do-204AA) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCA1N4133 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 66.12 V 87 v 1000欧姆
SBR2520 Microchip Technology SBR2520 46.5900
RFQ
ECAD 1111 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 SBR25 肖特基 DO-4(do-203AA) - 到达不受影响 150-SBR2520 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 1 V @ 25 A 350 µA @ 20 V - 25a -
JANTXV1N6628/TR Microchip Technology JANTXV1N6628/TR 19.5900
RFQ
ECAD 9273 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/590 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 E,轴向 标准 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N6628/TR Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 660 v 1.35 V @ 2 A 30 ns 2 µA @ 660 V -65°C〜150°C 1.75a 40pf @ 10V,1MHz
JANTX1N4969 Microchip Technology JANTX1N4969 6.2550
RFQ
ECAD 2236 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4969 5 w - 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 22.8 V 30 V 8欧姆
SMBJ5373B/TR13 Microchip Technology SMBJ5373B/TR13 1.6650
RFQ
ECAD 1474 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5373 5 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 49 V 68 v 44欧姆
CD755 Microchip Technology CD755 1.6950
RFQ
ECAD 2184 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 500兆 - 到达不受影响 150-CD755 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 2 µA @ 5 V 7.5 v 6欧姆
1N6023A Microchip Technology 1N6023A 1.9950
RFQ
ECAD 8191 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N6023 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 56 V 91 v 400欧姆
1N4625DUR-1 Microchip Technology 1N4625DUR-1 13.2734
RFQ
ECAD 2131 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N4625DUR-1 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.1 v 1500欧姆
UTR11 Microchip Technology UTR11 9.2550
RFQ
ECAD 9989 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 标准 a,轴向 - 到达不受影响 150-UTR11 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.1 V @ 500 mA 250 ns 3 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 100pf @ 0v,1MHz
JANTX1N4481 Microchip Technology JANTX1N4481 11.5500
RFQ
ECAD 6784 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4481 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 37.6 V 47 V 50欧姆
JANTXV1N6625US Microchip Technology JANTXV1N6625US 20.9100
RFQ
ECAD 2381 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/585 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N6625 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1100 v 1.75 V @ 1 A 60 ns 1 µA @ 1100 V -65°C〜150°C 1a -
JANTX1N3039D-1 Microchip Technology JANTX1N3039D-1 27.4500
RFQ
ECAD 3749 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3039 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 47.1 V 62 v 125欧姆
1N973A/TR Microchip Technology 1n973a/tr 2.0083
RFQ
ECAD 9433 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500兆 do-7 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N973A/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 25.1 V 33 V 58欧姆
SMBJ5368BE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5368BE3/TR13 0.8250
RFQ
ECAD 2862 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5368 5 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 33.8 V 47 V 25欧姆
JANS1N4991D Microchip Technology JANS1N4991D 290.3700
RFQ
ECAD 3693 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 E,轴向 5 w E,轴向 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 25.1 V 240 v 650欧姆
1N4129 Microchip Technology 1N4129 2.4450
RFQ
ECAD 4979 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 表面安装 do-213aa 400兆 do-213aa 下载 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 10 NA @ 47.1 V 62 v 500欧姆
JANTX1N2813B Microchip Technology JANTX1N2813B -
RFQ
ECAD 5146 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2813 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 11.4 V 15 v 1.4欧姆
JAN1N3025BUR-1 Microchip Technology Jan1n3025bur-1 12.7350
RFQ
ECAD 4083 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3025 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 12.2 V 16 V 16欧姆
JANS1N6343US Microchip Technology JANS1N6343US 164.8650
RFQ
ECAD 9101 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 47 V 62 v 125欧姆
JANTXV1N6336D Microchip Technology JANTXV1N6336D 46.9200
RFQ
ECAD 5663 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-JANTXV1N6336D Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 na @ 25 V 33 V 40欧姆
JANS1N6318DUS Microchip Technology JANS1N6318DUS 412.1550
RFQ
ECAD 3583 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,b 1N6318 500兆 B,平方米 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 2.5 V 5.6 v 8欧姆
UPR40E3/TR7 Microchip Technology UPR40E3/TR7 1.0650
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-216aa UPR40 标准 Powermite 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 1 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C 2a -
1N4625UR Microchip Technology 1N4625ur 5.9200
RFQ
ECAD 4230 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4625 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.1 v 1500欧姆
JANTXV1N3344RB Microchip Technology JANTXV1N3344RB -
RFQ
ECAD 2994 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 50 W do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 99.8 V 130 v 50欧姆
CDLL5253B/TR Microchip Technology CDLL5253B/TR 2.7132
RFQ
ECAD 6286 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf 10兆 do-213ab 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5253B/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 19 V 25 v 35欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库