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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N4614-1	6.9450	RFQ	3359	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4614		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1 V				1.8 v	1200欧姆
CDLL5248A/TR	2.7132	RFQ	1692年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5248A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 14 V				18 V	21欧姆
1 PMT5951AE3/TR7	0.7350	RFQ	1306	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V				120 v	380欧姆
R34150	49.0050	RFQ	9506	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R34150			1
CDS5244BUR-1	-	RFQ	3952	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5244BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N972BE3/tr	2.4450	RFQ	7271	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N972BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	385					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V				30 V	49欧姆
JANTX1N759D-1	7.5450	RFQ	4165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N759		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
CDLL4927A/TR	100.6200	RFQ	9871	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4927A/TR	Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 12 V				19.2 v	75欧姆
Jan1n3014b	-	RFQ	4771	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 136.8 V				180 v	260欧姆
1N1200R	34.7100	RFQ	4556	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1200	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	12a	-
R417-1	102.2400	RFQ	9783	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R417-1			1
1N5104	23.4000	RFQ	8749	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-			到达不受影响	150-1N5104	Ear99	8541.10.0050	1							1 µA @ 152 V				200 v	950欧姆
Jan1n5195ur	27.0900	RFQ	5733	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/118	大部分	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		180 v		1 V @ 100 ma			-65°C〜175°C	200mA	-
1月1N2989B	-	RFQ	1635年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2989		10 W	DO-213AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 22.8 V				30 V	8欧姆
JANTXV1N4134-1	9.0450	RFQ	5478	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4134		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1200欧姆
1N5523	1.8150	RFQ	4433	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5523	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				5.1 v
CDLL5248A	2.8650	RFQ	6249	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5248		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 14 V				18 V	21欧姆
JANS1N6345DUS	527.5650	RFQ	4317	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6345DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 56 V				75 v	180欧姆
1N4900A	25.8900	RFQ	7309	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4900		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											12.8 v	200欧姆
1N4968	6.9150	RFQ	9341	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4968		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 20.6 V				27 V	6欧姆
JANS1N5809US	42.7650	RFQ	1370	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		875 mv @ 4 A	30 ns		-65°C〜175°C	3a	-
1N5992A	1.9950	RFQ	9931	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5992		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.7 v	90欧姆
1N5365CE3/TR12	3.3900	RFQ	8977	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5365		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 25.9 V				36 V	11欧姆
JANTX1N4621DUR-1	28.9500	RFQ	9933	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4621		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
JANTXV1N6315C	36.0300	RFQ	5840	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6315		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				4.3 v	20欧姆
Jan1n4574aur-1/tr	30.3450	RFQ	5364	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4574AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
S306070F	49.0050	RFQ	5354	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S306070F			1
UPS5100E3/TR13	0.7200	RFQ	27	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerMite®3	UPS5100	肖特基		Powermite 3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		810 MV @ 5 A		200 µA @ 100 V	-55°C〜125°C	5a	150pf @ 4V，1MHz
ST3010C	63.3000	RFQ	4969	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3010	标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3010C	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	100 v	15a	1.2 V @ 15 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C
CDLL5271A	3.5850	RFQ	2083	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5271		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 76 V				100 v	500欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²