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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
MSCDC450A120AG	527.8000	RFQ	6434	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	模块	MSCDC450	SIC （碳化硅）		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC450A120AG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对系列连接	1200 v	450a	1.8 V @ 450 A	0 ns	1.8 ma @ 1200 V	-40°C〜175°C
1N720A	1.9200	RFQ	9831	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N720		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											18 V	17欧姆
1N5278B	2.7664	RFQ	2798	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5278B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 129 V				170 v	1900欧姆
1月1N829-1/tr	9.1050	RFQ	7870	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N829-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANTXV1N753CUR-1	19.1700	RFQ	8071	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N753		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	7欧姆
JANTXV1N6314C	36.0300	RFQ	4952	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6314		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
JANS1N4128UR-1/TR	45.8600	RFQ	2080	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4128UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
SMBJ5926BE3/TR13	0.8850	RFQ	4404	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5926		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
JANTX1N972DUR-1	19.4700	RFQ	1865年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N972		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 23 V				30 V	49欧姆
CDLL4372	5.9550	RFQ	1936年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4372		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		30 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
JANTX1N6634US/TR	527.5500	RFQ	2901	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTX1N6634US/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		175 µA @ 1 V				3.9 v	2欧姆
SMBG5355CE3/TR13	1.4400	RFQ	2363	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5355		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13 V				18 V	2.5欧姆
SMBG5356C/TR13	2.8650	RFQ	3283	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5356		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13.7 V				19 v	3欧姆
JANTX1N3040B-1	-	RFQ	3702	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
jankca1n4133	-	RFQ	8303	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N4133	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 66.12 V				87 v	1000欧姆
SBR2520	46.5900	RFQ	1111	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	SBR25	肖特基		DO-4（do-203AA）	-			到达不受影响	150-SBR2520	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		1 V @ 25 A		350 µA @ 20 V	-	25a	-
JANTXV1N6628/TR	19.5900	RFQ	9273	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向		标准			-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6628/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		660 v		1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 660 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
JANTX1N4969	6.2550	RFQ	2236	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4969		5 w	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 22.8 V				30 V	8欧姆
SMBJ5373B/TR13	1.6650	RFQ	1474	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5373		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 49 V				68 v	44欧姆
CD755	1.6950	RFQ	2184	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD755	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
1N6023A	1.9950	RFQ	8191	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6023		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 56 V				91 v	400欧姆
1N4625DUR-1	13.2734	RFQ	2131	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4625DUR-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
UTR11	9.2550	RFQ	9989	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-			到达不受影响	150-UTR11	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1.1 V @ 500 mA	250 ns	3 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	100pf @ 0v，1MHz
JANTX1N4481	11.5500	RFQ	6784	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4481		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 37.6 V				47 V	50欧姆
JANTXV1N6625US	20.9100	RFQ	2381	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6625	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1100 v		1.75 V @ 1 A	60 ns	1 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1a	-
JANTX1N3039D-1	27.4500	RFQ	3749	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3039		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 47.1 V				62 v	125欧姆
1n973a/tr	2.0083	RFQ	9433	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N973A/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	58欧姆
SMBJ5368BE3/TR13	0.8250	RFQ	2862	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5368		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 33.8 V				47 V	25欧姆
JANS1N4991D	290.3700	RFQ	3693	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 25.1 V				240 v	650欧姆
1N4129	2.4450	RFQ	4979	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		10 NA @ 47.1 V				62 v	500欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²