RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5993D	-	RFQ	3721	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				5.1 v	50欧姆
1 PMT5939AE3/TR13	0.7350	RFQ	6325	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 v	45欧姆
1N4745P/TR12	1.8600	RFQ	5301	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4745		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
1N3167	195.7200	RFQ	1361	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3167	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3167MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	350 v	1.25 V @ 240 A		75 µA @ 350 V	-65°C 〜200°C	240a	-
SMBJ4744/TR13	0.8700	RFQ	6186	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4744		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
Jan1n3025bur-1	12.7350	RFQ	4083	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3025		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
CD755	1.6950	RFQ	2184	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD755	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
JANS1N6318DUS	412.1550	RFQ	3583	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6318		500兆	B，平方米	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2.5 V				5.6 v	8欧姆
JANTX1N6767R	-	RFQ	5338	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.55 V @ 12 A	60 ns	10 µA @ 480 V	-	12a	300pf @ 5V，1MHz
1N4625ur	5.9200	RFQ	4230	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4625		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
SBR2520	46.5900	RFQ	1111	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	SBR25	肖特基		DO-4（do-203AA）	-			到达不受影响	150-SBR2520	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	1 V @ 25 A		350 µA @ 20 V	-	25a	-
JANTXV1N3344RB	-	RFQ	2994	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 99.8 V				130 v	50欧姆
JANTXV1N5542B-1	9.1200	RFQ	6580	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19.8 V				22 v	100欧姆
JANTXV1N4125D-1/TR	25.8153	RFQ	5464	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4125D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 35.8 V				47 V	250欧姆
1N753	2.1600	RFQ	4065	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V				6.2 v	7欧姆
1N6903UTK3	259.3500	RFQ	2503	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N6903UTK3			1
1N3034B-1	8.1900	RFQ	4252	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3034		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
S30780	49.0050	RFQ	1289	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S30780			1
JANS1N4966D	374.1920	RFQ	9227	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4966D	Ear99	8541.10.0050	1
1N3911A	48.5400	RFQ	7420	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3911	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.4 V @ 50 A	150 ns	15 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	50a	-
CDLL959	2.8650	RFQ	5360	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL959		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 6.2 V				8.2 v	6.5欧姆
Jan1n5196us/tr	27.2400	RFQ	7324	微芯片技术	MIL-PRF-19500/118	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	-				150-JAN1N5196US/TR			100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	225 v	1 V @ 100 ma		1 µA @ 250 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTXV1N6336D	46.9200	RFQ	5663	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6336D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 25 V				33 V	40欧姆
1N6023A	1.9950	RFQ	8191	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6023		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 56 V				91 v	400欧姆
1月1N989B-1	-	RFQ	8334	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V				150 v	1500欧姆
JANS1N4128C-1	67.5450	RFQ	2026	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
CDLL5524B	4.6500	RFQ	8666	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5524		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
JANTXV1N753CUR-1	19.1700	RFQ	8071	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N753		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	7欧姆
1N4576A	8.4300	RFQ	9994	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4576A	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
JANS1N4128UR-1/TR	45.8600	RFQ	2080	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4128UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²