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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N6882UTK4CS	259.3500	RFQ	2360	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N6882UTK4CS			1
Janhca1n4122c	-	RFQ	6667	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4122c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 27.38 V				36 V	200欧姆
JANTX1N4479CUS/TR	28.3050	RFQ	9074	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N4479CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 31.2 V				39 v	30欧姆
JANTXV1N3012RB	956.9250	RFQ	4331	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 121.6 V				160 v	200欧姆
JANS1N7050UR-1	162.9150	RFQ	1044	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
Jan1n55330dur -1	46.2900	RFQ	9437	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5530		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				10 v	60欧姆
JANTXV1N3021C-1/TR	27.1719	RFQ	2482	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3021C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
JAN1N555538C-1	11.0400	RFQ	9478	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5538		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V				18 V	100欧姆
JANTXV1N4118CUR-1	28.8000	RFQ	6259	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4118		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V				27 V	150欧姆
JANTX1N5546D-1/TR	19.5776	RFQ	9820	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5546D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆
1N5357BE3/TR13	0.9900	RFQ	2784	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V				20 v	3欧姆
1N829AE3	13.6200	RFQ	7127	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N829AE3	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
JANS1N4979DUS	429.5200	RFQ	5121	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4979DUS	Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N4991D	290.3700	RFQ	3693	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 25.1 V				240 v	650欧姆
JANS1N4988	103.9500	RFQ	2449	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
JANS1N5619US/TR	78.0150	RFQ	6097	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5619US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.6 V @ 3 A	250 ns		-65°C〜175°C	1a	-
JANTX1N6873UTK2CS/TR	413.4000	RFQ	1677年	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-JANTX1N6873UTK2CS/TR			100
1N2128R	74.5200	RFQ	8389	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2128R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANTX1N759DUR-1	17.8950	RFQ	8669	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N759		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
1 PMT4116CE3/TR13	0.4950	RFQ	5482	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.25 V				24 V	150欧姆
UPR40E3/TR7	1.0650	RFQ	9061	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPR40	标准		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.25 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	2a	-
1N5373BE3/TR8	2.6850	RFQ	1221	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5373		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 49 V				68 v	44欧姆
1N4150UBCA	25.3950	RFQ	7132	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		标准		UBC	下载			到达不受影响	150-1N4150UBCA	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
SMBJ5926BE3/TR13	0.8850	RFQ	4404	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5926		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
Jan1n6353us	-	RFQ	8900	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 122 V				151 v	1200欧姆
1N3271	151.2750	RFQ	7103	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3271	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3271MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 800 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTXV1N3340RB	-	RFQ	9747	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V				100 v	20欧姆
1N4699E3	4.1250	RFQ	4037	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N4699E3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				12 v
CD5359B	5.0274	RFQ	9088	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5359B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 na @ 18.2 V				24 V	3.5欧姆
1N2972RB	-	RFQ	6032	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2972		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²