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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n748a-1	2.0250	RFQ	4147	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N748		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
SMBJ5369CE3/TR13	1.0800	RFQ	1251	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5369		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 36.7 V				51 v	27欧姆
Jan1n2810b	-	RFQ	5846	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2810		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 9.1 V				12 v	1欧姆
1 PMT4099C/TR7	1.2900	RFQ	6497	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点4099		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5.17 V				6.8 v	200欧姆
S306040F	49.0050	RFQ	9147	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S306040F			1
CDLL4749A	3.5400	RFQ	2493	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4749			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 18.2 V				24 V	25欧姆
1N5913B	3.0300	RFQ	4739	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5913		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5913BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
JANTX1N4978CUS/TR	24.7500	RFQ	9391	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4978CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 51.7 V				68 v	50欧姆
1月1N3913	-	RFQ	7950	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.4 V @ 50 A	200 ns		-65°C〜150°C	30a	-
JANS1N4975CUS	343.6210	RFQ	2889	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4975CUS	Ear99	8541.10.0050	1
1N5344E3/TR13	0.9900	RFQ	7747	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5344		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆
JANTXV1N3155UR-1	-	RFQ	9238	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
JANTXV1N5190	16.2300	RFQ	6444	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/297	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5190	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.5 V @ 9 A		2 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N4989US	115.5000	RFQ	5305	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 152 V				200 v	550欧姆
R37100	59.0400	RFQ	9735	微芯片技术	SR37	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1.15 V @ 200 A			-65°C 〜200°C	85a	-
CDLL759	2.8650	RFQ	8139	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL759		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
1N5936E3/TR13	-	RFQ	9165	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5936		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
1月1N6320C	24.3300	RFQ	5907	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6320		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V				6.8 v	3欧姆
1N5535B	2.8950	RFQ	4828	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5535		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V				15 v	102欧姆
JANTXV1N4965US	15.9750	RFQ	7720	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4965		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 15.2 V				20 v	4.5欧姆
UZ807	22.4400	RFQ	3942	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ807	Ear99	8541.10.0050	1
SMBJ5346AE3/TR13	0.8100	RFQ	4942	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5346		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		7.5 µA @ 6.6 V				9.1 v	2欧姆
R20410	33.4500	RFQ	4006	微芯片技术	R204	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	R204	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	12a	-
JANTXV1N972BUR-1/TR	6.8495	RFQ	5008	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N972BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 23 V				30 V	49欧姆
1N5370A/TR8	-	RFQ	3135	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 40.3 V				56 v	35欧姆
1N2997B	36.9900	RFQ	3453	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2997		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 38.8 V				51 v	15欧姆
JANTX1N4942/TR	5.4600	RFQ	4668	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/359	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4942/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANTXV1N4466CUS	45.1350	RFQ	1198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4466		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
1N5991CE3	3.4846	RFQ	1784年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5991CE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	88欧姆
R5340T	158.8200	RFQ	5198	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R5340TS			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²