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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5236BUR-1/TR	3.0900	RFQ	2089	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	323			1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 6 V				7.5 v	6欧姆
JANS1N4489CUS/TR	283.9800	RFQ	9216	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4489CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A	250 na @ 80 V				100 v	250欧姆
1N975B/TR	2.1014	RFQ	6331	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N975B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 29.7 V				39 v	80欧姆
JANTXV1N5546D-1/TR	26.0414	RFQ	2963	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5546D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆
1N5231BUR-1	4.8200	RFQ	258	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N5231		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 2 V				5.1 v	17欧姆
JANS1N4104DUR-1	147.2700	RFQ	1124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
1N4574-1/tr	29.5200	RFQ	7831	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4574-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JANTXV1N3000RB	-	RFQ	5038	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 47.1 V				62 v	17欧姆
1N2834A	94.8900	RFQ	5368	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2834		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 51.7 V				68 v	8欧姆
JANTX1N4105C-1	16.0500	RFQ	4202	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4105		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
1N4109CUR-1/TR	6.9300	RFQ	3862	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N4109CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
CDS5231D-1	-	RFQ	6550	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5231D-1	Ear99	8541.10.0050	50
1月1N942BUR-1	-	RFQ	9100	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
1N4125/tr	2.3408	RFQ	4947	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4125/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 35.75 V				47 V	250欧姆
JANTX1N4114DUR-1	31.0500	RFQ	2086	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4114		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
JANTXV1N4977CUS	40.8900	RFQ	2869	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4977CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 47.1 V				62 v	42欧姆
JANTX1N4573AUR-1	23.9400	RFQ	3520	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-		（1 （无限）	到达不受影响	JANTX1N4573AUR-1MS	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JANTX1N747D-1/TR	6.5702	RFQ	2559	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N747D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1N6031B	2.7750	RFQ	7588	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6031		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 NA @ 152 V				200 v	2000年
JANS1N6636US	-	RFQ	5827	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	20 µA @ 1 V				4.7 v	2欧姆
SMAJ4737CE3/TR13	0.6450	RFQ	3692	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4737		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
1N4754APE3/TR8	0.9450	RFQ	2927	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4754		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
JAN1N4105DUR-1/TR	16.3058	RFQ	3082	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4105DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
1月1N4459	45.7050	RFQ	3564	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/162	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N4459	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.5 V @ 15 A	50 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	15a	-
1N5366AE3/TR8	-	RFQ	5391	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5366		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 28.1 V				39 v	14欧姆
1 PMT4105E3/TR13	0.4950	RFQ	6610	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 8.44 V				11 V	200欧姆
S4260F	57.8550	RFQ	9614	微芯片技术	S42	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	S4260	标准		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.2 V @ 200 A	50 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	125a	-
1N6341	8.4150	RFQ	8152	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6341		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 39 V				51 v	85欧姆
1N6022B	2.0700	RFQ	3921	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6022		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 na @ 62 V				82 v	280欧姆
UZ7806	468.9900	RFQ	5464	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7806	Ear99	8541.10.0050	1				1 mA @ 4.9 V				6.8 v	0.6欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²