RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N6315	14.0700	RFQ	6498	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6315		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				4.3 v	20欧姆
JANS1N4133-1/TR	31.6700	RFQ	9470	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4133-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V				87 v	1欧姆
1月1N6630	13.2600	RFQ	5811	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			通过洞	E，轴向	1N6630	标准			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		900 v		1.4 V @ 1.4 A	50 ns	2 µA @ 900 V	-65°C〜150°C	1.4a	-
1N5536D	5.6850	RFQ	2965	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5536D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100欧姆
JANTX1N4549RB	-	RFQ	2307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		150 µA @ 500 mV				3.9 v	0.16欧姆
1N4485US	11.3550	RFQ	6443	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4485		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4485USM	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 54.4 V				68 v	100欧姆
Jan1n2824b	-	RFQ	2815	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2824		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 25.1 V				33 V	3.2欧姆
JANTX1N3825AR-1	15.9000	RFQ	6421	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3825		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
JANS1N4966CUS/TR	368.3100	RFQ	3739	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4966CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 16.7 V				22 v	5欧姆
CDLL4583	18.4950	RFQ	5778	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa	CDLL4583		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					25欧姆
JANTX1N6329DUS	57.9000	RFQ	7804	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTX1N6329DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 12 V				16 V	12欧姆
1N6642UBD/tr	15.6940	RFQ	5236	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		标准		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6642UBD/tr	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				1.2 V @ 100 ma	5 ns		-	-	5pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N2982B	-	RFQ	5868	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 13.7 V				18 V	4欧姆
1 PMT4115CE3/TR13	0.4950	RFQ	5319	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 16.72 V				22 v	150欧姆
1N5188	-	RFQ	9914	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.5 V @ 9 A	250 ns	2 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
CDLL5274D	8.4150	RFQ	6359	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5274D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 94 V				130 v	1100欧姆
CD4575A	5.4150	RFQ	7752	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4575A	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
1N6658	242.5050	RFQ	4915	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/616	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA	1N6658	标准		TO-254	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	15a	1 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-
1n1373a	44.3850	RFQ	4452	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N137		10 W	DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响	150-1N1373A	Ear99	8541.10.0050	1											82 v	22欧姆
JANTX1N6765R	-	RFQ	8584	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.05 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-	12a	300pf @ 5V，1MHz
JANTXV1N758A-1	5.1150	RFQ	4853	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N758		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8 V				10 v	7欧姆
JANTXV1N5524DUR-1	66.0450	RFQ	6347	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	2266-JANTXV1N5524DUR-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
JANS1N6643US	33.3900	RFQ	1852年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.2 V @ 100 ma	6 ns		-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
JANS1N4566AR-1	163.6800	RFQ	2396	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
1N5344/TR12	2.6250	RFQ	9321	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5344		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆
1N1200BR	34.7100	RFQ	9806	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1200	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	12a	-
1N4752AP/TR12	1.8900	RFQ	1643年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4752		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
S2580	33.4500	RFQ	2358	微芯片技术	S25	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S258	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.1 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	25a	-
JANTX1N4958DUS/TR	32.4000	RFQ	8144	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4958DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		25 µA @ 7.6 V				10 v	2欧姆
Jan1n5417us	9.3600	RFQ	4806	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b	1N5417	标准		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²