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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
DSB0.5A40/tr	-	RFQ	6546	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-DSB0.5A40/tr	Ear99	8541.10.0070	228	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	650 MV @ 500 mA		10 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	500mA	60pf @ 0v，1MHz
JANTX1N3910	-	RFQ	8923	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.4 V @ 50 A	200 ns		-65°C〜150°C	30a	-
1N5353/TR8	2.6250	RFQ	6641	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5353		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 11.5 V				16 V	2.5欧姆
JANTXV1N4615UR-1	14.1300	RFQ	4027	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4615		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V				2 v	1250欧姆
CDLL968	2.8650	RFQ	9211	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL968		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 15 V				20 v	25欧姆
CD3027A	4.0650	RFQ	9394	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	-			到达不受影响	150-CD3027A	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 15.2 V				20 v	22欧姆
JANTX1N3827D-1	27.4650	RFQ	3527	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3827		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V				5.6 v	5欧姆
UZ8830	20.5751	RFQ	5436	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			1 w	a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-UZ8830	Ear99	8541.10.0050	1					500 NA @ 22.8 V				30 V	40欧姆
1N1126A	38.3850	RFQ	2063	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1126	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	2.2 V @ 10 A		5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3.3a	-
JANTXV1N6312D	45.0600	RFQ	6752	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6312		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				3.3 v	27欧姆
1N6010ur	3.5850	RFQ	3803	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6010				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N2999RB	-	RFQ	2869	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 42.6 V				56 v	16欧姆
JANTX1N6316US/TR	-	RFQ	8568	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6316		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	17欧姆
JANTX1N2970RB	-	RFQ	1293	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	1.2欧姆
JANS1N4134CUR-1/TR	91.5802	RFQ	1302	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4134CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1.2欧姆
1N4125-1	3.7950	RFQ	4661	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4125		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 35.8 V				47 V	250欧姆
Jan1n3017c-1	19.5600	RFQ	4812	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3017		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V				7.5 v	4欧姆
JANS1N6316	114.5850	RFQ	2081	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	托盘	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6316		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	17欧姆
1 PMT4129/TR7	0.9600	RFQ	2088	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4129		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 47.1 V				62 v	250欧姆
JANTX1N4996DUS/TR	-	RFQ	3295	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANTX1N4996DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
Jan1n4981d	23.2350	RFQ	9185	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4981		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 69.2 V				91 v	90欧姆
1N5824E3	55.9800	RFQ	7869	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向		肖特基		轴向	-			到达不受影响	150-1N5824E3	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	370 mv @ 5 a		10 mA @ 30 V	-65°C〜125°C	5a	-
JANTXV1N2823RB	-	RFQ	2314	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2823		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 22.8 V				30 V	3欧姆
1N5920D	7.5450	RFQ	4505	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5920		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				6.2 v	2欧姆
1N5366CE3/TR12	3.3900	RFQ	1150	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5366		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 28.1 V				39 v	14欧姆
1N6010D	5.1900	RFQ	6845	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6010		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 21 V				27 V	70欧姆
JANTX1N6485DUS	-	RFQ	1348	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
JANTX1N5711UBCC	104.4300	RFQ	4532	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 15 ma		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz
1N5993D	-	RFQ	3721	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				5.1 v	50欧姆
1 PMT5939AE3/TR13	0.7350	RFQ	6325	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 v	45欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²