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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
jankca1n4569a	-	RFQ	3901	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N4569A	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
UFS520G/TR13	4.1400	RFQ	7082	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	UFS520	标准		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	950 mv @ 5 a	30 ns	10 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C	5a	-
JANS1N4992US	115.5000	RFQ	1488	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V				270 v	800欧姆
CDLL4716C	5.9185	RFQ	1901年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4716C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 29.8 V				39 v
JANS1N4464US/TR	85.9004	RFQ	7607	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4464US/TR	Ear99	8541.10.0050	1
1N5064	23.4000	RFQ	9129	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-			到达不受影响	150-1N5064	Ear99	8541.10.0050	1					300 µA @ 5.7 V				7.5 v	2欧姆
JANS1N827-1	166.5750	RFQ	6346	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANTX1N3037CUR-1	37.3500	RFQ	6930	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3037		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 38.8 V				51 v	95欧姆
1N4689E3	4.5900	RFQ	6131	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N4689E3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				5.1 v
1N4720	47.3250	RFQ	2255	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向	1N4720	标准		轴向	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1 V @ 3 A		25 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTX1N982C-1	11.3850	RFQ	7940	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N982		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V				75 v	270欧姆
BZV55C4V7	2.9400	RFQ	2031	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C4V7			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V				4.7 v
1N2836A	94.8900	RFQ	8267	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2836		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 62.2 V				82 v	11欧姆
JANTX1N7052UR-1/TR	10.9650	RFQ	3105	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N7052UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL5259A	2.8650	RFQ	2670	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5259		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 30 V				39 v	80欧姆
JANTX1N4099-1/TR	4.5486	RFQ	3206	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4099-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 v	200欧姆
JANTX1N6940UTK3	-	RFQ	9395	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基		Thinkey™3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	15 v	500 mv @ 150 A		5 ma @ 15 V	-65°C〜150°C	150a
JANTXV1N6489CUS	-	RFQ	3641	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		4 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
1N5353AE3/TR13	0.9900	RFQ	9278	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5353		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 11.5 V				16 V	2.5欧姆
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CDLL5243A/TR	2.7132	RFQ	3686	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5243A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V				13 V	13欧姆
CDLL5273D	8.4150	RFQ	4350	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5273D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 86 V				120 v	900欧姆
JAN1N4105D-1/TR	11.7838	RFQ	6996	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4105D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
UPS120EE3/TR13	0.4800	RFQ	8599	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS120	肖特基		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	530 MV @ 1 A		10 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	1a	-
1N5232	2.7150	RFQ	1000	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N5232	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 2.9 V				5.6 v	11欧姆
JANTX1N4134UR-1	9.4950	RFQ	8972	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4134		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1200欧姆
BZV55C10/TR	4.7250	RFQ	3912	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-BZV55C10/TR	Ear99	8541.10.0050	200			1.1 V @ 200 ma		200 na @ 7 V				10 v	20欧姆
JANTXV1N5711UBD	120.5850	RFQ	3875	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 15 ma		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz
Jan1n6642ub	20.6700	RFQ	3376	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N6642	标准		UB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²