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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5357BE3/TR13	0.9900	RFQ	2784	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V				20 v	3欧姆
CDLL4910A	104.3100	RFQ	5271	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4910		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				12.8 v	50欧姆
1N2972RB	-	RFQ	6032	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2972		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
1N6882UTK4CS	259.3500	RFQ	2360	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N6882UTK4CS			1
CDLL5524B	4.6500	RFQ	8666	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5524		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
1N5373BE3/TR8	2.6850	RFQ	1221	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5373		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 49 V				68 v	44欧姆
Janhca1n4122c	-	RFQ	6667	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4122c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 27.38 V				36 V	200欧姆
1N4576A	8.4300	RFQ	9994	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4576A	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
1月1N4988	-	RFQ	7316	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向			5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
Jan1n5526bur-1/tr	12.9542	RFQ	6361	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5526BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
JANTX1N4472US/TR	12.8611	RFQ	4718	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4472US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 na @ 16 V				20 v	650欧姆
JANTXV1N4128CUR-1	28.8000	RFQ	8487	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4128		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
CDLL4776A/TR	38.7150	RFQ	1973	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4776A/TR	Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				8.5 v	200欧姆
1N5925AP/TR8	1.8600	RFQ	6130	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5925		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V				10 v	4.5欧姆
JANTXV1N749D-1/TR	12.7680	RFQ	2377	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N749D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				4.3 v	22欧姆
1月1N6778	-	RFQ	5818	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.6 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 320 V	150°C （最大）	15a	300pf @ 5V，1MHz
1N3595AUS/TR	9.9200	RFQ	9392	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	-							100	小信号= <200ma（io（io），任何速度		125 v		920 MV @ 100 mA	3 µs	2 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	150mA	8pf @ 0v，1MHz
JANTX1N4148UBCD	30.9358	RFQ	3799	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N4148	标准		UBC	-			到达不受影响	150-JANTX1N4148UBCD	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	75 v	1a	800 mv @ 100 ma	5 ns	25 na @ 20 V	-65°C 〜200°C
SMBJ5360A/TR13	1.6350	RFQ	8592	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5360		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 na @ 18 V				25 v	4欧姆
1月1N989B-1	-	RFQ	8334	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V				150 v	1500欧姆
JANS1N4128C-1	67.5450	RFQ	2026	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
1N825AE3/tr	4.4550	RFQ	9836	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N825AE3/tr	Ear99	8541.10.0050	212							2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
JANS1N4988	103.9500	RFQ	2449	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
JANTXV1N4125D-1/TR	25.8153	RFQ	5464	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4125D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 35.8 V				47 V	250欧姆
Jan1n4486us	10.8150	RFQ	5483	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4486		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		250 na @ 60 V				75 v	130欧姆
MSCDC450A120AG	527.8000	RFQ	6434	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	模块	MSCDC450	SIC （碳化硅）		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC450A120AG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对系列连接	1200 v	450a	1.8 V @ 450 A	0 ns	1.8 ma @ 1200 V	-40°C〜175°C
1N720A	1.9200	RFQ	9831	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N720		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											18 V	17欧姆
1N5278B	2.7664	RFQ	2798	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5278B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 129 V				170 v	1900欧姆
1月1N829-1/tr	9.1050	RFQ	7870	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N829-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JANTXV1N753CUR-1	19.1700	RFQ	8071	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N753		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	7欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²