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![]() | Jan1n6642ubca | - | ![]() | 8453 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 标准 | UB | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 5 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | 5pf @ 0v,1MHz | |||||||
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![]() | Jan1n6642ubd | 23.9400 | ![]() | 2745 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 1N6642 | 标准 | UB | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 5 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||||||
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![]() | JANTXV1N6844U3 | 172.8750 | ![]() | 6849 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 1N6844 | 标准 | U3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||||||
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Jan1n746d-1 | 6.4950 | ![]() | 7741 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N746 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 17欧姆 | |||||||||
JANTX1N746D-1 | - | ![]() | 3698 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 在sic中停产 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 28欧姆 | ||||||||||
![]() | JAN1N746DUR-1 | 14.2500 | ![]() | 9877 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N746 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 17欧姆 | ||||||||
JANTXV1N747A-1 | - | ![]() | 6262 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTX1N74777AR-1 | 4.7100 | ![]() | 5761 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N747 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24欧姆 | ||||||||
![]() | 1月1N748AR-1 | - | ![]() | 5766 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | |||||||||
![]() | JANTXV1N748CUR-1 | 19.7700 | ![]() | 1362 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N748 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | ||||||||
JAN1N748D-1 | 6.4950 | ![]() | 4049 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N748 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | |||||||||
JANTX1N748D-1 | 7.2600 | ![]() | 4039 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N748 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | |||||||||
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Jan1n749d-1 | 6.4950 | ![]() | 3966 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N749 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 22欧姆 | |||||||||
![]() | JANTX1N749DUR-1 | 15.0750 | ![]() | 8123 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N749 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 22欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N750AR-1 | 7.4850 | ![]() | 6169 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N750 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 19欧姆 | ||||||||
![]() | JAN1N750CUR-1 | 11.3850 | ![]() | 1065 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N750 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 19欧姆 | ||||||||
JAN1N750D-1 | 6.4950 | ![]() | 3910 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N750 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 19欧姆 | |||||||||
JANTX1N750D-1 | 7.2600 | ![]() | 9057 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N750 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 19欧姆 | |||||||||
![]() | JAN1N750DUR-1 | 14.2500 | ![]() | 2113 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N750 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 19欧姆 |
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