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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N6540	16.5300	RFQ	1723年	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6540				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
JAN1N6317DUS	48.9150	RFQ	2906	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6317		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2 V				5.1 v	14欧姆
CD4693	2.3408	RFQ	7960	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4693	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 5.7 V				7.5 v
JANS1N6662US	-	RFQ	4094	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6662	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1 V @ 400 MA		50 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	500mA	-
1N4710UR-1	5.0850	RFQ	8189	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4710		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 ma		10 na @ 19 V				25 v
JAN1N3042CUR-1	32.5950	RFQ	8749	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3042		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
1 PMT4112/TR13	0.9600	RFQ	6151	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.37 V				18 V	100欧姆
JANTX1N4963	6.1650	RFQ	6615	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4963		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 12.2 V				16 V	3.5欧姆
1N4480/tr	4.5486	RFQ	8444	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4480/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 34.4 V				43 V	40欧姆
JANTXV1N4471US/TR	22.7696	RFQ	1856年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4471US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V				18 V	11欧姆
JANTXV1N4116C-1	23.1600	RFQ	7151	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4116		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V				24 V	150欧姆
JANTX1N962D-1	6.9900	RFQ	4008	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N962		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	9.5欧姆
JANTX1N982DUR-1	19.4700	RFQ	7388	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N982		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V				75 v	270欧姆
ST3060D	63.3000	RFQ	4567	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3060	标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3060D	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	600 v	15a	1.2 V @ 15 A		10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C
1N4551B	53.5800	RFQ	5602	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4551		500兆	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		100 µA @ 1 V				4.7 v	0.12欧姆
1N3909	48.5400	RFQ	8606	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3909	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.4 V @ 50 A	200 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	50a	-
JANTX1N6635CUS	-	RFQ	9591	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		25 µA @ 1 V				4.3 v	2欧姆
JANTXV1N7051-1/TR	11.3850	RFQ	5594	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N7051-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
APTDF400U120G	105.9800	RFQ	801	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘安装	LP4	APTDF400	标准		LP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1200 v		2.5 V @ 500 A	110 ns	2.5 ma @ 1200 V		450a	-
1N5236BUR-1/TR	3.0900	RFQ	2089	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	323					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V				7.5 v	6欧姆
JANS1N4489CUS/TR	283.9800	RFQ	9216	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4489CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		250 na @ 80 V				100 v	250欧姆
1N975B/TR	2.1014	RFQ	6331	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N975B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V				39 v	80欧姆
JANTXV1N5546D-1/TR	26.0414	RFQ	2963	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5546D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆
JANS1N4104DUR-1	147.2700	RFQ	1124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
1N4574-1/tr	29.5200	RFQ	7831	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4574-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JANTXV1N3000RB	-	RFQ	5038	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 47.1 V				62 v	17欧姆
1N2834A	94.8900	RFQ	5368	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2834		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 51.7 V				68 v	8欧姆
JANTX1N4105C-1	16.0500	RFQ	4202	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4105		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
1N4109CUR-1/TR	6.9300	RFQ	3862	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N4109CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	137					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
CDS5231D-1	-	RFQ	6550	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5231D-1	Ear99	8541.10.0050	50

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²