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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4985	9.8250	RFQ	6856	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4985		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 98.8 V				130 v	190欧姆
1N4246	3.7800	RFQ	8631	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4246	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
SMBJ5340C/TR13	2.1900	RFQ	8676	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5340		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6 V	1欧姆
JANTX1N6311DUS	55.6050	RFQ	8721	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6311		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		30 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
R32150	49.0050	RFQ	1782年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R32150			1
JANTX1N3334RB	-	RFQ	2952	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 42.6 V				56 v	6欧姆
JANTXV1N976C-1	8.9100	RFQ	8595	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N976		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 33 V				43 V	93欧姆
CD4481	4.3624	RFQ	4973	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	表面安装	死				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4481	Ear99	8541.10.0050	1
JAN1N4463CUS	26.7600	RFQ	7145	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4463		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	3欧姆
JANS1N4996CUS	-	RFQ	2896	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 16.7 V				22 v	1800欧姆
JANTX1N980CUR-1	15.5700	RFQ	1142	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N980		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V				62 v	185欧姆
1 PMT4123/TR7	0.9600	RFQ	2410	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4123		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.65 V				39 v	200欧姆
JANTXV1N4581AUR-1	11.4600	RFQ	4353	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4581		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
JANS1N4577A-1	103.1250	RFQ	9179	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
1月1N983B-1	2.2500	RFQ	2176	微芯片技术	MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N983		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
1N3009RB	40.3200	RFQ	7109	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3009		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 98.8 V				130 v	100欧姆
CD935	10.3950	RFQ	6099	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	0°C〜75°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD935	Ear99	8541.10.0050	1									9 V	30欧姆
JANTXV1N3026C-1	38.0400	RFQ	6997	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3026		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
JANTX1N5968CUS	-	RFQ	2593	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V				5.6 v	1欧姆
1N5226/tr	2.8950	RFQ	3285	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5226/tr	Ear99	8541.10.0050	325			1.5 V @ 200 ma		25 µA @ 950 mv				3.3 v	28欧姆
1月1N983CUR-1	11.3850	RFQ	4242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N983		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
1N5919D	7.5450	RFQ	9866	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5919		1.19 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 v	2欧姆
mbr4060pte3/tu	-	RFQ	1258	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR4060				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500
JANTX1N3002RB	-	RFQ	3968	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 56 V				75 v	22欧姆
JANTX1N4618DUR-1/TR	24.2193	RFQ	4052	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4618DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
1 PMT4112C/TR7	1.2450	RFQ	7566	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.37 V				18 V	100欧姆
CDLL3018A	14.7300	RFQ	8104	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3018		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.2 V				8.2 v	4.5欧姆
JANTX1N3612	5.8800	RFQ	6802	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/228	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N3612	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.1 V @ 1 A		1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANTXV1N3022BUR-1	-	RFQ	8574	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V				12 v	9欧姆
Jan1n4980c	18.5700	RFQ	6719	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4980		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 62.2 V				82 v	80欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²